к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Акустоэлектронное взаимодействие

  1. Механизм акустоэлектронного взаимодействия
  2. Экранирование
  3. Эффекты акустоэлектронного взаимодействия
  4. Электронная акустическая нелинейность
  5. Пространственный (объемный) заряд
  6. Плотность заряда в классической электродинамике
  7. Движение заряженных частиц в эл. и магн. полях
  8. Дебаевский радиус экранирования
  9. Пространственный заряд в ионном пучке
  10. Пространственный заряд в электронных лампах
  11. Диффузия носителей заряда в полупроводниках
  12. Коронный разряд
  13. Плазмооптические системы
  14. Ионный источник
  15. Магнитный заряд
  16. Электронный пучок
  17. Сильноточные пучки
  18. Анодное падение
  19. Электрические разряды в газах
  20. Термоэлектронная эмиссия
  21. Электронная пушка
  22. Вещественный электрический ток
  23. МДП-структура
  24. Энергия электромагнитного поля
  25. Электронно-лучевые приборы
  26. Ленгмюра формула
  27. Литература по акустоэлектронному взаимодействию
Акустоэлектронное взаимодействие, АЭВ - взаимодействие акустических волн с электронами проводимости в полупроводниках и металлах. Смещение атомов решётки, вызванное ультразвуковой волной, приводит к изменению внутрикристаллических полей, что сказывается на распределении и характере движения электронов проводимости. В свою очередь перераспределение электронов и их направленное движение изменяют картину деформаций, а следовательно, и характер распространения акустической волны в кристалле.

При АЭВ происходит обмен энергией и импульсом между ультразвуковой волной и электронами проводимости. Передача энергии от волны к электронам приводит к дополнительному электронному поглощению ультразвука, а передача импульса - к акустоэлектрическому эффекту. Когда в проводнике имеет место направленное движение электронов со сверхзвуковой скоростью, они отдают часть энергии своего направленного движения волне, в результате чего возникает усиление ультразвука. Кроме того, вследствие АЭВ в проводниках возникает ряд специфич. механизмов нелинейности акустич. волн, обусловливающих разнообразные нелинейные эффекты.

АЭВ представляет собой взаимодействие электронов с колебаниями длинноволновой части акустического спектра (111993-182.jpg, где Т - температуpa, 111993-183.jpg - частота колебаний), при описании которых кристалл рассматривается как упругий континуум, а колебания решётки - как волны упругой деформации. В пределе высоких частот АЭВ эквивалентно электронно-фононному взаимодействию.

Механизм акустоэлектронного взаимодействия

В процессе АЭВ сила F, действующая на свободные носители со стороны деформирующейся решётки, вызывает электронные токи и перераспределение носителей. Возникающие при этом электромагнитного поля частично компенсируют силу F, и реально действующая сила оказывается в результате экранирования в 111993-184.jpg раз меньше (111993-185.jpg - диэлектрическая проницаемость кристалла; 111993-186.jpg - частота и волновой вектор ультразвуковой волны). Перераспределённые заряды и индуцир. поля действуют на решётку с силой, объёмная плотность к-рой пропорциональна в конечном итоге амплитуде деформации. В зависимости от типа кристалла и диапазона ультразвуковых частот силы, возникающие в системе решётка- носители, имеют различное происхождение.

В полупроводниках АЭВ определяют два основных механизма. Общим для всех материалов является взаимодействие через деформационный потенциал, обусловленное локальными изменениями ширины запрещённой зоны полупроводника под действием деформации. В результате на электрон действует сила F, пропорциональная градиенту деформации S:111993-187.jpg с константой деформационного потенциала D, к-рая зависит от направления распространения и поляризации ультразвуковой волны. В свою очередь, на решётку действует сила, пропорциональная градиенту функции распределения носителей 111993-188.jpg :

111993-189.jpg

где р - импульс электрона, r - его радиус-вектор, t - время. Взаимодействие через деформационный потенциал растёт с увеличением частоты ультразвука и поэтому эффективно на высоких частотах в неполярных полупроводниках (Ge, Si и др.) и полуметаллах (висмут и др.).

В полупроводниках без центра симметрии наблюдается пьезоэлектрическое взаимодействие, при котором деформация сопровождается появлением электрического поля и, наоборот, электрическое поле вызывает деформацию кристалла. На электрон в звуковой волне действует сила

111993-190.jpg

пропорциональная деформации (е - заряд электрона, 111993-191.jpg - пьезомодуль, 111993-192.jpg - диэлектрическая проницаемость решётки). Объёмная сила, действующая на решётку, пропорциональна градиенту электрического поля 111993-193.jpg, индуцированного ультразвуковой волной:111993-194.jpg.

Сильная анизотропия пьезоэффекта приводит к зависимости АЭВ от направления распространения и поляризации ультразвуковой волны. Пьезоэлектрическое взаимодействие - основной механизм АЭВ в пьезополупроводниках (CdS, ZnO, GaAs, InSb, Те и др.) вплоть до частот порядка 10-100 ГГц, выше которых взаимодействие через деформационный потенциал становится преобладающим. В ряде центросимметричных кристаллов - сегнетоэлектриков (SbSI, ВаТiO3 и др.) за счёт эффекта электрострикции и больших внутренних электрических полей EВН возникает АЭВ, которое формально сводится к пьезоэлектрическому. При этом эффективная пьезоконстанта 111993-195.jpg , где а - константа электрострикции.

В металлах из-за большой концентрации электронов они наряду с ионной решёткой определяют упругие свойства материала. АЭВ возникает как результат действия на электроны и ионы решётки самосогласованного электромагнитного поля, вызванного движением ионов. Для продольного звука это поле имеет электростатический характер; в случае поперечного звука на электроны и ионы действует вихревое электрическое поле. Наряду с силами, определяемыми макроскопич. эл--магн. полем звуковой волны, на электроны действуют также силы, обусловленные локальным изменением электронного закона дисперсии при деформации кристалла. Поскольку со звуковой волной эффективно взаимодействует лишь небольшое число электронов, принадлежащих ферми-поверхности, то такое взаимодействие определяется потенциалом деформации, описывающим локальное возмущение поверхности Ферми. Нередко, особенно при квантовомеханич. описании АЭВ в металлах, всё взаимодействие описывается в терминах эффективного деформационного потенциала. Электромагнитный механизм взаимодействия помимо металлов проявляется в полуметаллах и полупроводниках с решёткой, содержащей большое число заряженных примесей.

В кристаллах с выраженным эффектом магнитострикции возможно АЭВ, обусловленное переменным магн. полем, пропорциональным деформации. Оно характерно для ферромагных металлов (никель, кобальт) и сплавов, а также других магнитных материалов и зависит от спонтанной намагниченности и напряжённости внешнего магнитного поля.

Экранирование

Эффективность АЭВ определяется не только величиной сил, действующих на электроны, но и характером перестройки электронной подсистемы под действием этих сил. В результате экранирования эффекты АЭВ зависят от высокочастотной электронной проводимости - отклика электронов на переменное и неоднородное электрич. поле, индуцированное ультразвуком. Зависимость проводимости от частоты, внешнего электрического и магнитного полей, температуры проявляется в акустических характеристиках проводника.

Экранирование приводит к сложной частотной зависимости АЭВ. Её характер определяется соотношением между длиной акустич. волны 111993-196.jpg и длиной свободного пробега электрона111993-197.jpg. В случае, если электрон на длине волны испытывает большое число соударений (kle= 111993-198.jpg ), акустич. волна взаимодействует с электронными сгустками - возмущениями электронной плотности. Поведение электронного газа в этом случае хорошо описывается ур-ниями гидродинамики. Именно в этом диапазоне частот проявляется релаксац. характер процесса экранирования: степень экранирования зависит от соотношения между периодом колебаний и временем электронной релаксации 111993-199.jpg(111993-200.jpg - ста-тич. проводимость).

При 111993-201.jpg внешняя сила экранируется почти полностью. С ростом частоты степень экранирования уменьшается, но одновременно уменьшается и длина волны - характерное расстояние, на к-ром действует внеш. сила. Поэтому на высоких частотах, когда l становится меньше пространств. масштаба экранирования - радиуса Дебая - Хюккеля111993-202.jpg111993-203.jpg (111993-204.jpg- тепловая скорость электрона, n0 - плотность электронов), степень экранирования вновь, велика. Миним. экранирование возникает при кrд=1.

Когда длина свободного пробега велика (kle>l), акустическая волна взаимодействует с отдельными электронами. Основной вклад в АЭВ вносит небольшая группа движущихся в фазе с волной электронов, проекция скорости u к-рых на направление распространения волны близка к скорости звука 111993-205.jpg. Для остальных электронов взаимодействие с волной малоэффективно, поскольку на длине свободного пробега действующая на них сила много раз меняет знак.

Эффекты акустоэлектронного взаимодействия

На опыте АЭВ проявляется либо непосредственно как эффект увлечения носителей заряда акустич. волной, либо в виде зависимости параметров акустич. волны (её скорости, коэф. поглощения и др.) от концентрации носителей проводимости, величины внеш. электрич. и магн. полей. АЭВ - одна из причин дисперсии звука в твёрдых телах. Получая в процессе АЭВ энергию, электроны рассеивают её при столкновениях с дефектами и тепловыми фононами, обусловливая электронное поглощение ультразвука. Зависимость коэффициента поглощения от частоты при этом может отличаться от квадратичной, предсказываемой классич. теорией (см. Поглощение звука ).В полупроводниках в сильном электрич. поле поглощение звука сменяется его усилением. Усиление электрич. полем НЧ-фононов (акустич. шумов) приводит к развитию электрич. неустойчивости в полупроводниках и возникновению акустоэлектрических доменов. АЭВ является источником электронной акустич. нелинейности, к-рая обусловливает зависимость от электронных параметров амплитуд акустич. волн, возникающих в результате нелинейного взаимодействия, эффекты электроакустического эха в полупроводниках и др.

Электронное поглощение ультразвука в металлах является основным при низких температуpax. В длинноволновой области 111993-206.jpg электронное поглощение обусловлено вязкостью электронного газа; коэф. поглощения 111993-207.jpg при этом пропорционален времени111993-208.jpg между соударениями электронов и квадрату частоты:

111993-209.jpg

где 111993-210.jpg - энергия Ферми,111993-211.jpg - плотность металла, 111993-212.jpg- скорость звука, А - числовой коэф. Температурная зависимость электронного поглощения определяется зависимостью 111993-213.jpg. С понижением температуры время между соударениями увеличивается, а вместе с ним растёт и электронное поглощение. В области коротких волн 111993-214.jpg коэф. поглощения линейно увеличивается с ростом частоты

111993-215.jpg

где111993-216.jpg - фермиевская скорость электрона, т - его масса,111993-217.jpg - числовой коэффициент. Коэф. поглощения111993-218.jpg не содержит зависимости от 111993-219.jpg, а следовательно, не зависит от механизма рассеяния носителей и слабо зависит от температуры.

Особый характер имеет акустическое поглощение в металлах, помещённых в постоянное магн. поле. В магн. поле траектории электронов искривляются, и в достаточно сильных полях, для к-рых циклотронная частота 111993-220.jpg (В - магн. индукция, с - скорость света) значительно превосходит частоту соударений 111993-221.jpg111993-222.jpg , движение приобретает периодич. характер. Траектории такого движения определяются топологией поверхности Ферми.

В общем случае коэф. поглощения имеет тот же порядок, что и в отсутствие поля. Однако, когда на характерном размере траектории электрона (диаметр орбиты для замкнутых траекторий или пространств. период для открытых) укладывается целое число длин волн, поглощение сильно возрастает. В результате возникает осцилляц. зависимость коэф. поглощения от частоты или магн. поля: взаимодействие волны с электронами на замкнутых траекториях определяет геометрические осцилляции ,а на открытых траекториях - магнитоакустический резонанс. При низких температуpax в сильных магн. полях111993-223.jpg возникают квантовые осцилляции - периодич. зависимость коэф. поглощения ультразвука от величины 1/В (рис. 1), обусловленная квантованием движения электронов в магн. поле (см. Квантовые осцилляции в магнитном поле). По своему происхождению квантовые осцилляции поглощения ультразвука аналогичны Шубникова - де Хааза аффекту. Наконец, при wt>1 возможно наблюдение акустич. циклотронного резонанса.

111993-224.jpg

Рис. 1. Гигантские квантовые осцилляции коэффициента поглощения ультразвука в цинке на частоте 220 МГц при Т=4,2К.

111993-225.jpg

Рис. 2. Температурная зависимость коэффициента продольных звуковых волн в свинце на частоте 50 МГц: 1 - в сверхпроводящем состоянии; 2 - при разрушении сверхпроводимости магнитным полем.

Акустич. поглощение в сверхпроводниках происходит только из-за взаимодействия акустич. волны с "нормальными" электронами; сверхпроводящие электроны в поглощении звука не участвуют. Поскольку с уменьшением температуры число "нормальных" электронов уменьшается, то при температуре Т<Тсс - температуpa перехода в сверхпроводящее состояние) коэф. поглощения звука падает, стремясь к нулю при 111993-226.jpg (рис. 2, кривая 1).

Электронное поглощение ультразвука в полупроводниках - основной механизм поглощения в широком диапазоне температур и частот. Неск. механизмов АЭВ, наличие разл. типов носителей и примесных центров, возможность изменения концентрации и подвижности, влияние электрич. и магн. полей приводят к сложной картине акустич. поглощения в полупроводниках. В пьезополупроводниках пьезоэлектрич. механизм АЭВ преобладает над всеми другими при температуpax вплоть до комнатных и в диапазоне частот вплоть до десятков Гц и даёт осн. вклад в поглощение по сравнению с др. механизмами диссипации акустич. энергии. Для комнатных температур, когда длина свободного пробега электрона много меньше длины волны коэф. поглощения имеет вид111993-227.jpg

111993-228.jpg

где111993-229.jpg -коэффициент электромеханической связи.

При низких температуpax, когда 111993-230.jpg , коэф. поглощения

111993-231.jpg

не зависит от времени между соударениями 111993-232.jpg, а следовательно, слабо зависит от температуры. В обоих случаях с увеличением частоты поглощение растёт и коэф.111993-233.jpg достигает максимума, равного , при 111993-234.jpg (рис. 3, кривая 1), а затем 111993-235.jpg уоывает вследствие кулоновского экранирования. Последнее определяет и зависимость коэфф. поглощения от концентрации носителей n0: он сначала растёт пропорционально n0, а затем, проходя через максимум, падает как 1/n0. При всех разумных концентрациях носителей поглощение ультразвука в пьезополупроводниках значительно эффективнее при 111993-236.jpg, т. е. в области комнатных температур.

Значит. электронное поглощение, обусловленное АЭВ через деформац. потенциал, наблюдается в многодолинных полупроводниках (Ge, Si) и полуметаллах (Bi), где энергия электрона имеет неск. минимумов (долин), расположенных в разл. точках зоны Бриллюэна.

111993-237.jpg

Рис. 3. Зависимости электронного коэффициента поглощения (1) ультразвука 111993-238.jpg и изменения скорости звука (2)от величины111993-239.jpg

111993-240.jpg

Рис. 4. Зависимость электронного коэффициента усиления ультразвука 111993-241.jpg от дрейфовой скорости электронов111993-242.jpg

При определ. направлении распространения волны на электроны, принадлежащие двум разным минимумам, вследствие АЭВ будут действовать силы, равные по величине, но противоположные по направлению. Тогда неоднородный объёмный заряд не образуется и экранирование оказывается слабым. Коэф. поглощения в этом случае монотонно растёт с увеличением n0 и в кристаллах с высокой концентрацией достигает значит. величины.

В сильных магн. полях при низких температуpax в вырожденных полупроводниках и полуметаллах наблюдаются те же резонансные осцилляц. зависимости, что и в металлах. В невырожденных полупроводниках возможно наблюдение только акустич. циклотронного резонанса.

Электронная дисперсия скорости звука наиболее значительна в пьезополупроводниках, где она достигает неск. процентов. Дисперсия носит релаксац. характер: на НЧ электроны почти полностью экранируют пьезоэлектрич. поля и скорость звука равна значению vsq, определяемому только упругими свойствами кристалла. На больших частотах 111993-243.jpg влияние электронов незначительно и скорость звука равна её значению в пьезодиэлектрике111993-244.jpg111993-245.jpg (рис. 3, кривая 2).

Усиление ультразвука в полупроводниках возникает, когда имеется направленное движение (дрейф) носителей заряда вдоль распространения волны. Дрейф создаётся внеш. электрич. полем. С ростом поля движение электронов сначала уменьшает коэф. поглощения (рис. 4), а затем при скорости дрейфа 111993-246.jpg, равной 111993-247.jpg, обращает его в нуль. При сверхзвуковом движении 111993-248.jpg возникает электронное усиление ультразвука; оно происходит за счёт энергии источника, поддерживающего сверхзвуковой дрейф носителей. С ростом напряжённости внеш. поля усиление растёт линейно, достигает максимума, а затем начинает уменьшаться, поскольку при больших дрейфовых скоростях электроны не успевают эффективно взаимодействовать со звуковой волной (рис. 4). В пьезополупроводыиках при 111993-249.jpg коэф. электронного усиления

111993-250.jpg

достигает максимума, равного 111993-251.jpg , при значении дрейфовой скорости

111993-252.jpg

достаточно близком к 111993-253.jpg. В случае 111993-254.jpg зависимость 111993-255.jpg остаётся линейной вплоть до значений111993-256.jpg, близких к тепловой (или фермиевской) скорости электронов

111993-257.jpg

где 111993-258.jpg - коэф. электронного поглощения в отсутствие дрейфа.

Усиление ультразвука возможно, если только оно превосходит поглощение, обусловленное решёткой. На опыте наблюдалось усиление ультразвука в пьезополупроводниках (CdS, CdSe, Те, GaAs, InSb и др.) в диапазоне частот 10-104 МГц при температуpax от гелиевых до комнатных. Значения экспериментально наблюдаемых инкрементов составляют 20-80 дБ/см. При низких температурах наблюдалось также усиление ультразвука в неполярных полупроводниках (Ge) и полуметаллах (Bi).

Электронная акустическая нелинейность

Рассмотренные выше эффекты относились к распространению достаточно слабого ультразвука. С повышением интенсивности звуковой волны всё большую роль начинают играть нелинейные эффекты, искажающие её форму, ограничивающие рост её интенсивности при усилении или уменьшающие её затухание. В проводящих средах, помимо обычного решёточного энгармонизма, существует специфич. механизм нелинейности, связанный с захватом электронов проводимости в минимумы потенциальной энергии электрич. поля, сопровождающего акустич. волну (т. н. электронная акустич. нелинейность). В полупроводниках такой механизм нелинейности становится существенным при интенсивностях ультразвука, значительно меньших тех, при к-рых сказывается энгармонизм решётки, характерный для диэлектриков. Захват электронов электрич. полем волны приводит к разл. эффектам в зависимости от соотношения между длиной звуковой волны и длиной свободного пробега электрона.

Для НЧ-звука 111993-259.jpg в пьезополупроводниках осн. роль играет пространственное перераспределение носителей: с ростом интенсивности звука растёт число электронов, захваченных в потенциальных ямах, созданных переменным пьезопотенциалом 111993-260.jpg (т. н. кон-центрац. нелинейность). Когда глубина потенциальных ям -111993-261.jpg превышает тепловую энергию электронов , носители застревают в ямах и оказывают меньшее воздействие на волну. В результате электронное усиление (поглощение) звука падает с ростом его интенсивности, а форма волны существенно отличается от синусоидальной.

При распространении ВЧ-звука 111993-262.jpg в металлах, полуметаллах и полупроводниках акустич. волна значительно искажает распределение по импульсам тех электронов, к-рые движутся в фазе с волной и эффективно взаимодействуют с ней (т. н. импульсная акустич. нелинейность). Это искажение тем сильнее, чем больше интенсивность звука, а также время между соударениями, определяющее время жизни электрона в потенциальной яме.

С ростом интенсивности всё больше электронов движутся в фазе с волной и не взаимодействуют с ней, что приводит к уменьшению усиления или поглощения звука. Импульсная акустич. нелинейность аналогична нелинейному затуханию эл--магн. волн в плазме. Имеется и ряд др. электронных механизмов акустич. нелинейности, связанных, напр., с разогревом электронного газа ультразвуковой волной, захватом носителей на примесные центры - ловушки и т. д.

Вследствие электронной акустич. нелинейности при распространении ультразвуковой волны в кристалле возникают электрич. поля и токи не только на частоте ультразвука, но и на частотах гармоник. Обратное воздействие этих полей на решётку приводит к генерации акустич. гармоник. Аналогичным образом при одноврем. распространении в кристалле нескольких ультразвуковых волн электронная нелинейность служит причиной нелинейного взаимодействия акустич. волн (см. Нелинейная акустика ).При воздействии на кристалл переменным электрич. (эл--магн.) полем электронная нелинейность обеспечивает параметрич. усиление акустич. волн на субгармониках частоты внеш. поля, эффект обращения акустич. волнового фронта, к-рый лежит в основе электроакустического эха, и другме эффекты.

Эффекты АЭВ в полупроводниках применяются в акустоэлектронике при создании приборов для усиления и генерации волн, управления амплитудой и фазой волны, выполнения нелинейных операций с сигналами. АЭВ в металлах широко используется для изучения формы поверхности Ферми.

Литература по акустоэлектронному взаимодействию

  1. Гуревич В. Л., Теория акустических свойств пьезоэлектрических полупроводников, "ФТП", 1968, т. 2, в. 11, с. 1557;
  2. Пустовойт В. И., Взаимодействие электронных потоков с упругими волнами решетки, "УФН", 1969, т. 97, в. 2, с. 257;
  3. Такер Дж., Рэмптон В., Гипррзвук в физике твердого тела, пер. с англ., М., 1975;
  4. Гальперин Ю. М., Гуревич В. Л., Акустоэлектроника полупроводников и металлов, М., 1978.

В. М. Левин, Л. А. Чернозатонский.

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что в 1974 - 1980 годах профессор Стефан Маринов из г. Грац, Австрия, проделал серию экспериментов, в которых показал, что Земля движется по отношению к некоторой космической системе отсчета со скоростью 360±30 км/с, которая явно имеет какой-то абсолютный статус. Естественно, ему не давали нигде выступать и он вынужден был начать выпуск своего научного журнала "Deutsche Physik", где объяснял открытое им явление. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 20.09.2019 - 04:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
18.09.2019 - 12:08: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> ПРОБЛЕМА ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА - Карим_Хайдаров.
18.09.2019 - 06:01: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Л.Г. Ивашова - Карим_Хайдаров.
17.09.2019 - 05:51: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ФАЛЬСИФИКАЦИЯ ИСТОРИИ - Карим_Хайдаров.
17.09.2019 - 05:41: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Тиртхи - Карим_Хайдаров.
16.09.2019 - 18:21: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> ПРОБЛЕМА КРИМИНАЛИЗАЦИИ ЭКОНОМИКИ - Карим_Хайдаров.
16.09.2019 - 03:11: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
14.09.2019 - 18:23: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
13.09.2019 - 09:08: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
12.09.2019 - 17:47: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
08.09.2019 - 03:42: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
07.09.2019 - 07:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Декларация Академической Свободы - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution