к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Диэлектрики

Диэлектрики - вещества, относительно плохо проводящие электрич. ток (по сравнению с проводниками). Термин "Д." (от греч. dia - через и англ. electric - электрический) введён M. Фарадеем (M. Faraday) для обозначения сред, через к-рые проникает эл--статич. поле (в отличие от металлов, экранирующих эл--статич. поле). Создаваемое внеш. источниками и поддерживаемое в веществе пост. электрич. поле вызывает направленное перемещение зарядов, т. е. электрич. ток, а также приводит к перераспределению электрич. зарядов и появлению (или изменению) электрич. дипольного момента в любом объёме вещества, т. е. к его поляризации. В зависимости от того, поляризация или электропроводность определяют электрич. свойства среды, принято деление веществ на Д. (изоляторы) и проводники (металлы, электролиты, плазма). Электропроводность Д. по сравнению с металлами очень мала. Их уд. сопротивление ~108-1017 Ом*см (у металлов ~10-6- 10-4 Ом*см). Существует и промежуточный класс - полупроводники.

Различие в электропроводности Д. и металлов классич. физика объясняла тем, что в металлах есть свободные электроны (см. Друде теория металлов ),а в Д. все электроны связаны, т. е. принадлежат отд. атомам, и электрич. поле не отрывает, а лишь слегка смещает их, т. е. поляризует Д. Фактически следует говорить не об отд. электроне, связанном с ядром, а об электронном облаке, окружающем все ядра вещества. Согласно зонной теории твёрдого тела, в кристаллич. Д. при температуре T=0K все ниж. разрешённые энергетич. зоны полностью заполнены электронами, а все вышележащие пусты (в металлах верхняя из разрешённых зон, содержащих электроны, заполнена лишь частично). Полупроводники отличаются от Д. лишь шириной запрещённой зоны 1119935-341.jpg. К ним принято обычно относить вещества с 1119935-342.jpg~0,2-3 эВ, а к Д. с1119935-343.jpg>2-3 эВ.

1119935-339.jpg

Рис. 3. Изменение кругового дихроизма 1119935-340.jpg вследствие изменения конформации молекулы при понижении температуры.


В нек-рых случаях приближение зонной теории оказывается недостаточным для решения вопроса о том, является вещество Д. или проводником. Взаимодействие электронов при определ. условиях приводит к тому, что вещество с незаполненной достаточно узкой разрешённой зоной является Д. (см. Переход металл - диэлектрик).

Электрические характеристики диэлектриков. Класс Д. охватывает большое кол-во веществ в твёрдом, жидком и газообразном состояниях. Твёрдыми Д. являются мн. кристаллы и аморфные вещества (стёкла, смолы). Все газы состоят в основном из нейтральных атомов и молекул и поэтому в обычных условиях не проводят электрич. тока, т. е. являются Д. С повышением температуры T атомы и молекулы ионизируются и газ превращается в плазму.

В рамках макроскопич. теории, рассматривающей Д. как сплошную среду (континуальное приближение), для описания электрич. состояния Д. используется понятие плотности электрич. заряда 1119935-344.jpg (r - пространств. координата точки), усреднённого по малому объёму, содержащему достаточно большое число атомов. Под действием внеш. электрич. поля в Д. возникает плотность заряда 1119935-345.jpg и в результате - дополнительное к внешнему электрич. поле. Для описания электрич. состояния Д. наряду с р удобно вводить вектор поляризации (электрич. дипольный момент единицы объёма Д.) 1119935-346.jpg, связанный с 1119935-347.jpg соотношением:

1119935-348.jpg

Распределение плотности заряда 1119935-349.jpg и электрич. поля Е в Д. можно найти, решая систему Максвелла уравнений для статич. поля:

1119935-350.jpg

дополненную зависимостью 1119935-351.jpg (ур-ние состояния Д.). Зависимость 1119935-352.jpg характеризует электрич. свойства Д. Она различна для разных веществ и даже для разных образцов одного вещества, т. к. зависит от однородности, степени чистоты материала, содержания дефектов в нём и т. п.

