к библиотеке к оглавлению FAQ по эфирной физике ТОЭЭ ТЭЦ ТПОИ ТИ

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Э Ю Я

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы - общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников - однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p - п - переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению температуры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник - металл, полупроводник - диэлектрик и их сочетания).

Табл. 1. - Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника

Внешнее воздействие	Используемое явление (свойство)	Название прибора	Число электродов
Свет	Пропускание света выше определ. частоты	Оптич. фильтр	0
"	Генерация носителей заряда под действием света	Полупроводниковый лазер с оптич. накачкой
Электронный пучок	Генерация носителей под действием электронов	Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком	-
Электрич. поле E	Электропроводность полупроводника s ток I=s Е	Резистор (сопротивление)	-
"	Ганна эффект	Генератор Ганна	2
Свет частоты w и E		Фотосопротивление (фоторезистор)	2
E и магн. поле н	Магнето резистивный эффект (магнето-сопротивление)	Сопротивление (резистор), управляемое магн. полем	2
"	Холла эффект; V_Н=f(Е,Н)	Датчик Холла	4
Е, темп-pa Т	Зависимость электропроводности полупроводника от температуры; I=s(T)E	Термистор (терморезистор)	2
Е, давление p	Тензорезистивный эффект	Тензодатчик	2

Табл. 2. - Многопереходные полупроводниковые приборы

Внешнее воздействие	Название	Основные особенности	Число электродов
E₁ или Е₂	Биполярный транзистор	Взаимосвязанные р- и n-переходы	3
Е	Диодный тиристор	Четырёхслойная структура p - n - p - n	2
"	Триодный тиристор	p - n - p - n-структура с 1 управляю- щим электродом	3
"	Полевой транзистор с p - n-переходом	Униполярный транзистор с затвором в виде p - n-перехода
"	МДП-диод	Диоды с МДП-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света)	2
"	МДП-транзистор (МДП-триод)	МДП-структура	3

Наряду с П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные схемы - монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготовляются в едином технол. процессе.

Табл. 3 - Полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом, гетеропереходом или переходом металл-диэлектрик

Внешнее воздействие	Используемое явление	Название прибора	Число электродов
Свет	Вентильная фотоэдс	Полупроводниковый фотоэлемент, солнечная батарея	2
E	Вольт-амперная характеристика p - n -перехода	Полупроводниковый диод-выпрямитель	2
"	Зависимость сопротивления p - n-перехода от приложенного напряжения	Варистор (переменное сопротивление)	2
"	Зависимость ёмкости p - n-перехода от приложенного напряжения	Варактор (переменная ёмкость)	2
"	Излучат, рекомбинация электронов и дырок в области гомо- или гетеро- р - n-перехода (спонтанная)	Светоизлучающий диод (электро-люминесцентный диод)	2
"	N -образная вольт-амперная характеристика сильнолегированного (с двух сторон) р- п- перехода (вырождение)	Туннельный диод (усиление и генерирование электрич. колебаний с частотами 10 ТГц)	2
"	Излучат, рекомбинация (вынужденная) в области гомо- или (чаще) гетеро- p - n-переходов	Инжекционный лазер	2
"	Резкое возрастание тока через p - n-переход из за лавинного пробоя и туннелирования	Стабилизатор напряжения	2
"	Генерация колебаний СВЧ, связанная с лавинным умножением и задержкой на время пролёта	Лавинно-пролётный диод (генератор)	2
"	Вольт-амперная характеристика контакта металл - полупроводник	Диод Шоттки, диод Мотта, точечный диод	2
	Генерация электронно- дырочных пар частицей, влетающей в обеднённый носителями слой вблизи контакта полупроводник - металл или вблизи p - n-перехода	Полупроводниковый детектор частиц	"
T	Зеебека эффект	Термопара, термогенератор	"
*E, T*	Пельтье эффект	Холодильник Пельтье	"
Свет, Е	Генерация электронов и дырок в области p - n- перехода под дейстием света	Фотодиод (детектор света и др.)	"

Литература по полупроводниковым приборам

Пасынков В. В., Чиркип Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987;
Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970;
3и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1-2, М., 1984,

к библиотеке к оглавлению FAQ по эфирной физике ТОЭЭ ТЭЦ ТПОИ ТИ

Знаете ли Вы, что "гравитационное линзирование" якобы наблюдаемое вблизи далеких галактик (но не в масштабе звезд, где оно должно быть по формулам ОТО!), на самом деле является термическим линзированием, связанным с изменениями плотности эфира от нагрева мириадами звезд. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМА

Рыцари теории эфира