Вакансия (от лат. vacans - пустующий, свободный)-дефект кристалла, соответствующий не занятому
частицей узлу кристаллич. решётки. Вакансия, как и др. точечные дефекты, являются
центрами деформации (дилатации): частицы, окружающие вакантный узел, смещаются
относительно положений равновесия (в узлах кристаллич. решётки), что приводит
к появлению внутр. поля напряжений вокруг В. На больших расстояниях r
от вакансии поле напряжений убывает как 1/r3. В объёме совершенного
кристалла одиночные В. появляться и исчезать не могут; источниками (и стоками)
В. служат поверхность кристалла, границы зёрен в поликристалле, дислокации.
Возможны также процессы образования и уничтожения В. в паре с межузельным
атомом (пары Френкеля). Энергия В. зависит от напряжений в кристалле.
В. могут быть как изолированными,
так и входить в состав более сложных образований - связанных состояний неск.
Вакансии (дивакансии, тривакансии и др.), больших вакансионных кластеров и В., связанных
с др. дефектами решётки. В. могут обладать зарядом (напр., В., захватившие электрон,
центры окраски ).В ионных кристаллах относит. концентрации разл. типов
В. определяются требованием электронейтральности кристалла. При равных концентрациях
В. положительных п отрицательных ионов В. наз. Шотки дефектами, а при равных
концентрациях межузельных ионов В. говорят о Френкеля дефектах.
В термодинамич. равновесии
равновесная концентрация вакансий экспоненциально убывает с понижением температуры T. Однако возможны состояния кристалла с "замороженными" В. Вблизи
кривой плавления равновесная концентрация В. обычно достигает 1-2% от числа
атомов. Частицы кристалла, соседние с вакансии, могут совершать термоактивир. скачки
на вакантный узел, что приводит к диффузии В. и является одним из механизмов
самодиффузии частиц в кристаллах. Коэф. диффузии вакансии, как правило, намного больше,
чем у других точечных дефектов, и экспоненциально возрастает с повышением T. Со сравнительно быстрым движением В. в кристалле связаны специфич. вакансионные
механизмы переноса (диффузии) др. дефектов, напр. дислокаций (в направлении,
перпендикулярном плоскости скольжения) и примесей замещения. Наличие В. существенно
влияет на свойства кристалла и физ. процессы (плотность, ионную проводимость,
внутреннее трение ,очистку и отжиг кристалла, рекристаллизацию и
т. д.). В квантовых кристаллах В. представляют собой квазичастицы - вакансионы.
Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.
Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.
Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.
Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
|
![]() |