АНОДНОЕ ПАДЕНИЕ - изменение потенциала
вблизи анода в тлеющем или дуговом разряде, к-рое складывается из изменения
потенциала в области пространственного заряда (ленгмюровский слой) и в граничной
области квазинейтральной плазмы столба. Если на границе ленгмюровского слоя
концентрация плазмы п и тепловая скорость электронов
таковы, что плотность хаотического тока на анод
больше плотности тока разряда (jх>jа),
то падение потенциала в слое является тормозящим для электронов (<0),
при этом реализуется положительный пространственный заряд. При jа~jх
падение потенциала ускоряет электроны (>0)
и в слое образуется отрицательный пространственный заряд. См. Приэлектродные
явления.