Электрическое поле объёмного заряда формирует энергетический барьер
U. Внешнее напряжение V,
приложенное к переходу, изменяет высоту барьера. При этом изменяется
ширина заряженных слоев W (V) и их заряд
элементарный заряд,
N(x) - распределение примеси в слое]. Tаким образом, барьерная
емкость зависит от напряжения V и распределения примеси (на этом
основаны ёмкостный метод определения распределения примеси в р-n-переходе
и применение р - n-переходов в качестве управляемых ёмкостей -
варакторов). В случае симметричного
p-n-перехода с .N=const барьерная емкость определяется формулой
,(1)
где S - площадь перехода,
- диэлектрическая проницаемость полупроводника. Для
: