Горячая люминесценция - испускание света квантовой системой (молекулой, твёрдым телом), находящейся
в возбуждённом электронном состоянии, в ходе установления теплового равновесия
с окружающей средой (обычная люминесценция происходит при тепловом равновесии
системы с окружающей средой). Г. л. испускается при переходах с высоких электронных
уровней энергии (заселяемых при возбуждении); в обычной люминесценции они играют
существ. роль лишь при высоких темп-pax. Г. л. испускают молекулы (в парах и
в конденсиров. фазе) и экситоны в полупроводниках.
Г. л. молекулярных систем
возникает в процессе колебат. (вращательной) релаксации в возбуждённом электронном
состоянии (рис.). Отношение интенсивностей горячей и обычной люминесценции в
условиях стационарного возбуждения
, где - время
жизни на возбуждённом колебат. уровне (время колебат. релаксации),
- время жизни возбуждённого электронного состояния. Интенсивная Г. л. наблюдается
для ряда свободных молекул в газах, а также у нек-рых двухатомных молекул в
матрицах благородных
газов, где .
Однако большинство молекулярных центров люминесценции в конденсиров.
среде относится к т. н. быстро релаксирующим системам. Для них~10-11-10-12
с, а ~10-8-10-9
с, и Г. л. обычно в 103-104 раз слабее обычной люминесценции.
В отличие от обычной люминесценции в спектрах Г. л. проявляются колебания молекулы
не только в основном, но и в возбуждённом электронном состоянии; кроме того,
спектры Г. л. зависят от длины волны возбуждающего света. Г. л. несёт информацию
о быстро протекающих релаксационных процессах.
Схема уровней центра люминесценции
и квантовых переходов в нём: 1 - при поглощении им возбуждающего излучения,
2 - при обычной люминесценции, 3, 4 - при горячей люминесценции; S0-
основной электронный уровень энергии, S1- возбуждённый электронный
уровень, - колебательные
уровни энергии; волнистой стрелкой показаны переходы при колебательной релаксации.
Г. л. экситонов в полупроводниках
возникает в том случае, когда кинетич. энергия экситонов превышает энергию,
к-рой они обладают в состоянии теплового равновесия при данной температуре кристалла.
Эти т. н. горячие экситоны рождаются в полупроводнике в актах непрямого экситонного
поглощения при переходах в состояния выше дна экситонной зоны. При умеренных
интенсивностях возбуждения (т. е. при небольшой плотности экситонов) релаксация
кинетич. энергии экситонов осуществляется в осн. путём испускания продольных
оптич. фононов (LO-фононов), при этом экситоны релаксируют по квазиуровням
с энергией (где
- частота возбуждающего
света, - частота
оптич. фонона, n - целое число). В процессе релаксации возможны излучательные
переходы с квазиуровней, и в спектре люминесценции наблюдаются максимумы, разделённые
интервалами .
Поскольку процессы LO-релаксации идут весьма быстро (~10-11-10-12
с), интенсивность Г. л. обычно очень мала. Самый низкий уровень экситона, достигаемый
при LO-релаксации, имеет значительно большее время жизни, т. к. дальнейшая
релаксация возможна лишь с участием акустич. фононов и идёт значительно медленнее.
Поэтому Г. л. с нижнего уровня существенно интенсивнее, чем с более высоких
(горячих) уровней экситона.
Исследования Г. л. полупроводников
дают важную информацию о процессах релаксации и распределении экситонов по кинетич.
энергии, а также о роли экситонов разл. типа в процессах переноса энергии.
P. И. Персонов.