Акустоэлектрические домены (звукоэлектрические домены) - области сильного электрич. поля и большой интенсивности низкочастотных акустич. фононов (акустич. шумов) в полупроводнике, возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда (см. Акустоэлектронное взаимодействие).При приложении достаточно сильного электрич. поля к пьезоэлектрич.
полупроводнику акустич. шумы в нём могут существенно усиливаться.
Интегральная интенсивность усиленных шумов может достигать большой
величины, так что изменяются макроскопич. свойства кристалла. Как
правило, при этом электропроводность уменьшается, в результате чего на
области с большой интенсивностью шумов падает значит. часть приложенного
к образцу напряжения.
Т. о., возникает неустойчивость, приводящая к образованию областей
сильного электрич. поля и большой интенсивности шумов - А. д. Уменьшение
электропроводности может быть обусловлено разл. механизмами. Одним из
наиболее важных является акустоэлектрический эффект ,состоящий в увлечении носителей заряда звуковой волной.
В режиме усиления фононы увлекают носители заряда против омич. тока,
что приводит к уменьшению электрич. тока через образец. Уменьшение
электропроводности может быть обусловлено также наличием ловушек,
захватывающих носители заряда.
На опыте наблюдаются как статические, так и движущиеся А. д. Первые, как
правило, образуются в высокоомных материалах (напр., в фотопроводящеи
CdS с уд. сопротивлением ~103-105 Ом*см при
комнатной температуре), вторые - в сравнительно низкоомных материалах
(полупроводящие образцы CdS, GaAs, GaSb, Те, ZnO и др.). Размеры А. д.
обычно составляют 0,1 - 1 мм. Они образуются на неоднородностях образца,
каковыми могут служить и электроды. Статич. А. д., как правило,
возникают вблизи анода, а движущиеся -на аноде исчезают. При наличии
статич. А. д. наблюдается эффект насыщения тока: плотность
тока не зависит от приложенного напряжения и близка к произведению
заряда электрона на концентрацию электронов и скорость звука. При
наличии движущихся А. д., скорости движения к-рых обычно порядка скорости звука, в цепи, содержащей образец, возникают осцилляции тока во времени. Период этих осцилляции
складывается из т. н. времени зарождения (инкубации) А. д., зависящего
от величины электрич. поля, и времени прохождения образца доменом.
Электрич. поле в А. д., в низкоомных материалах может значительно
превышать поле в остальной части образца (до 102 раз); в
высокоомных образцах превышение не столь велико. Распределение электрич.
поля в А. д. изучалось экспериментально как с помощью зондов, так и по
поглощению СВЧ-волн. Спектральное распределение шумов в А. д. изучалось
по Мандельштама - Бриллюэна рассеянию света.
Ю. М. Гальперин