Для большинства Д. в широком интервале полей 1119935-353.jpg справедлива линейная зависимость 1119935-354.jpg , выражаемая для изотропных веществ и кубич. кристаллов соотношением:

1119935-355.jpg

В системе единиц СИ 1119935-356.jpg , где 1119935-357.jpg=8,85*10-12 Ф/м. Коэф. пропорциональности 1119935-358.jpg в соотношении (3) наз. диэлектрич. восприимчивостью Д. Вместо вектора 1119935-359.jpg часто пользуются вектором 1119935-360.jpg, наз. электрической индукцией:

1119935-361.jpg

Величина 1119935-362.jpg наз. диэлектрической проницаемостью. Очевидно, что:

1119935-363.jpg (в СИ 1119935-364.jpg ).

В вакууме 1119935-365.jpg (в системе СГСЭ); для любого Д. 1119935-366.jpg >1. Величины 1119935-367.jpg являются осн. характеристиками электрич. свойств Д. Сила взаимодействия двух точечных электрич. зарядов, помещённых в безграничный Д., в 1119935-368.jpg раз слабее, чем для тех же зарядов в вакууме. Введение D не даёт дополнит. информации о поведении Д. в электрич. поле и целесообразно лишь для удобства записи ур-ний Максвелла.

Для анизотропных сред вместо (2) справедливо более общее соотношение: 1119935-369.jpg , где 1119935-370.jpg - тензор диэлектрич. проницаемости. Это симметричный тензор второго ранга 1119935-371.jpg, определяемый шестью величинами. В анизотропном Д. 1119935-372.jpg не параллельны друг другу, т. к. 1119935-373.jpg зависит от ориентации вектора 1119935-374.jpg относительно осей симметрии кристалла.

В ограниченном Д., помещённом в однородное внеш. электрич. поле, поляризация и поле однородны лишь в том случае, когда образец имеет форму эллипсоида. В этом случае удаётся найти аналитически поле, обусловленное зарядами, возникшими при поляризации Д. Внутри эллипсоида это поле противоположно по направлению внеш. полю и наз. поэтому деполяризующим. Его величина определяется по ф-ле 1119935-375.jpg , где Nik - тензор деполяризующих факторов. Для шара Nik сводится к скаляру: 1119935-376.jpg.

Осн. задача микроскопич. теории Д.- расчёт 1119935-377.jpg, исходя из сведений о структуре вещества.

Поляризация газов. Простейший случай - разреженный инертный газ, где дипольный момент появляется у атомов в результате смещения электронов относительно ядра (деформация электронного облака) в электрич. поле. Такой механизм поляризации наз. электронным. В этом случае (если пренебречь взаимодействием между атомами) выражается ф-лой:

1119935-378.jpg 1119935-379.jpg

где N - число атомов в единице объёма Д., 1119935-380.jpg- поляризуемость атома (коэф. пропорциональности между дипольным моментом атома и электрич. полем, действующим на него). Ф-ла (3) справедлива при условии

1119935-381.jpg.

При увеличении давления в газе необходимо учитывать взаимодействие между атомами. Дальнодействующие диполь-дипольные взаимодействия приводят к отличию локального электрич. поля, действующего на атом 1119935-382.jpg , от приложенного поля Е:

1119935-383.jpg

Здесь 1119935-384.jpg- т. н. поле Лоренца. В этом случае e описывается Клаузиуса - Моссотти формулой:

1119935-385.jpg

Ф-ла (3) справедлива и для разреженных молекулярных газов, если 1119935-386.jpg- поляризуемость молекулы .Последняя определяется распределением плотности электронов и ядер в молекуле, обусловленной характером химической связи. В молекулах с ионной связью (электроны распределены так, что можно выделить отдельные ионы) поляризуемость является результатом сдвига ионов противоположного знака относительно друг друга (ионная поляризация) и деформации электронных оболочек ионов (электронная поляризация). Поляризуемость 1119935-387.jpg молекулы в этом случае является суммой электронной и ионной поляризуемостей. В молекулах с ковалентной связью поляризация обусловлена в основном электронами, осуществляющими хим. связь. В газах из полярных молекул (обладающих электрич. дипольными моментами, к-рые ориентированы в отсутствие электрич. поля E хаотически) под действием поля молекулы ориентируются вдоль него. В этом случае преобладает ориентационная поляризация. Ориентационная поляризуемость молекул сильно зависит от температуры, т. к. тепловое движение молекул оказывает разориентирующее воздействие на систему упорядоченных диполей. Поэтому вклад ориентационной поляризации убывает при повышении T. Для ср. значения коллинеарной полю Е компоненты дипольного момента 1119935-388.jpg молекулы, воспользовавшись распределением Вольцмана для частиц в однородном силовом поле, находят:

1119935-389.jpg

где L(x)наз. Ланжевена функцией. При 1119935-390.jpg, для разреженных газов 1119935-391.jpg (Ланжевена - Дебая формула).

Сходный механизм поляризации связан с перескоком под действием электрич. поля отд. ионов из одних положений равновесия в другие. Такой механизм особенно часто наблюдается в молекулах с водородной связью, где ионы водорода имеют обычно неск. положений равновесия.

Поляризация конденсированных сред определяется теми же механизмами, к-рые указаны выше для молекул. Расчёт 1119935-392.jpg (как и др. констант) конденсированных сред весьма сложен. Однако иногда оказываются эффективными простые приближённые ф-лы. Так, соотношение (3) хорошо выполняется для конденсированных веществ, если в них молекулы сохраняют свою индивидуальность, напр. для молекулярных кристаллов. Для ионных кристаллов удаётся разделить вклады ионной и электронной поляризаций. Последняя определяет 1119935-393.jpg- диэлектрич. проницаемость при частотах 1119935-394.jpg , больших собств. частот колебаний ионов (оптич. колебаний кристаллической решётки), но меньших характерных электронных частот. В диэлектрич. проницаемость при 1119935-395.jpg дают вклады как ионная, так и электронная поляризации. В пренебрежении ангар-монизмом 1119935-396.jpg определяется теми же коэф. "жёсткости" для относительного сдвига подрешёток одинаковых ионов, что и предельные частоты поперечных оптич. колебаний. От величины 1119935-397.jpg зависит электрич. поле, возникающее при продольных оптич. колебаниях и определяющее отличие частот продольных 1119935-398.jpg и поперечных 1119935-399.jpg колебаний. Для двухатомных кристаллов (напр., NaCl) сказанное отражает ф-ла:

1119935-400.jpg

являющаяся простейшей формой более общей ф-лы Лиддана - Сакса - Теллера.

Значение 1119935-401.jpg конденсированной среды существенно зависит от структуры вещества и от внеш. условий, обычно меняясь в пределах от неск. единиц до неск. десятков (у сегнетоэлектриков до 105; см. табл. в ст. Диэлектрическая проницаемость). Такой разброс значений 1119935-402.jpg объясняется отчасти тем, что в разных веществах осн. вклад в 1119935-403.jpg дают разл. механизмы поляризации. Напр., в Д. с полярными молекулами, где наблюдается ориентационная поляризация, 1119935-404.jpg сравнительно велика (для воды 1119935-405.jpg=81).

Диэлектрики в переменном поле. Если E изменяется во времени, то поляризация Д. не успевает следовать за вызывающим её перем. электрич. полем, т. к. смещения зарядов не могут происходить мгновенно. Вследствие этого векторы 1119935-406.jpg и данный момент времени t зависят от значений функции E(t)во все предшествующие моменты времени:

1119935-407.jpg

где вид функции f зависит от свойств среды.

Поскольку любое перем. поле можно представить в виде совокупности полей, меняющихся по гармонич. закону, то достаточно рассмотреть поведение Д. в поле 1119935-408.jpg . Под действием такого поля величины1119935-409.jpg и 1119935-410.jpg будут колебаться также гармонически с той же частотой1119935-411.jpg. Однако между колебаниями 1119935-412.jpg будет существовать разность фаз, что вызвано отставанием поляризации 1119935-413.jpg. Зависимость 1119935-414.jpg выражается ф-лой:

1119935-415.jpg

Диэлектрич. проницаемость e(w) является комплексной величиной 1119935-416.jpg , т. е. характеризуется двумя величинами 1119935-417.jpg, зависящими от 1119935-418.jpg. Абс. величина 1119935-419.jpg определяет амплитуду колебания D, а отношение 1119935-420.jpg определяет разность фаз 1119935-421.jpg между колебаниями D и E. Величина 1119935-422.jpg наз. углом диэлектрических потерь в связи с тем, что наличие разности фаз приводит к поглощению энергии электрич. поля в Д. Действительно, работа, совершаемая полем

E в единице объёма Д., выражается интегралом 1119935-423.jpg.

Взятый за 1 период колебания этот интеграл обращается в 0, если 1119935-424.jpg колеблются синфазно 1119935-425.jpg или в противофазе 1119935-426.jpg. В остальных случаях интеграл 1119935-427.jpg0. Доля энергии, теряемой за 1 период, равна 1119935-428.jpg.

В перем. электрич. полях высоких частот, напр. в поле световой волны, свойства Д. принято характеризовать преломления показателем п и поглощения показателем k (вместо1119935-429.jpg). Показатель преломления п равен отношению скоростей распространения эл--магн. волн в Д. и в вакууме; k характеризует затухание эл--магн. волны в Д. Величины 1119935-430.jpg связаны соотношением:

1119935-431.jpg

Дисперсия диэлектрической проницаемости. Зависимость диэлектрич. проницаемости от частоты перем. поля 1119935-432.jpg наз. частотной или временной дисперсией диэлектрич. проницаемости.

1119935-433.jpg

Рис. 1. Две характерные зависимости поляризации диэлектрика 1119935-434.jpg от времени t: а - релаксационная, б - резонансная. Постоянное электрическое поле E включается в момент времени t=0.

1119935-435.jpg

Рис. 2. а - Релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости 1119935-436.jpg , соответствующий зависимости 1119935-437.jpg, изображённой на рис. 1, а; б - Резонансный характер дисперсии 1119935-438.jpg, соответствующий зависимости, изображённой на рис. 1, б.

Из общих соображений можно показать, что функция 1119935-439.jpg является чётной: 1119935-440.jpg , а функция 1119935-441.jpg - нечётной: 1119935-442.jpg. Кроме того, функция1119935-443.jpg и 1119935-444.jpg связаны интегральными Крамерса - Кронига соотношениями .Характер зависимостей 1119935-445.jpg отражает процесс установления поляризации во времени. Если изменение 1119935-446.jpgпри включении поля имеет характер затухающих колебаний (рис. 1, б), то зависимости 1119935-447.jpg наз. резонансными (рис. 2, б). При ориентационной поляризации 1119935-448.jpg - экспонента (рис. 1, а). В этом случае 1119935-449.jpg наз. релаксационными (рис. 2, а).

функция 1119935-450.jpg имеет простой вид лишь для простейших систем, напр. для разреженного инертного газа. Если рассматривать атомы как совокупность классич. гармонич. осцилляторов, то ур-ние движения осциллятора в электрич. поле 1119935-451.jpg имеет вид:

1119935-452.jpg

Здесь е, т - величины порядка заряда электрона и его массы, 1119935-453.jpg- собств. частота, 1119935-454.jpg характеризует затухание. Из (6) следует закон дисперсии:

1119935-455.jpg

Здесь 1119935-456.jpg , где N - число атомов-осцилляторов в единице объёма Д. Квантовомеханич. рассмотрение даёт сходный результат с тем отличием, что частотам 1119935-457.jpg придаёт иное физ. содержание: 1119935-458.jpg- одна из частот поглощения или излучения атома, 1119935-459.jpg отвечает обратному времени жизни атома в соответствующем возбуждённом состоянии, 1119935-460.jpg- величина, связанная с вероятностью переходов атома из одного состояния в другое (плазменная частота).

