к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Гелий твёрдый

Гелий твёрдый - гелий в кристаллич. состоянии, существует только при достаточно высоких давлениях. Известны три устойчивые кристаллич. модификации 4He: гексагональная плотноупакованная при давлениях выше 25 атм (2,5 МПа); кубическая объёмноцентрированная в узкой области диаграммы состояния 4He, примыкающей к кривой плавления в интервале температур 1,46-1,77 (см. рис. 1 к ст. Гелий жидкий); кубическая гранецентрированная при темп-pax Т>14,9 К и давлениях > 105 МПа (1050 атм). Для твердого гелия характерны низкая плотность (до 0,19 г/см3) и высокая сжимаемость (до 3,5*10-8 Па-1). При исследовании механич. свойств твердого гелия обнаруживает высокую пластичность ,предел текучести при сдвиговых деформациях порядка 103 Па. По оптич. свойствам твердый гелий, как и жидкий гелий,- прозрачная бесцветная среда, показатель преломления к-рой близок к 1 (1,038 при 2,5 МПа), гексагональная плотноупакованная фаза обладает слабым двойным лучепреломлением (ni-n0=+2,8*10-6). Твердый гелий - диэлектрик, электрич. прочность его достигает 107 В/см. К особенностям твердого гелия следует отнести низкие значения Дебая температуры, (до 1119922-122.jpg=25 К) и сравнительно большую роль энгармонизма тепловых колебаний (см. Динамика кристаллической решетки). Кроме того, в твердом гелии, как и в жидком, практически нерастворимы примеси, за исключением лёгкого изотопа гелия 3He.

Большая амплитуда колебаний атомов твердого гелия при T=0 К (нулевых колебаний) приводит к неустойчивости его кристаллич. состояния при давлениях ниже 2,5 МПа. Это обусловливает и др. необычные свойства твердого гелия, что заставляет отнести его к особому классу твёрдых тел - к т. н. квантовым кристаллам, к-рые отличаются прежде всего необычным характером движения точечных дефектов (напр., вакансий). В обычных классич. кристаллах при достаточно низких темп-pax такие дефекты оказываются "замороженными" в определ. положениях в кристаллич. решётке. В твердом гелии из-за большой амплитуды нулевых колебаний атомов отлична от 0 вероятность квантового туннелирования дефекта, напр., из одного узла решётки в соседний узел. Если эта вероятность достаточно велика (как это имеет место в случае вакансий и примесных атомов 3He), то дефект делокализуется, т. е. движется как квазичастица, обладающая определ. энергией и квазиимпульсом (см. Вакансион, Дефектон). Процессы диффузии таких дефектов подчиняются другим закономерностям, чем обычная классическая диффузия (см. Квантовая диффузия).

Квантовые эффекты существ. образом влияют также на поверхностные процессы в кристаллах Не. В частности, при Т<1 К движение межфазной границы между жидким и твёрдым гелием (т. е. рост и плавление кристалла) может происходить практически бездиссипативным образом. Это обеспечивает возможность существования слабо затухающих колебаний поверхности твердого гелия, обусловленных периодич. плавлением и кристаллизацией. Эти т. н. кристаллизационные волны ,во многом аналогичны капиллярным волнам на поверхности жидкости.

Твёрдый 3He также известен в трёх кристаллич. модификациях: объёмноцентрированной кубической при давлениях 2,9-13,5 МПа и темп-pax Т<3,1 К, гексагональной плотноупакованной при более высоких давлениях и темп-pax и гранецентрированной кубической при давлении выше 161 МПа и T1119922-123.jpg18 К. Физ. свойства твёрдого 3He аналогичны свойствам твёрдого 4He. Отличия обусловлены гл. обр. наличием спина I=1/2 у ядра 3He. При не слишком низких темп-pax твёрдый 3He - ядерный парамагнетик с восприимчивостью, подчиняющейся Кюри - Вейса закону (см. Ядерный парамагнетизм ).При Т<1 мК твёрдый 3He - антиферромагнетик. Антиферромагнетизм 3He обусловлен обменным взаимодействием между ядерными спинами (значительно более слабым по сравнению с взаимодействием в жидком 3He). Энтропия твёрдого 3He при Т>1 мК практически постоянна и равна: RIn 2 (где R - газовая постоянная). Это приводит к наличию глубокого минимума на кривой плавления при T=0,32 К. Поэтому кристаллизация 3He при Т<0,32 К в условиях, близких к адиабатическим, вызывает понижение температуры (Померанчука эффект ).Эффект Померанчука лежит в основе одного из наиб. эффективных методов получения температур порядка 1 мК (см. Низкие температуры).

Литература по твердому гелию

  1. Андреев А. Ф., Диффузия в квантовых кристаллах, "УФН", 1976, т. 118, с. 251;
  2. Лоунасмаа О. В., Принципы и методы получения температуры ниже 1 К, пер. с англ., M., 1977;
  3. Квантовые жидкости и кристаллы, [Сб. ст.], пер. с англ., M., 1979;
  4. Кешишев К. О., Паршин А. Я., Бабкин А. В., Кристаллизационные волны в Не4, "ЖЭТФ", 1981, т. 80, с. 716;
  5. Wilks J., The properties of liquid and solid helium, Oxf., 1967.

А. Я. Паршин

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет)
При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 1011 раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов.
Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМА

Форум Рыцари теории эфира


Рыцари теории эфира
 10.11.2021 - 12:37: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:36: СОВЕСТЬ - Conscience -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от д.м.н. Александра Алексеевича Редько - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:35: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вадима Глогера, США - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:18: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> Волновая генетика Петра Гаряева, 5G-контроль и управление - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:18: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ЭКОЛОГИЯ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:16: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМЫ МЕДИЦИНЫ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:15: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Екатерины Коваленко - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:13: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вильгельма Варкентина - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution