Электрическое поле объёмного заряда формирует энергетический барьер
U. Внешнее напряжение V,
приложенное к переходу, изменяет высоту барьера. При этом изменяется
ширина заряженных слоев W (V) и их заряд
элементарный заряд,
N(x) - распределение примеси в слое]. Tаким образом, барьерная
емкость зависит от напряжения V и распределения примеси (на этом
основаны ёмкостный метод определения распределения примеси в р-n-переходе
и применение р - n-переходов в качестве управляемых ёмкостей -
варакторов). В случае симметричного
p-n-перехода с .N=const барьерная емкость определяется формулой
,(1)
где S - площадь перехода,
- диэлектрическая проницаемость полупроводника. Для
:
Вещество и поле не есть что-то отдельное от эфира, также как и человеческое тело не есть что-то отдельное от атомов и молекул его составляющих. Оно и есть эти атомы и молекулы, собранные в определенном порядке. Также и вещество не есть что-то отдельное от элементарных частиц, а оно состоит из них как базовой материи. Также и элементарные частицы состоят из частиц эфира как базовой материи нижнего уровня. Таким образом, всё, что есть во вселенной - это есть эфир. Эфира 100%. Из него состоят элементарные частицы, а из них всё остальное. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.