Вакансия (от лат. vacans - пустующий, свободный)-дефект кристалла, соответствующий не занятому
частицей узлу кристаллич. решётки. Вакансия, как и др. точечные дефекты, являются
центрами деформации (дилатации): частицы, окружающие вакантный узел, смещаются
относительно положений равновесия (в узлах кристаллич. решётки), что приводит
к появлению внутр. поля напряжений вокруг В. На больших расстояниях r
от вакансии поле напряжений убывает как 1/r3. В объёме совершенного
кристалла одиночные В. появляться и исчезать не могут; источниками (и стоками)
В. служат поверхность кристалла, границы зёрен в поликристалле, дислокации.
Возможны также процессы образования и уничтожения В. в паре с межузельным
атомом (пары Френкеля). Энергия В. зависит от напряжений в кристалле.
В. могут быть как изолированными,
так и входить в состав более сложных образований - связанных состояний неск.
Вакансии (дивакансии, тривакансии и др.), больших вакансионных кластеров и В., связанных
с др. дефектами решётки. В. могут обладать зарядом (напр., В., захватившие электрон,
центры окраски ).В ионных кристаллах относит. концентрации разл. типов
В. определяются требованием электронейтральности кристалла. При равных концентрациях
В. положительных п отрицательных ионов В. наз. Шотки дефектами, а при равных
концентрациях межузельных ионов В. говорят о Френкеля дефектах.
В термодинамич. равновесии
равновесная концентрация вакансий экспоненциально убывает с понижением температуры T. Однако возможны состояния кристалла с "замороженными" В. Вблизи
кривой плавления равновесная концентрация В. обычно достигает 1-2% от числа
атомов. Частицы кристалла, соседние с вакансии, могут совершать термоактивир. скачки
на вакантный узел, что приводит к диффузии В. и является одним из механизмов
самодиффузии частиц в кристаллах. Коэф. диффузии вакансии, как правило, намного больше,
чем у других точечных дефектов, и экспоненциально возрастает с повышением T. Со сравнительно быстрым движением В. в кристалле связаны специфич. вакансионные
механизмы переноса (диффузии) др. дефектов, напр. дислокаций (в направлении,
перпендикулярном плоскости скольжения) и примесей замещения. Наличие В. существенно
влияет на свойства кристалла и физ. процессы (плотность, ионную проводимость,
внутреннее трение ,очистку и отжиг кристалла, рекристаллизацию и
т. д.). В квантовых кристаллах В. представляют собой квазичастицы - вакансионы.
Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет) При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 1011 раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов. Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
