к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Многодолинные полупроводники

Многодолинные полупроводники - полупроводники с гл. экстремумом энергетич. зоны (дном зоны проводимости3031-77.jpgили вершиной валентной зоны 3031-78.jpg , расположенным в точке импульсного пространства с3031-79.jpg(см. Зонная теория). В этом случае существует не один, а неск. эквивалентных экстремумов, причём изоэнергетич. поверхности, построенные вблизи них,- эллипсоиды, переходящие друг в друга при преобразованиях симметрии Бриллюэна зоны. Окрестности эквивалентных экстремумов с эллипсоидальными изоэнергетич. поверхностями получили назв. д ОПH н. Энергетич. спектр такого полупроводника наз. многодолинным. Эллипсоидам соответствует анизотропный закон дисперсии носителей заряда 3031-80.jpg , записанный в осях эллипсоида:


3031-81.jpg


где квазиимпульс3031-82.jpgотсчитывается от экстремума a-й долины,- 3031-83.jpgгл. значения тензора обратной эффективной массы в долине. Если экстремумы расположены на осях симметрии 3-го и 4-го порядков зоны Бриллюэна, то две из трёх масс совпадают. При этом изоэнергетич. поверхности - эллипсоиды вращения с осями вращения, совпадающими с осями симметрии кристалла (рис. 1). Общая изоэнергетич. поверхность 3031-84.jpg - совокупность эллипсоидов.

В состоянии термодинамич. равновесия носители заряда распределены поровну между долинами; поэтому в M. п. неск. (по числу долин) типов носителей. Они имеют одинаковые минимумы (или максимумы) энергии и в этом смысле эквивалентны. Однако эфф. массы и, следовательно, подвижности при данном направлении движения носителей различны для разных долин [1].


3031-85.jpg


Анизотропия подвижности не нарушает симметрии равновесных элсктрич., магн., эл--механич. и др. свойств кристалла, т. к. они определяются суммарным вкладом всех эквивалентных долин. Напр., в кристаллах кубич. сингонии электропроводность и постоянная Холла в слабых полях изотропны.

Анизотропные свойства носителей в долинах проявляются при исследовании циклотронного резонанса, частота к-рого 3031-86.jpg где Н - напряжённость магн. поля, е - заряд электрона, те - циклотронная эфф. масса, определяемая в случае эллипсоидальных изоэнергетич. поверхностей соотношением где3031-88.jpg- продольная эфф. масса (вдоль оси эллипсоида), 3031-89.jpg- поперечная масса, 3031-90.jpg- угол между осью и H. T. к. угол 3031-91.jpg для разл. долин разный, то 3031-92.jpgв разных долинах также различны.



3031-87.jpg



Др. способ идентификации анизотропии носителей в долинах даёт анизотропия магнетосопротивления. В случае изотропного закона дисперсии носителей поперечное магнетосопротивление изотропно, а продольное отсутствует. В M. п. они оба отличны от О и анизотропны, причём характер анизотропии зависит от расположения долин в зоне Бриллюэна.

Междолинное перераспределение носителей. Эквивалентность долин может быть нарушена внеш. воздействием, напр, одностороннее сжатие кристалла вызывает разл. энергетич. смещение эквивалентных максимумов. В результате энергия носителей в одних долинах увеличивается, в других уменьшается. При этом равновесное заполнение долин становится неодинаковый, и при относительно налой деформации можно достичь (при низких темп-pax) заполнения долин только одного типа за счёт полного опустошения остальных [2].

Перераспределение носителей между долинами можно получить в сильном электрич. поле, направленном под разл. углами к осям долин. При этом носители из разных долин "нагреваются" полем по-разному (см. Горячие электроны)и с разл. скоростью покидают "свои" долины, переходя в "чужие". Возникающее перезаселение долин приводит к большим нелинейным восприимчивостям M. п. в сравнительно слабых электрич. полях. С этим связаны такие эффекты, как анизотропия электропроводности в "греющих" электрич. полях (см. Сасаки - Шабуйя эффект], нечётное по H магнитосопротивление (в т. ч. линейное) и чётный по H Холла эффект С .междолинным перераспределением носителей связаны также специфические для M. п. механизмы акустоэлектрического эффекта, поглощения звука, электрич. шумов, а также размерные эффекты [3]. Условия междолинного перераспределения, ответственного за большую величину этих эффектов: а) редкие переходы носителей из одной долины в другую по сравнению с внутридолинными переходами; б) слабый энергообмен между носителями из разных долин (по сравнению с их энергообменом с фононами), достигаемый при малой концентрации носителей [4].

M. п. с эквивалентными долинами. К ним относятся три важнейших полупроводника с решёткой алмаза: алмаз, Ge, Si n-типа. В Ge наинизшие минимумы зоны проводимости находятся на краю зоны Бриллюэна в L-точках (в точках пересечения осей [111] с границей зоны Бриллюэна, рис. 2); в окрестностях этих точек образуется 4 долины (L-долины), причём в пределах зоны Бриллюэна каждая изоэнергетич. поверхность состоит из 8 полуэллипсоидов вращения. В долинах вдоль осей [111] 3031-93.jpgв 19 раз превышает3031-94.jpgВ алмазе и Si наинизшие экстремумы зоны проводимости располагаются на осях типа [100] 3031-95.jpg сравнительно близко к границе зоны Бриллюэна, но не на ней, наинизшими являются 6 долин, попарно расположенных на осях [100], [010] и [001]. Носители в соосной паре долин ничем не отличаются друг от друга, такая пара долин может рассматриваться как одна с удвоенной плотностью состояний, а рассеяние носителей между долинами пары - как внутридолинное рассеяние.


3031-96.jpg


К M. п. относятся также кристаллы с решёткой сфалерита: электронные BN, GaP, AlSb. Наинизшие минимумы зоны расположены па 3031-97.jpg-осях [100], однако на границе (или почти на границе) зоны Бриллюэна (X-долины). При расположении минимумов почти на краю зоны (GaP) 2 эллипсоидальные изоэнергетич. поверхности при незначит. возрастании энергии носителей сливаются в одну неэллипсоидальную (рис. 3). Многодолинную структуру имеют также PbS, PbSe, PbTe, где электронные и дырочные долины расположены друг под другом в L-точках, p все полуметаллы.

Неэквивалентные долины. Термин "М. п." применяют также к электронным полупроводникам с дном зоны проводимости3031-98.jpgпри k = 0 (в центре зоны Брпллюэна Г) в случае, когда в сравнительно малом энергетич. удалении от3031-99.jpgесть более высокие минимумы3031-100.jpg (M. п. с неэквивалентными долинами). К таким полупроводникам относятся GaSb, InP и др. При термодинамич. равновесии все электроны располагаются вблизи дна зоны проводимости (в изотропной Г-долине). При разогреве носителей электрич. полем происходит междолинное перезаселение с неравновесным заполнением более высоких долин, где электроны "тяжелее" и, следовательно, плотность состояний больше, чем в Г-долине. Следствием такого перезаселения является (в частности) Ганна эффект ,в основе к-рого лежит N-образный вид статической вольтамперной характеристики (BAX) M. п. с неэквивалентными долинами. Падающая ветвь BAX обусловлена "потяжелением" электронов и уменьшением их подвижности из-за ухода в верхние долины.

Аналог эффекта Ганна наблюдается также и в M. п. с эквивалентными долинами, где BAX при токе в направлении, совпадающем с направлением большой эфф. массы одной из долин ([100] в re-Si и [111] в n-Ge), также имеет падающий участок из-за ухода электронов в эту долину из др. долин, т. к. в них электроны сильнее разогреваются (эффект Рывки на - Кастальского).

Литература по многодолинным полупроводникам

  1. Ансельм А. И., Введение в теорию полупровод, нпкоа, 2 изд., М., 1978;
  2. Бир Г. Л., Пикус Г. E., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, M., 1972;
  3. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М. 1977
  4. Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б., Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, M., 1984;
  5. Pашба Э. И., Грибников 3. С., Кравченко В. Я., Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах, "УФН", 1976, т. 119, с. 3:
  6. Смит Р., Полупроводники, пер, с англ., 2 изд., М., 1982;
  7. Цидильковский И. M., Зонная структура полупроводников, M., 1978;

3. С. Грибников

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что, как и всякая идолопоклонническая религия, релятивизм ложен в своей основе. Он противоречит фактам. Среди них такие:

1. Электромагнитная волна (в религиозной терминологии релятивизма - "свет") имеет строго постоянную скорость 300 тыс.км/с, абсурдно не отсчитываемую ни от чего. Реально ЭМ-волны имеют разную скорость в веществе (например, ~200 тыс км/с в стекле и ~3 млн. км/с в поверхностных слоях металлов, разную скорость в эфире (см. статью "Температура эфира и красные смещения"), разную скорость для разных частот (см. статью "О скорости ЭМ-волн")

2. В релятивизме "свет" есть мифическое явление само по себе, а не физическая волна, являющаяся волнением определенной физической среды. Релятивистский "свет" - это волнение ничего в ничем. У него нет среды-носителя колебаний.

3. В релятивизме возможны манипуляции со временем (замедление), поэтому там нарушаются основополагающие для любой науки принцип причинности и принцип строгой логичности. В релятивизме при скорости света время останавливается (поэтому в нем абсурдно говорить о частоте фотона). В релятивизме возможны такие насилия над разумом, как утверждение о взаимном превышении возраста близнецов, движущихся с субсветовой скоростью, и прочие издевательства над логикой, присущие любой религии.

4. В гравитационном релятивизме (ОТО) вопреки наблюдаемым фактам утверждается об угловом отклонении ЭМ-волн в пустом пространстве под действием гравитации. Однако астрономам известно, что свет от затменных двойных звезд не подвержен такому отклонению, а те "подтверждающие теорию Эйнштейна факты", которые якобы наблюдались А. Эддингтоном в 1919 году в отношении Солнца, являются фальсификацией. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 04.06.2020 - 22:01: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
04.06.2020 - 19:19: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> ПРОБЛЕМА ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА - Карим_Хайдаров.
04.06.2020 - 13:20: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
04.06.2020 - 06:25: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 19:48: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 19:47: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 19:47: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Пламена Паскова - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 18:55: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 17:03: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Фурсова - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 11:27: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 10:47: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от проф. В.Ю. Катасонова - Карим_Хайдаров.
03.06.2020 - 09:50: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution