к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы - общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников - однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p - п - переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению температуры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник - металл, полупроводник - диэлектрик и их сочетания).

Табл. 1. - Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника

Внешнее воздействие

Используемое явление (свойство)

Название прибора

Число

электродов

Свет

Пропускание света выше определ. частоты

Оптич. фильтр

0

"

Генерация носителей заряда под действием света

Полупроводниковый лазер с оптич. накачкой


Электронный пучок

Генерация носителей под действием электронов

Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком


-

Электрич. поле E

Электропроводность полупроводника s ток I=s Е

Резистор (сопротивление)

-

"

Ганна эффект

Генератор Ганна

2

Свет частоты w и E

99-17.jpg

Фотосопротивление (фоторезистор)

2

E и магн. поле н

Магнето резистивный эффект (магнето-сопротивление)

Сопротивление (резистор), управляемое магн. полем

2

"

Холла эффект; VН=f(Е,Н)

Датчик Холла

4

Е, темп-pa Т

Зависимость электропроводности полупроводника от температуры; I=s(T)E

Термистор (терморезистор)

2

Е, давление p

Тензорезистивный эффект

Тензодатчик

2

Табл. 2. - Многопереходные полупроводниковые приборы

Внешнее воздействие

Название

Основные особенности

Число электродов

E1 или Е2


Биполярный транзистор

Взаимосвязанные р- и n-переходы


3

Е



Диодный тиристор



Четырёхслойная

структура p - n - p - n



2

"



Триодный тиристор



p - n - p - n-структура с 1 управляю-

щим электродом



3

"




Полевой транзистор
с p - n-переходом



Униполярный транзистор с затвором
в виде p - n-перехода





"





МДП-диод





Диоды с МДП-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света)





2

"



МДП-транзистор

(МДП-триод)


МДП-структура


3


Наряду с П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные схемы - монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготовляются в едином технол. процессе.

Табл. 3 - Полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом, гетеропереходом или переходом металл-диэлектрик

Внешнее воздействие

Используемое явление

Название прибора

Число электродов

Свет

Вентильная фотоэдс

Полупроводниковый фотоэлемент, солнечная
батарея

2

E


Вольт-амперная характеристика p - n -перехода

Полупроводниковый диод-выпрямитель

2

"

Зависимость сопротивления p - n-перехода от приложенного напряжения

Варистор (переменное сопротивление)




2


"




Зависимость ёмкости
p - n-перехода от приложенного напряжения

Варактор (переменная ёмкость)




2



"





Излучат, рекомбинация
электронов и дырок в
области гомо- или гетеро- р - n-перехода
(спонтанная)

Светоизлучающий диод (электро-люминесцентный диод)





2


"






N -образная вольт-амперная характеристика
сильнолегированного
(с двух сторон) р- п-
перехода (вырождение)


Туннельный диод
(усиление и генерирование
электрич. колебаний с частотами 10 ТГц)






2

"




Излучат, рекомбинация
(вынужденная) в области гомо- или (чаще) гетеро- p - n-переходов

Инжекционный лазер




2



"




Резкое возрастание тока через p - n-переход из
за лавинного пробоя и
туннелирования

Стабилизатор напряжения




2



"





Генерация колебаний
СВЧ, связанная с лавинным умножением и задержкой на время
пролёта

Лавинно-пролётный диод (генератор)





2



"

Вольт-амперная характеристика контакта металл - полупроводник

Диод Шоттки, диод Мотта, точечный диод



2



Генерация электронно-
дырочных пар частицей, влетающей в обеднённый носителями
слой вблизи контакта
полупроводник - металл или вблизи p - n-перехода

Полупроводниковый детектор частиц

"






T


Зеебека эффект


Термопара, термогенератор


"

E, T


Пельтье эффект


Холодильник Пельтье


"

Свет, Е




Генерация электронов и
дырок в области p - n-
перехода под дейстием
света

Фотодиод (детектор света и др.)



"



Литература по полупроводниковым приборам

  1. Пасынков В. В., Чиркип Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987;
  2. Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970;
  3. 3и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1-2, М., 1984,
к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, как разрешается парадокс Ольберса?
(Фотометрический парадокс, парадокс Ольберса - это один из парадоксов космологии, заключающийся в том, что во Вселенной, равномерно заполненной звёздами, яркость неба (в том числе ночного) должна быть примерно равна яркости солнечного диска. Это должно иметь место потому, что по любому направлению неба луч зрения рано или поздно упрется в поверхность звезды.
Иными словами парадос Ольберса заключается в том, что если Вселенная бесконечна, то черного неба мы не увидим, так как излучение дальних звезд будет суммироваться с излучением ближних, и небо должно иметь среднюю температуру фотосфер звезд. При поглощении света межзвездным веществом, оно будет разогреваться до температуры звездных фотосфер и излучать также ярко, как звезды. Однако в дело вступает явление "усталости света", открытое Эдвином Хабблом, который показал, что чем дальше от нас расположена галактика, тем больше становится красным свет ее излучения, то есть фотоны как бы "устают", отдают свою энергию межзвездной среде. На очень больших расстояниях галактики видны только в радиодиапазоне, так как их свет вовсе потерял энергию идя через бескрайние просторы Вселенной. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМА

Форум Рыцари теории эфира


Рыцари теории эфира
 10.11.2021 - 12:37: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:36: СОВЕСТЬ - Conscience -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от д.м.н. Александра Алексеевича Редько - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:35: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вадима Глогера, США - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:18: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> Волновая генетика Петра Гаряева, 5G-контроль и управление - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:18: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ЭКОЛОГИЯ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:16: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМЫ МЕДИЦИНЫ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:15: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Екатерины Коваленко - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:13: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вильгельма Варкентина - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution