Гелий твёрдый - гелий в кристаллич. состоянии, существует только при достаточно высоких
давлениях. Известны
три устойчивые кристаллич. модификации 4He: гексагональная плотноупакованная
при давлениях выше 25 атм (2,5 МПа); кубическая объёмноцентрированная в узкой
области диаграммы состояния 4He, примыкающей к кривой плавления в
интервале температур 1,46-1,77 (см. рис. 1 к ст. Гелий жидкий); кубическая
гранецентрированная при темп-pax Т>14,9 К и давлениях > 105 МПа
(1050 атм). Для твердого гелия характерны низкая плотность (до 0,19 г/см3)
и высокая сжимаемость (до 3,5*10-8 Па-1). При исследовании
механич. свойств твердого гелия обнаруживает высокую пластичность ,предел текучести
при сдвиговых деформациях порядка 103 Па. По оптич. свойствам твердый гелий, как и жидкий гелий,- прозрачная бесцветная среда, показатель преломления
к-рой близок к 1 (1,038 при 2,5 МПа), гексагональная плотноупакованная фаза
обладает слабым двойным лучепреломлением (ni-n0=+2,8*10-6).
Твердый гелий - диэлектрик, электрич. прочность его достигает 107 В/см. К
особенностям твердого гелия следует отнести низкие значения Дебая температуры, (до
=25 К)
и сравнительно большую роль энгармонизма тепловых колебаний (см. Динамика
кристаллической решетки). Кроме того, в твердом гелии, как и в жидком, практически
нерастворимы примеси, за исключением лёгкого изотопа гелия 3He.
Большая амплитуда колебаний атомов твердого гелия при T=0 К (нулевых колебаний) приводит к неустойчивости
его кристаллич. состояния при давлениях ниже 2,5 МПа. Это обусловливает и др.
необычные свойства твердого гелия, что заставляет отнести его к особому классу твёрдых
тел - к т. н. квантовым кристаллам, к-рые отличаются прежде всего необычным
характером движения точечных дефектов (напр., вакансий). В обычных классич.
кристаллах при достаточно низких темп-pax такие дефекты оказываются "замороженными"
в определ. положениях в кристаллич. решётке. В твердом гелии из-за большой амплитуды
нулевых колебаний атомов отлична от 0 вероятность квантового туннелирования
дефекта, напр., из одного узла решётки в соседний узел. Если эта вероятность
достаточно велика (как это имеет место в случае вакансий и примесных атомов
3He), то дефект делокализуется, т. е. движется как квазичастица,
обладающая определ. энергией и квазиимпульсом (см. Вакансион, Дефектон). Процессы диффузии таких дефектов подчиняются другим закономерностям, чем
обычная классическая диффузия (см. Квантовая диффузия).
Квантовые эффекты существ.
образом влияют также на поверхностные процессы в кристаллах Не. В частности,
при Т<1 К движение межфазной границы между жидким и твёрдым гелием
(т. е. рост и плавление кристалла) может происходить практически бездиссипативным
образом. Это обеспечивает возможность существования слабо затухающих колебаний
поверхности твердого гелия, обусловленных периодич. плавлением и кристаллизацией. Эти
т. н. кристаллизационные волны ,во многом аналогичны капиллярным волнам
на поверхности жидкости.
Твёрдый 3He
также известен в трёх кристаллич. модификациях: объёмноцентрированной кубической
при давлениях 2,9-13,5 МПа и темп-pax Т<3,1 К, гексагональной плотноупакованной
при более высоких давлениях и темп-pax и гранецентрированной кубической при
давлении выше 161 МПа и T18
К. Физ. свойства твёрдого 3He аналогичны свойствам твёрдого 4He.
Отличия обусловлены гл. обр. наличием спина I=1/2 у ядра
3He. При не слишком низких темп-pax твёрдый 3He - ядерный
парамагнетик с восприимчивостью, подчиняющейся Кюри - Вейса закону (см.
Ядерный парамагнетизм ).При Т<1 мК твёрдый 3He - антиферромагнетик. Антиферромагнетизм 3He обусловлен обменным взаимодействием между
ядерными спинами (значительно более слабым по сравнению с взаимодействием в
жидком 3He). Энтропия твёрдого 3He при Т>1 мК практически
постоянна и равна: RIn 2 (где R - газовая постоянная). Это приводит
к наличию глубокого минимума
на кривой плавления при T=0,32 К. Поэтому кристаллизация 3He при
Т<0,32 К в условиях, близких к адиабатическим, вызывает понижение температуры
(Померанчука эффект ).Эффект Померанчука лежит в основе одного из наиб.
эффективных методов получения температур порядка 1 мК (см. Низкие температуры).
А. Я. Паршин