Колебания ионов в твёрдом теле можно представить в виде совокупности нормальных колебаний, т. е. рассматривать кристаллич. решётку как набор независимых гармонич. осцилляторов. На однородное в пространстве, переменное по времени электрич. поле реагирует строго определ. число этих осцилляторов - те из них, к-рые отвечают предельным оптич. колебаниям, сопровождающимся изменением поляризации (их наз. также колебаниями, активными в ИК-поглощении). Поэтому обобщение ф-лы (7) (2-й член заменяется на сумму членов того же вида) часто используется для описания дисперсии 1119935-461.jpgв твёрдом теле. Фактически при этом учитываются частично и эффекты решёточного ангармонизма - наличием члена затухания, пропорц. 1119935-462.jpg . При более полном учёте этих эффектов вид 1119935-463.jpg усложняется.

В области низких частот дисперсия 1119935-464.jpg может быть описана с помощью ф-лы (7) и для сильно ангармонич. систем. При этом нужно учесть, что 1119935-465.jpg , и ф-лу (7) можно представить в виде ф-лы Дебая:

1119935-466.jpg

где 1119935-467.jpg- время релаксации. Такая зависимость применима в широком интервале 1119935-468.jpg, когда осн. механизмом поляризации является ориентационный.

1119935-470.jpg

Рис. 3. Зависимость 1119935-471.jpg твёрдого диэлектрика от частоты 1119935-472.jpg поля E.

На рис. 3 изображена зависимость 1119935-469.jpg, характерная для широкого класса твёрдых Д. Выделяется неск. областей дисперсии в разных диапазонах 1119935-473.jpg, что указывает на несколько различных механизмов поляризации. В ионных кристаллах типичные периоды колебаний ионов ~10-13 с. Поэтому область дисперсии 1119935-474.jpg , обусловленная ионной поляризацией, приходится на частоты 1119935-475.jpg~1013 Гц (ИК-диапазон). При более высоких частотах ионы уже не успевают смещаться и весь вклад в поляризацию обусловлен электронами. Характерные периоды колебаний электронов 10-15 с. Эл--магнитные волны на частотах 1119935-476.jpg~1015 Гц (УФ-диапазон) сильно поглощаются, т. е. резко возрастает 1119935-477.jpg. При меньших 1119935-478.jpg (в частности, для видимого света) чистые однородные Д. (в отличие от металлов) прозрачны (наличие примесей и дефектов приводит к появлению электронных уровней в запрещённой зоне Д., а следовательно, к дополнит. поглощению эл--магн. волн определ. частот, что вызывает окраску кристаллов, см. Центры окраски ).В Д. с полярными молекулами характерные времена 1119935-479.jpg установления ориентационной поляризации определяются величиной потенциального барьера U, разделяющего состояния с разл. ориентациями электрич. диполей. Эти времена зависят от температуры:

1119935-480.jpg

Они сравнительно велики, порядка 10-6-10-8 с. Ещё в более низкой области частот может наблюдаться релаксационная дисперсия, обусловленная эфектами и неоднородностями Д. Для нек-рых Д. могут быть существенными более специфич. механизмы дисперсии, напр. связанные с колебаниями под действием поля доменных стенок в сегнетоэлектриках. T. о., изучая зависимость 1119935-481.jpg, можно получить сведения о свойствах Д. и выделить вклад в поляризацию от разл. её механизмов.

Поляризация диэлектриков в отсутствие внешнего электрического поля наблюдается у ряда твёрдых Д. и объясняется особенностями их структуры. В пьезоэлектриках поляризация возникает при определ. деформации кристалла, причём имеет место линейная связь между 1119935-482.jpg и соответств. компонентами тензора напряжений (или деформаций) кристалла в соответствующих направлениях. Пьезоэлектрич. эффект обратим - при наложении электрич. поля E в пьезоэлектриках возникают деформации, пропорциональные E.

У нек-рых Д. поляризация (и связанные с ней электрич. эффекты) возникают при изменении температуры. Это является следствием температурной зависимости спонтанной (самопроизвольной) поляризации, к-рая при неизменной температуре экранируется носителями заряда, и образец становится электрически нейтральным. Вещества, обладающие зависящей от T спонтанной поляризацией, наз. пироэлектриками.

Особой разновидностью пироэлектриков являются сегнетоэлектрики .При нагревании они обычно переходят в непироэлектрич. состояние. Спонтанная поляризация сегнетоэлектриков испытывает более существенные (чем у др. пироэлектриков) изменения под влиянием внеш. воздействий (изменения температуры, механич. напряжений, электрич. поля). Поэтому для сегнетоэлектриков характерны большие значения пироэлектрич. и пьезоэлектрич. коэффициентов и диэлектрич. проницаемости. Кристалл сегнетоэлектрика обычно разбит на домены с разл. направлениями температурно-зависимой части спонтанной поляризации.

Пиро- и пьезоэффекты возможны лишь у кристаллов определённых точечных групп симметрии кристалла.

Электропроводность диэлектриков 1119935-483.jpg мала, однако она всегда отлична от нуля (табл.).

Удельное сопротивление 1119935-484.jpg и электрическая прочность Eпр некоторых твёрдых диэлектриков.


1119935-485.jpg , Ом*см

Епр, В/см

Кварцевое стекло

1016- 1018

2-3*105

Полиэтилен

1015- 1016

4*105

Слюда

1014- 1016

1-2*106

Электрофарфор

1013-1014

3*105

Мрамор

108-109

2-3*105

Носителями заряда в Д. являются электроны и ионы. Электронная проводимость Д. в обычных условиях мала по сравнению с ионной. Ионная проводимость может быть обусловлена перемещением как собств. ионов, так и примесных. Возможность перемещения ионов по кристаллу связана с наличием в них дефектов. Если, напр., в кристаллах есть вакансии, то под действием поля соседний ион может перескочить и заполнить её; во вновь образовавшуюся вакансию может перескочить след. ион и т. д. В итоге происходит движение вакансий, к-рое приводит к переносу заряда через весь кристалл. Перемещение ионов может происходить и в результате перескоков по междоузлиям.

С ростом T ионная проводимость увеличивается, т. к. растёт подвижность ионов, связанная с преодолением потенциальных барьеров при их перескоках под действием тепловой активации. Заметный вклад в электропроводность Д,. может вносить поверхностная проводимость.

Пробой диэлектриков. Электрич. ток в Д. пропорционален напряжённости электрич. поля E. Однако в достаточно сильных полях ток растёт быстрее, чем по закону Ома, и при нек-ром критич. поле Eпр наступает электрич. пробой Д. Величина Епр наз. электрич. прочностью Д. (табл.). При пробое однородное токовое состояние становится неустойчивым и почти весь ток начинает течь по узкому каналу. Плотность тока в этом канале достигает больших значений, что приводит к необратимым изменениям в Д. На рис. 4 приведена зависимость плотности тока j от E, рассчитанная в предположении, что ток однороден по сечению образца. Из рис. видно, что с ростом j величина 1119935-487.jpg , наз. дифференц. сопротивлением, может стать отрицательной (см. Отрицательное дифференциальное сопротивление). Состояние с отрицательным дифференц. сопротивлением является неустойчивым и приводит к образованию канала тока при E1119935-488.jpgEпр (см. Шнурование тока, Пробой электрический).

1119935-486.jpg

Рис. 4. Зависимость плотности тока j от напряжённости электрического поля E в диэлектрике; пунктир соответствует области неустойчивых состояний.


Нелинейные свойства диэлектриков. Линейная зависимость (1) справедлива только для электрич. полей, значительно меньших внутриатомных полей Еа~108 В/см. T. к. обычно Епр1119935-489.jpgEа, то в большинстве Д. не удаётся наблюдать нелинейную зависимость , 1119935-490.jpg в пост. электрич. поле. Исключение составляют сегнетоэлектрики, где в определ. интервале T (в сегнетоэлектрич. фазе и вблизи от точек фазовых переходов) наблюдается сильная нелинейная зависимость.

При высоких частотах электрич. прочность Д. повышается, поэтому нелинейные свойства любых Д. проявляются в высокочастотных полях больших амплитуд. В луче лазера могут быть созданы электрич. поля напряжённостью ~108 В/см. В таких полях становятся существенными нелинейные свойства Д., что позволяет наблюдать преобразование частоты света, самофокусировку света и др. нелинейные эффекты (см. Нелинейная оптика).

Применение. Д. в физ. эксперименте и технике используются прежде всего как электроизоляц. материалы. Для этого необходимы Д. с большими уд. сопротивлением и Епр и с малым углом диэлектрич. потерь1119935-491.jpg. Д. с высокой e используются как конденсаторные материалы (ёмкость конденсатора, заполненного Д., возрастает в 1119935-492.jpg раз). Пьезоэлектрики широко применяются для преобразований звуковых колебаний в электрические и наоборот (приёмники и излучатели звука, см. Пьезоэлектрические преобразователи). Пироэлектрики служат для индикации и измерения интенсивности ИК-излучения. Сегнетоэлектрики применяют для создания нелинейных элементов, входящих в состав разл. радиотехн. устройств (усилители, стабилизаторы частоты и преобразователи электрич. сигналов, схемы регулирования и др.). Чистые Д. прозрачны в оптич. диапазоне. Вводя в Д. примеси, можно окрасить его, сделав непрозрачным для определ. области спектра (фильтры). Диэлектрич. кристаллы используются в квантовой электронике (в лазерах и квантовых усилителях СВЧ и т. д.).

Литература по диэлектрикам

  1. Сканави Г. И., Физика диэлектриков. (Область слабых полей), M.- Л., 1949;
  2. его же, Физика диэлектриков. (Область сильных полей), M., 1958;
  3. Фрелих Г., Теория диэлектриков, пер. с англ., M., 1960;
  4. Хиппель А. Р., Диэлектрики и волны, пер. с англ., M., 1960;
  5. Браун В., Диэлектрики, пер. с англ., M., 1961;
  6. Желудев И.С., Физика кристаллических диэлектриков, M., 1968;
  7. Киттель Ч., Введение в физику твёрдого тела, пер. с англ., M., 1978;
  8. Ашкрофт H., Mермин H., Физика твёрдого тела, пер. с англ., т. 2, M., 1979.

А. П. Леванюк

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что, когда некоторые исследователи, пытающиеся примирить релятивизм и эфирную физику, говорят, например, о том, что космос состоит на 70% из "физического вакуума", а на 30% - из вещества и поля, то они впадают в фундаментальное логическое противоречие. Это противоречие заключается в следующем.

Вещество и поле не есть что-то отдельное от эфира, также как и человеческое тело не есть что-то отдельное от атомов и молекул его составляющих. Оно и есть эти атомы и молекулы, собранные в определенном порядке. Также и вещество не есть что-то отдельное от элементарных частиц, а оно состоит из них как базовой материи. Также и элементарные частицы состоят из частиц эфира как базовой материи нижнего уровня. Таким образом, всё, что есть во вселенной - это есть эфир. Эфира 100%. Из него состоят элементарные частицы, а из них всё остальное. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 18.09.2019 - 12:08: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> ПРОБЛЕМА ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА - Карим_Хайдаров.
18.09.2019 - 06:01: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Л.Г. Ивашова - Карим_Хайдаров.
17.09.2019 - 05:51: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ФАЛЬСИФИКАЦИЯ ИСТОРИИ - Карим_Хайдаров.
17.09.2019 - 05:41: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Тиртхи - Карим_Хайдаров.
16.09.2019 - 18:21: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> ПРОБЛЕМА КРИМИНАЛИЗАЦИИ ЭКОНОМИКИ - Карим_Хайдаров.
16.09.2019 - 03:11: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
14.09.2019 - 18:23: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
13.09.2019 - 09:08: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
12.09.2019 - 17:47: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
12.09.2019 - 16:47: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
08.09.2019 - 03:42: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
07.09.2019 - 07:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Декларация Академической Свободы - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution