к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Горячие электроны

Горячие электроны (горячие дырки) - подвижные носители заряда в полупроводнике или металле, энергетич. распределение к-рых смещено относительно равновесного при данной температуре T в сторону больших энергий (рис. 1). Носители заряда становятся "горячими", напр., при протекании электрич. тока под действием достаточно сильного пост. или перем. электрич. поля: при этом поле ускоряет большее число носителей, чем тормозит, в результате чего всей электронной системе в целом сообщается дополнит. энергия. Рост энергии электронов ограничен передачей энергии горячих электронов фононам при рассеянии электронов на них (см. Рассеяние носителей заряда ).При каждом значении энергии 1119926-269.jpg уменьшение в единицу времени числа 1119926-270.jpg электронов с энергиями, меньшими 1119926-271.jpg, под действием ускоряющего электрич. поля компенсируется (в стационарных условиях) таким же увеличением 1119926-272.jpg под действием рассеяния электронов на фононах. Это равенство определяет вид функции распределения горячих электронов по энергиям.

1119926-274.jpg

Рис. 1. Распределение электронов (в случае невырожденного электронного газа) по энергиям: 1 - равновесная функция распределения (больцмановская); 2 - распределение Г э (при той же концентрации) при рассеянии их на длинноволновых акустич фононах в электрич. поле 1119926-275.jpg 3 - в электрич. поле Е=2Ер ; 4-в электрич. поле E=3Eр (значение равновесной функции распределения при 1119926-276.jpg принято равным 1).

Степень "разогрева" горячих электронов

Степень "разогрева" горячих электронов характеризуется увеличением их ср. энергии 1119926-273.jpg по сравнению с равновесным значением (равным для невырожденного электронного газа 1119926-277.jpg kT). Оно зависит от напряжённости пост. электрич. поля E (или амплитудного значения при перем. поле), подвижности носителей заряда 1119926-278.jpg и скорости передачи энергии фононам. Эта скорость характеризуется временем 1119926-279.jpg релаксации энергии (за время 1119926-280.jpg горячие электроны "остывают" после выключения электрич. поля). Время 1119926-281.jpg определяет также инерционность процесса разогрева горячих электронов в перем. электрич. поле. По порядку величины увеличение энергии равно:

1119926-282.jpg

где е - заряд электрона. Характерная напряжённость Ep поля, при к-рой эффекты разогрева становятся значительными (ср. энергия 1119926-283.jpg увеличивается примерно на kT), равна:

1119926-284.jpg

При темп-pax порядка Дебая температуры 1119926-285.jpgи выше 1119926-286.jpg, когда значительно рассеяние носителей заряда на фононах с энергией порядка1119926-287.jpg (в частности, на оптич. фононах), время релаксации в типичных полупроводниках1119926-288.jpg10-11 с, а характерное поле Eр~103 В/см. Если же 1119926-289.jpg и энергии носителей малы по сравнению с 1119926-290.jpg, то носители заряда не могут ни поглощать, ни испускать оптич. фононы и рассеивают энергию только на длинноволновых акустич. фононах. Из законов сохранения энергии и квазиимпульса следует, что изменение энергии 1119926-291.jpg носителя заряда в одном акте рассеяния (равное энергии фонона частоты 1119926-292.jpg) : 1119926-293.jpg , где 1119926-294.jpg - эффективная масса электрона, s - скорость звука. В типичных случаях 1119926-295.jpg К и, следовательно, 1119926-296.jpg, так что относит. изменение энергии носителя заряда при рассеянии очень мало. Если к тому же 1119926-297.jpg, то вероятность испускания фонона и уменьшения энергии носителя лишь ненамного превосходит вероятность поглощения фонона, при к-ром энергия носителя увеличивается. В этом случае изменение энергии носит диффузионный характер: носитель заряда то испускает, то поглощает фононы. Малое относит. изменение энергии носителя при каждом соударении и малое превышение вероятности испускания фонона над вероятностью его поглощения, т. н. эффекты малой неупругости столкновений с акустич. фононами, приводят к тому, что энергия носителей эффективно рассеивается лишь за большое число столкновений. В результате 1119926-298.jpg, где1119926-299.jpg - время между столкновениями носителей заряда с фононами; подвижность 1119926-300.jpg. Время 1119926-301.jpg достигает 3*10-7 с в InSb n-типа при температуре 4-6 К; характерное электрич. поле в этом случае Eр1119926-302.jpg0,1 В/см.

Электронная температура

Если при низких температурах 1119926-303.jpg частота межэлектронных соударений 1119926-304.jpg , эффективно перераспределяющих энергию между горячими электронами, велика по сравнению с 1119926-305.jpg, то функция распределения горячих электронов по энергии с точностью до малых величин порядка отношения 1119926-306.jpg имеет вид равновесной функции распределения с нек-рой температурой 1119926-307.jpg, к-рую наз. электронной температурой 1119926-308.jpg. Её величина определяется равенством джоулевой мощности и мощности, передаваемой от горячих электронов фононам.

С увеличением электрич. поля растёт как скорость направленного движения (дрейфа) горячих электронов 1119926-309.jpg, так и скорость их хаотич. теплового движения 1119926-310.jpg. При малой неупругости рассеяния на фононах скорость 1119926-311.jpg остаётся большой по сравнению с 1119926-312.jpg даже в сильных полях, что позволяет найти функцию распределения горячих электронов по энергии в аналитич. виде и зависимость 1119926-313.jpg от E. При большой же неупругости 1119926-314.jpg в сильных полях-величины одного порядка и аналитич. решение получить не удаётся.

Отклонения от закона Ома

Основной эффект, в к-ром проявляется разогрев носителей заряда в полупроводниках с ростом электрич. поля,- изменение электропроводности и отклонение вольт-амперной характеристики (BAX) полупроводников от линейной, т. е. от закона Ома (рис. 2). Если электропроводность с ростом поля увеличивается, то BAX наз. суперлинейной, если же падает,- сублинейной.


1119926-315.jpg

Рис. 2. Различные виды вольт-амперных характеристик полупроводников в сильных электрических полях: 1 -линейная (омическая); 2 -сублинейная; 3 - суперлинейная; 4 - N-образная; 5 - S-образная.

Электропроводность может изменяться с полем из-за зависимости подвижности горячих электронов и (или) их концентрации от поля. Эффективная подвижность изменяется из-за того, что время релаксации горячих электронов, как правило, зависит от энергии электронов, к-рая обычно растёт с ростом электрич. поля. При рассеянии горячих электронов на заряж. примеси подвижность увеличивается с полем, а при их рассеянии на фононах-падает. Кроме того, горячие электроны, приобретая достаточно большую энергию, переходят в более высокие долины зоны проводимости (см. Многодолинные полупроводники ),в к-рых их подвижность меньше (механизм Ридли - Уоткинса - Xилсама). Это имеет место в GaAs и InP га-типа и др. полупроводниках в сильных полях.

Концентрация носителей заряда в электрич. поле изменяется из-за ударной генерации электронно-дырочных пар или ударной ионизации примесных атомов, а также из-за изменения скорости рекомбинации носителей заряда или скорости их захвата примесными центрами. Обычно захват электронов происходит положит. ионами. При этом скорость захвата падает с ростом электрич. поля (разогрева) и концентрация электронов проводимости растёт. Если же примесные центры заряжены отрицательно, то электрон, чтобы оказаться захваченным, должен преодолеть энергетич. барьер. Поэтому с ростом электрич. поля и увеличением энергии горячих электронов скорость захвата электронов растёт и концентрация их падает (эффект наблюдается в Ge га-типа с примесями Cu и Au).

При достаточно быстром падении электропроводности с ростом электрич. поля на BAX появляется падающий участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. BAX имеет N-образный вид (наблюдается Ганна эффект ).В тех же случаях, когда электропроводность с полем, наоборот, быстро растёт, BAX может стать S-образной. При этом как следствие возникает шнурование тока в полупроводниках. Если при приближении напряжения к нек-рому критич. значению ток растёт аномально круто, то имеет место электрич. пробой - межзонный или примесный.

Другие эффекты, связанные с разогревом электронов

  1. В сильном электрич. поле электропроводность полупроводников кубич. сингонии становится анизотропной даже в отсутствие магн. поля (в слабых полях она изотропна). Это связано преим. с разной заселённостью горячих электронов долин зоны проводимости.
  2. Изменяются коэфф. диффузии и спектральная плотность флуктуации тока (см. Флуктуации электрические); возникает анизотропия этих величин даже при изотропной зависимости энергии электронов от квазиимпульса (характеристики шума, измеренные вдоль и поперёк тока, разные).
  3. Наблюдается эмиссия горячих электронов в вакуум из ненагретых полупроводников. 4) Возникает эдс при однородной температуре кристалла, но неоднородном разогреве электронов.

Если разогрев электронов мал, но наблюдаем по разл. эффектам, электроны наз. тёплыми.

Носители заряда разогреваются не только пост. током, но также при поглощении ими эл.- магн. излучения. Возникающее при этом изменение электропроводности полупроводника представляет собой один из механизмов фотопроводимости и используется для создания чувствительных приёмников излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Горячие электроны возникают также при генерации носителей заряда светом с энергией фотонов 1119926-316.jpg, превышающей ширину запрещённой зоны 1119926-317.jpg на величину, значительно большую kT, а также (в случае примесных полупроводников) светом с энергией фотонов, существенно превышающей энергию ионизации примесных центров (фоторазогрев). Часть фотоэлектронов, создаваемых в полупроводнике р-типа светом с 1119926-318.jpg , рекомбинирует с дырками (см. Рекомбинация носителей заряда), оставаясь ещё "горячими" (т. е. до термализации). Эта рекомбинация является источником горячей люминесценции.

Литература по горячим электронам

  1. Конуэлл Э., Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях, пер. с англ., M., 1970;
  2. Денис В., Пожела Ю., Горячие электроны, Вильнюс, 1971;
  3. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, M., 1977.

Ш. M. Коган

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, в чем ложность понятия "физический вакуум"?

Физический вакуум - понятие релятивистской квантовой физики, под ним там понимают низшее (основное) энергетическое состояние квантованного поля, обладающее нулевыми импульсом, моментом импульса и другими квантовыми числами. Физическим вакуумом релятивистские теоретики называют полностью лишённое вещества пространство, заполненное неизмеряемым, а значит, лишь воображаемым полем. Такое состояние по мнению релятивистов не является абсолютной пустотой, но пространством, заполненным некими фантомными (виртуальными) частицами. Релятивистская квантовая теория поля утверждает, что, в согласии с принципом неопределённости Гейзенберга, в физическом вакууме постоянно рождаются и исчезают виртуальные, то есть кажущиеся (кому кажущиеся?), частицы: происходят так называемые нулевые колебания полей. Виртуальные частицы физического вакуума, а следовательно, он сам, по определению не имеют системы отсчета, так как в противном случае нарушался бы принцип относительности Эйнштейна, на котором основывается теория относительности (то есть стала бы возможной абсолютная система измерения с отсчетом от частиц физического вакуума, что в свою очередь однозначно опровергло бы принцип относительности, на котором постороена СТО). Таким образом, физический вакуум и его частицы не есть элементы физического мира, но лишь элементы теории относительности, которые существуют не в реальном мире, но лишь в релятивистских формулах, нарушая при этом принцип причинности (возникают и исчезают беспричинно), принцип объективности (виртуальные частицы можно считать в зависимсоти от желания теоретика либо существующими, либо не существующими), принцип фактической измеримости (не наблюдаемы, не имеют своей ИСО).

Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.

Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.

Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.

Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 10.07.2020 - 23:52: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
10.07.2020 - 23:50: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Кирилла Мямлина - Карим_Хайдаров.
10.07.2020 - 16:28: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
10.07.2020 - 16:26: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Пламена Паскова - Карим_Хайдаров.
09.07.2020 - 12:56: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
09.07.2020 - 12:53: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ЗА НАМИ БЛЮДЯТ - Карим_Хайдаров.
09.07.2020 - 09:03: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Игоря Алексеевича Гундарова - Карим_Хайдаров.
09.07.2020 - 07:13: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
09.07.2020 - 07:12: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Владимира Васильевича Квачкова - Карим_Хайдаров.
09.07.2020 - 05:55: Беседка - Chatter -> Записки неверующего - Виктор_Белов.
08.07.2020 - 13:02: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Фурсова - Карим_Хайдаров.
07.07.2020 - 10:01: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Дэвида Айка - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution