к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Шоттки барьер

Диоды Шотки

Шоттки барьер - потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; исследован В. Шоттки (W. Schottky) в 1939. Для возникновения Ш. б. необходимо, чтобы работы выхода электронов из металла ФM и полупроводника Фп были разными. При контакте полупроводника n-типа проводимости с металлом, имеющим ФМп, металл заряжается отрицательно, а полупроводник - положительно, т. к. электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно (при контакте полупроводника р-типа проводимости с металлом, обладающим ФМп, металл заряжается положительно, а полупроводник - отрицательно). Возникающая при установлении равновесия между металлом и полупроводником контактная разность потенциалов равна: Uк = (ФМп)/е, где е - заряд электрона. Из-за большой электропроводности металла электрич. поле в него не проникает, и разность потенциалов Uк создаётся в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрич. поля в этом слое таково, что энергия осн. носителей заряда в нём больше, чем в толще полупроводника. Это означает, что в полупроводнике n-типа энергетич. зоны в приконтактной области изгибаются вверх, а в полупроводнике p-типа - вниз (рис.). В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом при ФMп для полупроводника n-типа или при ФMп для полупроводника p-типа возникает Ш. б. высотой Фo.

255008-17.jpg

Энергетическая схема контакта металл - полупроводник: а -полупроводник n-типа и металл до сближения; б и в - идеальный контакт металла с полупроводником n- и p-типов; г - реальный контакт металла с полупроводником n-типа; M - металл; П -полупроводник; Д-диэлектрическая прослойка; 255008-18.jpg -уровни энергии электрона у потолка валентной зоны, у дна зоны проводимости и в вакууме; 255008-19.jpg-энергия Ферми; Фп - работа выхода электрона из полупроводника, ФM - из металла; Uк - разность потенциалов в приповерхностном слое полупроводника.

В реальных структурах металл - полупроводник это соотношение не выполняется, т. к. в поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрич. прослойке, часто возникающей между металлом и полупроводником, обычно есть локальные электронные состояния; находящиеся в них электроны экранируют влияние металла так, что внутр. поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями и высота Ш. б. зависит от ФM менее резко, чем это может быть получено из приведённой выше ф-лы. Как правило, наибольшей высотой обладают Ш. б., получаемые нанесением на полупроводник n-типа плёнки Au. На высоту Ш. б. оказывает также влияние сила "электрич. изображения" (см. Шоттки эффект).

Ш. б. обладает выпрямляющими свойствами. Ток через Ш. б. при наложении внеш. электрич. поля создаётся почти целиком осн. носителями заряда. Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объёма к поверхности, в случае полупроводника с высокой подвижностью носителей - током термоэлектронной эмиссии.

Контакты металл - полупроводник с Ш. б. используются в СВЧ-детекторах и смесителях, транзисторах, фотодиодах и др. приборах.

Литература по барьерам Шоттки

  1. Стриха В. И., Бузанева E. В., Радзиевский И. А., Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки, M., 1974;
  2. Стриха В. И., Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник, К., 1974;
  3. Милнс А., Фойхт Д., Гетеропереходы и переходы металл - полупроводник, пер. с англ., M., 1975.

T. M. Лифшиц

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что только в 1990-х доплеровские измерения радиотелескопами показали скорость Маринова для CMB (космического микроволнового излучения), которую он открыл в 1974. Естественно, о Маринове никто не хотел вспоминать. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 14.10.2019 - 03:09: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Марины Мелиховой - Карим_Хайдаров.
13.10.2019 - 18:09: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Светланы Вислобоковой - Карим_Хайдаров.
13.10.2019 - 08:25: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
13.10.2019 - 08:05: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Декларация Академической Свободы - Карим_Хайдаров.
13.10.2019 - 08:03: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биохимия мозга от проф. С.В. Савельева и не только - Карим_Хайдаров.
12.10.2019 - 07:03: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Константина Сёмина - Карим_Хайдаров.
11.10.2019 - 08:59: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
11.10.2019 - 06:24: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
11.10.2019 - 03:57: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ЗА НАМИ БЛЮДЯТ - Карим_Хайдаров.
11.10.2019 - 03:33: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ЭКОЛОГИЯ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
11.10.2019 - 03:22: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Глобальное потепление - миф или... миф? - Карим_Хайдаров.
09.10.2019 - 19:01: ТЕОРЕТИЗИРОВАНИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ - Theorizing and Mathematical Design -> ФУТУРОЛОГИЯ - прогнозы на будущее - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution