Многодолинные полупроводники - полупроводники с гл. экстремумом энергетич. зоны (дном зоны проводимостиили
вершиной валентной зоны
, расположенным в точке импульсного пространства
с(см. Зонная
теория). В этом случае существует не
один, а неск. эквивалентных экстремумов, причём изоэнергетич. поверхности, построенные
вблизи них,- эллипсоиды, переходящие друг в друга при преобразованиях симметрии
Бриллюэна зоны. Окрестности эквивалентных экстремумов с эллипсоидальными
изоэнергетич. поверхностями получили назв. д ОПH н. Энергетич.
спектр такого полупроводника наз. многодолинным. Эллипсоидам соответствует анизотропный
закон дисперсии носителей заряда
, записанный в осях эллипсоида:
где квазиимпульсотсчитывается
от экстремума a-й долины,- гл.
значения тензора обратной эффективной
массы в долине. Если экстремумы расположены на осях симметрии 3-го и 4-го
порядков зоны Бриллюэна, то две из трёх масс совпадают. При этом изоэнергетич.
поверхности - эллипсоиды вращения с осями вращения, совпадающими с осями симметрии
кристалла (рис. 1). Общая изоэнергетич. поверхность
- совокупность эллипсоидов.
В состоянии термодинамич. равновесия носители
заряда распределены поровну между долинами; поэтому в M. п. неск. (по числу
долин) типов носителей. Они имеют одинаковые минимумы (или максимумы) энергии
и в этом смысле эквивалентны. Однако эфф. массы и, следовательно, подвижности
при данном направлении движения носителей различны для разных долин [1].
Анизотропия подвижности не нарушает симметрии
равновесных элсктрич., магн., эл--механич. и др. свойств кристалла, т. к. они
определяются суммарным вкладом всех эквивалентных долин. Напр., в кристаллах
кубич. сингонии электропроводность и постоянная Холла в слабых полях изотропны.
Анизотропные свойства носителей в долинах проявляются при исследовании циклотронного резонанса, частота к-рого где Н - напряжённость магн. поля, е - заряд электрона, те - циклотронная эфф. масса, определяемая в случае эллипсоидальных изоэнергетич. поверхностей соотношением где- продольная эфф. масса (вдоль оси эллипсоида), - поперечная масса, - угол между осью и H. T. к. угол для разл. долин разный, то в разных долинах также различны.
Др. способ идентификации анизотропии носителей
в долинах даёт анизотропия магнетосопротивления. В случае изотропного
закона дисперсии носителей поперечное магнетосопротивление изотропно, а продольное
отсутствует. В M. п. они оба отличны от О и анизотропны, причём характер анизотропии
зависит от расположения долин в зоне Бриллюэна.
Междолинное перераспределение носителей. Эквивалентность
долин может быть нарушена внеш. воздействием, напр, одностороннее сжатие кристалла
вызывает разл. энергетич. смещение эквивалентных максимумов. В результате энергия
носителей в одних долинах увеличивается, в других уменьшается. При этом равновесное
заполнение долин становится неодинаковый, и при относительно налой деформации
можно достичь (при низких темп-pax) заполнения долин только одного типа за счёт
полного опустошения остальных [2].
Перераспределение носителей между долинами можно
получить в сильном электрич. поле, направленном под разл. углами к осям долин.
При этом носители из разных долин "нагреваются" полем по-разному
(см. Горячие электроны)и с разл. скоростью покидают "свои"
долины, переходя в "чужие". Возникающее перезаселение долин приводит
к большим нелинейным восприимчивостям M. п. в сравнительно слабых электрич.
полях. С этим связаны такие эффекты, как анизотропия электропроводности в "греющих"
электрич. полях (см. Сасаки - Шабуйя эффект], нечётное по H
магнитосопротивление (в т. ч. линейное) и чётный по H Холла эффект С .междолинным
перераспределением носителей связаны также специфические для M. п. механизмы
акустоэлектрического эффекта, поглощения звука, электрич. шумов, а также
размерные эффекты [3]. Условия междолинного перераспределения, ответственного
за большую величину этих эффектов: а) редкие переходы носителей из одной долины
в другую по сравнению с внутридолинными переходами; б) слабый энергообмен между
носителями из разных долин (по сравнению с их энергообменом с фононами), достигаемый
при малой концентрации носителей [4].
M. п. с эквивалентными долинами. К ним относятся
три важнейших полупроводника с решёткой алмаза: алмаз, Ge, Si n-типа.
В Ge наинизшие минимумы зоны проводимости находятся на краю зоны Бриллюэна в
L-точках (в точках пересечения осей [111] с границей зоны Бриллюэна,
рис. 2); в окрестностях этих точек образуется 4 долины (L-долины), причём
в пределах зоны Бриллюэна каждая изоэнергетич. поверхность состоит из 8 полуэллипсоидов
вращения. В долинах вдоль осей [111] в
19 раз превышаетВ
алмазе и Si наинизшие экстремумы зоны проводимости располагаются на осях типа
[100] сравнительно
близко к границе зоны Бриллюэна, но не на ней, наинизшими являются 6 долин,
попарно расположенных на осях [100], [010] и [001]. Носители в соосной паре
долин ничем не отличаются друг от друга, такая пара долин может рассматриваться
как одна с удвоенной плотностью состояний, а рассеяние носителей между долинами
пары - как внутридолинное рассеяние.
К M. п. относятся также кристаллы с решёткой
сфалерита: электронные BN, GaP, AlSb. Наинизшие минимумы зоны расположены па
-осях [100],
однако на границе (или почти на границе) зоны Бриллюэна (X-долины). При
расположении минимумов почти на краю зоны (GaP) 2 эллипсоидальные изоэнергетич.
поверхности при незначит. возрастании энергии носителей сливаются в одну неэллипсоидальную
(рис. 3). Многодолинную структуру имеют также PbS, PbSe, PbTe, где электронные
и дырочные долины расположены друг под другом в L-точках, p все
полуметаллы.
Неэквивалентные долины. Термин "М. п."
применяют также к электронным полупроводникам с дном зоны проводимостипри
k = 0 (в центре зоны Брпллюэна Г) в случае, когда в сравнительно малом
энергетич. удалении отесть
более высокие минимумы
(M. п. с неэквивалентными долинами). К таким полупроводникам
относятся GaSb, InP и др. При термодинамич. равновесии все электроны располагаются
вблизи дна зоны проводимости (в изотропной Г-долине). При разогреве носителей
электрич. полем происходит междолинное перезаселение с неравновесным заполнением
более высоких долин, где электроны "тяжелее" и, следовательно, плотность
состояний больше, чем в Г-долине. Следствием такого перезаселения является
(в частности) Ганна эффект ,в основе к-рого лежит N-образный вид
статической вольтамперной характеристики (BAX) M. п. с неэквивалентными долинами.
Падающая ветвь BAX обусловлена "потяжелением" электронов и уменьшением
их подвижности из-за ухода в верхние долины.
Аналог эффекта Ганна наблюдается также и в M. п. с эквивалентными долинами, где BAX при токе в направлении, совпадающем с направлением большой эфф. массы одной из долин ([100] в re-Si и [111] в n-Ge), также имеет падающий участок из-за ухода электронов в эту долину из др. долин, т. к. в них электроны сильнее разогреваются (эффект Рывки на - Кастальского).
3. С. Грибников
Дело в том, что в его постановке и выводах произведена подмена, аналогичная подмене в школьной шуточной задачке на сообразительность, в которой спрашивается:
- Cколько яблок на березе, если на одной ветке их 5, на другой ветке - 10 и так далее
При этом внимание учеников намеренно отвлекается от того основополагающего факта, что на березе яблоки не растут, в принципе.
В эксперименте Майкельсона ставится вопрос о движении эфира относительно покоящегося в лабораторной системе интерферометра. Однако, если мы ищем эфир, как базовую материю, из которой состоит всё вещество интерферометра, лаборатории, да и Земли в целом, то, естественно, эфир тоже будет неподвижен, так как земное вещество есть всего навсего определенным образом структурированный эфир, и никак не может двигаться относительно самого себя.
Удивительно, что этот цирковой трюк овладел на 120 лет умами физиков на полном серьезе, хотя его прототипы есть в сказках-небылицах всех народов всех времен, включая барона Мюнхаузена, вытащившего себя за волосы из болота, и призванных показать детям возможные жульничества и тем защитить их во взрослой жизни. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.