Деформационный потенциал - изменение энергии электрона в зоне проводимости или дырки в валентной зоне при
деформировании полупроводника. Деформация изменяет ширину запрещённой зоны полупроводника
и тем самым положение дна зоны проводимости и "потолка" валентной
зоны (см. Зонная теория ).Энергия электрона
изменяется при деформации кристалла на величину
,
где-энергия
при отсутствии деформации, Dik - тензор Д. п., uik
-тензор деформации. Для упрощённого описания деформац. эффектов в полупроводниках
иногда вводят величину
, к-рая характеризует изменение ширины запрещенной зоны
полупроводника при всестороннем сжатии (p - давление). Напр., для кристалла
германия эВ/атм,
а для кремния +1,5*10-6 эВ/атм. д. п. позволяет описать взаимодействие
носителей заряда с акустич. ДВ-фононами в полупроводниках всех типов. В непьезоэлектрич.
полупроводниках (напр., в Ge) взаимодействие через Д. п. определяет существование
таких эффектов, как электронное поглощение УЗ (см. Акустоэлектронное взаимодействие),
акустоэлектрический эффект и др. В пьезоэлектрич. полупроводниках пьезоэлектрич.
взаимодействие на относительно низких частотах (~ 50МГц) сильнее, чем взаимодействие
через Д. п., однако на частотах в неск. ГГц они выравниваются. Д. п. определяет
также тензорезистивный эффект ,на основе к-рого работают датчики давления,
полупроводниковые тензометры, микрофоны и др. устройства.
Литература по деформационному потенциалу
Бир Г. Л., Пикус Г. E., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, M., 1972.
Знаете ли Вы, что, как ни тужатся релятивисты, CMB (космическое микроволновое излучение) - прямое доказательство существования эфира, системы абсолютного отсчета в космосе, и, следовательно, опровержение Пуанкаре-эйнштейновского релятивизма, утверждающего, что все ИСО равноправны, а эфира нет. Это фоновое излучение пространства имеет свою абсолютную систему отсчета, а значит никакого релятивизма быть не может. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
изменяется при деформации кристалла на величину 
,
-энергия
при отсутствии деформации, Dik - тензор Д. п., uik
-тензор деформации. Для упрощённого описания деформац. эффектов в полупроводниках
иногда вводят величину 
, к-рая характеризует изменение ширины запрещенной зоны 
полупроводника при всестороннем сжатии (p - давление). Напр., для кристалла
германия 
эВ/атм,
а для кремния +1,5*10-6 эВ/атм. д. п. позволяет описать взаимодействие
носителей заряда с акустич. ДВ-фононами в полупроводниках всех типов. В непьезоэлектрич.
полупроводниках (напр., в Ge) взаимодействие через Д. п. определяет существование
таких эффектов, как электронное поглощение УЗ (см. Акустоэлектронное взаимодействие),
акустоэлектрический эффект и др. В пьезоэлектрич. полупроводниках пьезоэлектрич.
взаимодействие на относительно низких частотах (~ 50МГц) сильнее, чем взаимодействие
через Д. п., однако на частотах в неск. ГГц они выравниваются. Д. п. определяет
также тензорезистивный эффект ,на основе к-рого работают датчики давления,
полупроводниковые тензометры, микрофоны и др. устройства.
