к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Шоттки барьер

Диоды Шотки

Шоттки барьер - потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; исследован В. Шоттки (W. Schottky) в 1939. Для возникновения Ш. б. необходимо, чтобы работы выхода электронов из металла ФM и полупроводника Фп были разными. При контакте полупроводника n-типа проводимости с металлом, имеющим ФМп, металл заряжается отрицательно, а полупроводник - положительно, т. к. электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно (при контакте полупроводника р-типа проводимости с металлом, обладающим ФМп, металл заряжается положительно, а полупроводник - отрицательно). Возникающая при установлении равновесия между металлом и полупроводником контактная разность потенциалов равна: Uк = (ФМп)/е, где е - заряд электрона. Из-за большой электропроводности металла электрич. поле в него не проникает, и разность потенциалов Uк создаётся в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрич. поля в этом слое таково, что энергия осн. носителей заряда в нём больше, чем в толще полупроводника. Это означает, что в полупроводнике n-типа энергетич. зоны в приконтактной области изгибаются вверх, а в полупроводнике p-типа - вниз (рис.). В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом при ФMп для полупроводника n-типа или при ФMп для полупроводника p-типа возникает Ш. б. высотой Фo.

255008-17.jpg

Энергетическая схема контакта металл - полупроводник: а -полупроводник n-типа и металл до сближения; б и в - идеальный контакт металла с полупроводником n- и p-типов; г - реальный контакт металла с полупроводником n-типа; M - металл; П -полупроводник; Д-диэлектрическая прослойка; 255008-18.jpg -уровни энергии электрона у потолка валентной зоны, у дна зоны проводимости и в вакууме; 255008-19.jpg-энергия Ферми; Фп - работа выхода электрона из полупроводника, ФM - из металла; Uк - разность потенциалов в приповерхностном слое полупроводника.

В реальных структурах металл - полупроводник это соотношение не выполняется, т. к. в поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрич. прослойке, часто возникающей между металлом и полупроводником, обычно есть локальные электронные состояния; находящиеся в них электроны экранируют влияние металла так, что внутр. поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями и высота Ш. б. зависит от ФM менее резко, чем это может быть получено из приведённой выше ф-лы. Как правило, наибольшей высотой обладают Ш. б., получаемые нанесением на полупроводник n-типа плёнки Au. На высоту Ш. б. оказывает также влияние сила "электрич. изображения" (см. Шоттки эффект).

Ш. б. обладает выпрямляющими свойствами. Ток через Ш. б. при наложении внеш. электрич. поля создаётся почти целиком осн. носителями заряда. Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объёма к поверхности, в случае полупроводника с высокой подвижностью носителей - током термоэлектронной эмиссии.

Контакты металл - полупроводник с Ш. б. используются в СВЧ-детекторах и смесителях, транзисторах, фотодиодах и др. приборах.

Литература по барьерам Шоттки

  1. Стриха В. И., Бузанева E. В., Радзиевский И. А., Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки, M., 1974;
  2. Стриха В. И., Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник, К., 1974;
  3. Милнс А., Фойхт Д., Гетеропереходы и переходы металл - полупроводник, пер. с англ., M., 1975.

T. M. Лифшиц

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что "гравитационное линзирование" якобы наблюдаемое вблизи далеких галактик (но не в масштабе звезд, где оно должно быть по формулам ОТО!), на самом деле является термическим линзированием, связанным с изменениями плотности эфира от нагрева мириадами звезд. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 20.07.2019 - 05:34: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
20.07.2019 - 05:30: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
20.07.2019 - 05:27: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ЗА НАМИ БЛЮДЯТ - Карим_Хайдаров.
16.07.2019 - 10:00: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
16.07.2019 - 09:58: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
12.07.2019 - 17:46: ФИЗИКА ЭФИРА - Aether Physics -> Понятие времени и эфир - Владимир_Афонин.
11.07.2019 - 07:14: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
11.07.2019 - 06:57: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
07.07.2019 - 09:52: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> ПРОБЛЕМА ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА - Карим_Хайдаров.
03.07.2019 - 05:38: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
27.06.2019 - 10:01: СЕЙСМОЛОГИЯ - Seismology -> Запасы воды под Землёй - Карим_Хайдаров.
27.06.2019 - 10:00: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМА ПРЕСНОЙ ВОДЫ - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution