Ионные суперпроводники (твёрдые электролиты) - вещества, обладающие в
твёрдом состоянии высокой ионной проводимостью s, сравнимой с проводимостью
жидких электролитов и расплавов солей (10-1-10-3 Ом-1 см-1). И. с. можно разделить на 2 типа. 1) Ионные кристаллы
,способные находиться в зависимости от температуры в двух состояниях, из
к-рых низкотемпературное характеризуется малой проводимостью (диэлектрик
или полупроводник),
а высокотемпературное - аномально высокой ионной проводимостью
(суперионное состояние). Суперионное состояние обнаружено, напр., у Ag2S, Agl, AgBr, CuBr, Cu2S, CuCl, RbAg4I5, в к-рых мигрирует металлич. катион (рис. 1).
Соединения с большой концентрацией примесных ионов: окисные твёрдые растворы типа МO2-М''О и МО2-М'2O3, где М-Zr, Hf, Ge; М'-Са, Sr, Ba; М''-S, Y, лантаноиды (носители заряда ионы кислорода О-); глинозёмы, напр. Na2O.11A12O3 (b-глинозём, мигрирует Na по плоскостям, лежащим между блоками А12O3)
и др. И. с. иногда наз. также стёкла и ионнообменные смолы, обладающие
заметной ионной проводимостью благодаря наличию электроактивных добавок.
Определяющим свойством кристаллич. И. с. является полная или частичная
разупорядоченность подрешётки атомов одного сорта в упорядоченной
структуре остальных атомов. Наглядным образом И. с. является
жесткокристаллич. каркас (матрица), пропитанный "ионной жидкостью". Для
И. с. характерна рыхлость структуры с большим числом свободных позиций
для подвижных
Рис. 2. Структура Agl в суперионной фазе (при Т>147 °С). В элементарной ячейке 2 иона проводимости Ag+ статистически распределены по 42 разрешённым позициям 3 типов.
ионов. Разрешённые позиции в совокупности образуют одно-, двух- или
трёхмерную сетку проводящих каналов (рис. 2). Подвижные ионы могут
занимать несколько положений в элементарной ячейке и легко мигрировать
между ними и, следовательно, по всей кристаллич. решётке матрицы.
Движение ионов проводимости в кристалле является сложным и сочетает в
себе колебания ионов в потенциальных ямах и диффузионные перескоки из одного положения равновесия в другое. При этом время осцилляции
в потенциальной я.ме и время пролёта над барьером имеют одинаковый
порядок. Кроме того, возбуждения системы подвижных ионов сильно связаны с
колебаниями матрицы.
Фазовый переход из одного состояния в другое сопровождается
скачкообразным разупорядочением одной из подрешёток. Др. подрешётка
(матрица) может претерпевать при этом структурные изменения, сохраняя,
однако, жёсткость. У нек-рых И. с. не найдена диэлектрич. фаза
(теоретически допустимо существование И. с., у к-рых одна из подрешёток
разупорядочена вплоть до Т=0К). Одновременно с переходом в
суперионное состояние наблюдаются аномалии в температурных зависимостях
термодинамич. и кинетич. характеристик.
Механизмы переноса заряда И. с. многообразны. Проводимость может быть собственной
или примесной, чисто ионной, вакансионной или смешанной. Чаще всего она
осуществляется ионами малого радиуса элементов первой группы периодич.
системы (Н + , Li + , Na+, Ag+ и др.), а также катионами с большим зарядом (Са2+, Nd2+), анионами (Fe2-, O2-), кластерными ионами (NH+4, ОН-). Катионные проводники более распространены и важны ввиду больших значений о при темп-pax T~300 К.
Ионная проводимость И. с. может обладать анизотропией. Для нек-рых И. с. показатель анизотропии достигает 103-104. Электронная проводимость у них обычно гораздо меньше ионной, хотя у нек-рых И. с. (напр., Ag2S) она имеет сопоставимое значение.
Рис. 3. Зависимость ионной проводимости s ионных суперпроводников и обычных ионных кристаллов (диэлектриков) от температуры Т.
С высокой ионной проводимостью И. с. связаны большие значения коэф. диффузии D подвижных ионов (D~10-5 см2/с) в сравнении с D~10-8см2/с для обычных твёрдых тел вблизи температуры плавления. Проводимость и диффузия И. с. имеют термоактивационный характер: Здесь Es~ ED~0,1 эВ - энергия активации, на порядок величины меньшая энергии образования дефектов в обычных ионных кристаллах. На рис. 3 приведены зависимости s(T) для И. с. в сравнении s(Т) диэлектриков; видно резкое различие в величинах s и Es (наклон кривых). Ионная проводимость определяет электрич. свойства И. с. до частот порядка 1012 Гц. В области оптич. частот И. с. ведут себя как полупроводники или диэлектрики. И. с. используются при создании источников тока (батарей, аккумуляторов, топливных элементов), конденсаторов (ионистеров) с большой уд. ёмкостью, в выпрямляющих устройствах, реле времени, при конструировании разнообразных датчиков и т. д.
А. А. Волков, Ю. Я. Гуревич