Рентгеновские стоячие волны - стоячие волны, возникающие в достаточно толстых монокристаллич.
пластинах при падении на них «жёсткого» рентг. излучения (с длиной волны
~ 5-20 нм) под углом Брэгга (при выполнении Брэгга - Вульфа условий)и
осуществлении в них динамич. дифракции рентгеновских лучей. Метод Р.
с. в.- перспективный метод исследования структуры вещества.
Если на кристалл под углом Брэгга падает плоская волна рентг. излучения
, то в объёме кристалла возникают когерентная суперпозиция этой волны и
дифрагиров. волны
(Е0, Eh - векторы напряжённости электрич.
поля падающей и дифрагиров. волн соответственно, k0,kh
- их волновые векторы, r - радиус-вектор точки наблюдения, w
- круговая частота, t - время, h - kh,
- k0 - вектор обратной решётки, направленный перпендикулярно
отражающим плоскостям, величина
,
d - межплоскостное расстояние, п - порядок отражения).
Интенсивность I(z) поля излучения в Р. с. в. не зависит от t и
равна
где z - координата вдоль вектора обратной решётки,
- фаза комплексного отношения Еh/Е0-
Значения отношения
и фазы
зависят от конкретных условий, в частности от степени выполнения условия
Брэгга - Вульфа и геометрии дифракции. При дифракции в геометрии Лауэ (вектор
h параллелен поверхности кристалла) возникают две Р. с. в., для
к-рых при точном выполнении условий Брэгга - Вульфа
, а фазы
равны нулю и
.
Соответственно в одной волне положения пучностей совпадают с положением
атомных плоскостей (в первом порядке отражения), а во второй - пучности
располагаются между атомными плоскостями.
При дифракции в геометрии Брэгга (вектор h перпендикулярен поверхности
кристалла) в толстом кристалле, полностью поглощающем падающее излучение,
существует одна Р. с. в. Условие
выполняется в нек-рой области углов падения - в т. н. области полного дифракц.
отражения (ПДО), причём фаза
непрерывно меняет своё значение от нуля до
при сканировании через эту область.
Возникновение в кристалле Р. с. в. приводит к существ. изменению всех
процессов взаимодействия рентг. излучения с веществом, в первую очередь
процессов неупругого рассеяния (фотоэлектрич. поглощения, комптоновского
рассеяния, теплового диффузного рассеяния). Эти изменения в свою очередь
приводят к аномальной угл. зависимости интенсивности вылетающих из кристалла
рентг. фотоэлектронов, рентг. флуоресцентного излучения, диффузного излучения,
угл. зависимости рентгено-эдс и др. процессов. Типичные кривые угл. зависимости
коэф. рентг. отражения
(кривая 1)и интенсивности поля излучения на атомных плоскостях
(кривая 2)при дифракции в геометрии Брэгга приведены на рис. Кривая
2 описывается ф-лой (*) при z = 0, т. е. на поверхности кри-сталлич.
пластины. В области полного дифракц. отражения, т. е. когда
,
изменение интенсивности обусловлено только монотонным изменением фазы
от нуля до
.
При этом узлы и пучности Р. с. в. перемещаются на половину межплоскостного
расстояния.
Рентг. излучение при взаимодействии с веществом выбивает электроны в
осн. из внутр. оболочек атомов. Эти электроны сильно локализованы вблизи
атомных ядер и реагируют на наличие поля излучения только вблизи ядра.
Поэтому угл. зависимость поглощения веществом рентг. излучения приближённо
описывается кривой 2. В точке, для к-рой
, поглощение резко уменьшается, что является причиной аномального пропускания
эффекта. Но наиб. ярко этот эффект проявляется в геометрии Лауэ, когда
рентг. пучок падает под большим углом к поверхности кристалла, а коэф.
экспоненциального затухания интенсивности уменьшается в десятки раз.
Возникновение Р. с. в. следует из общей динамич. теории дифракции рентг.
лучей, разработанной П. П. Эвальдом (P. P. Ewald) и Ч. Дарвином (Ch. Darwin)
в нач. 20 в., однако первым косвенным эксперим. доказательством их существования
явилось наблюдение X. Борманом (H. Borrmann) в 1941 эффекта аномального
пропускания. Наиб, прямое доказательство существования Р. с. в.- измерение
выхода вторичных излучений. Первый такой эксперимент был выполнен в 1962
Б. В. Баттерманом (В. W. Battermann), к-рый измерял выход флуоресценции
Ge при
дифракции Мо
-излучения
в кристалле Ge в геометрии Брэгга. Однако ему не удалось получить кривую
2, впервые она была получена в 1970 В. Н. Шепелевым, М. В. Кругловым
и В. П. Прониным при измерении фотоэлектронной эмиссии в монокристаллах
Ge и Si.
Метод Р. с. в. используется для исследования структуры тонких приповерхностных слоев монокристаллов, деформированных в результате внеш. воздействий (диффузии примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания плёнок разл. состава и т. д.). Этим методом изучают также структурное состояние примесных атомов в кристаллах и адсорбиров. слоев на его поверхности, определяют степень аморфизации приповерхностных слоев, измеряют разбухание кристаллич. структуры, приводящее к сдвигу атомных плоскостей по сравнению с исходным положением на малые доли ангстрема.
Ширина угл. области полного дифракц. отражения составляет величину порядка угл. секунды (~0,5*10-5 рад). Поэтому для эфф. развития метода разрабатывается прецизионная гониометрия, аппаратура (см. Рентгеновский гониометр), работающая в автоматич. режиме и управляемая ЭВМ. С помощью этой аппаратуры кристалл можно поворачивать в прямом и обратном направлениях через положение полного дифракц. отражения в течение неск. ч, причём положение кристалла сохраняется с точностью до сотых долей угл. секунды. Разрабатываются также новые эфф. счётчики вторичных излучений. Р. с. в. возникают также при динамич. дифракции др. типов излучений (электронов, нейтронов, ядерного гамма-излучения) с длиной волны ок. 10 нм.
В. Г. Кон
|
![]() |