Ионные суперпроводники (твёрдые электролиты) - вещества, обладающие в
твёрдом состоянии высокой ионной проводимостью s, сравнимой с проводимостью
жидких электролитов и расплавов солей (10-1-10-3 Ом-1 см-1). И. с. можно разделить на 2 типа. 1) Ионные кристаллы
,способные находиться в зависимости от температуры в двух состояниях, из
к-рых низкотемпературное характеризуется малой проводимостью (диэлектрик
или полупроводник),
а высокотемпературное - аномально высокой ионной проводимостью
(суперионное состояние). Суперионное состояние обнаружено, напр., у Ag2S, Agl, AgBr, CuBr, Cu2S, CuCl, RbAg4I5, в к-рых мигрирует металлич. катион (рис. 1).
Соединения с большой концентрацией примесных ионов: окисные твёрдые растворы типа МO2-М''О и МО2-М'2O3, где М-Zr, Hf, Ge; М'-Са, Sr, Ba; М''-S, Y, лантаноиды (носители заряда ионы кислорода О-); глинозёмы, напр. Na2O.11A12O3 (b-глинозём, мигрирует Na по плоскостям, лежащим между блоками А12O3)
и др. И. с. иногда наз. также стёкла и ионнообменные смолы, обладающие
заметной ионной проводимостью благодаря наличию электроактивных добавок.
Определяющим свойством кристаллич. И. с. является полная или частичная
разупорядоченность подрешётки атомов одного сорта в упорядоченной
структуре остальных атомов. Наглядным образом И. с. является
жесткокристаллич. каркас (матрица), пропитанный "ионной жидкостью". Для
И. с. характерна рыхлость структуры с большим числом свободных позиций
для подвижных
Рис. 2. Структура Agl в суперионной фазе (при Т>147 °С). В элементарной ячейке 2 иона проводимости Ag+ статистически распределены по 42 разрешённым позициям 3 типов.
ионов. Разрешённые позиции в совокупности образуют одно-, двух- или
трёхмерную сетку проводящих каналов (рис. 2). Подвижные ионы могут
занимать несколько положений в элементарной ячейке и легко мигрировать
между ними и, следовательно, по всей кристаллич. решётке матрицы.
Движение ионов проводимости в кристалле является сложным и сочетает в
себе колебания ионов в потенциальных ямах и диффузионные перескоки из одного положения равновесия в другое. При этом время осцилляции
в потенциальной я.ме и время пролёта над барьером имеют одинаковый
порядок. Кроме того, возбуждения системы подвижных ионов сильно связаны с
колебаниями матрицы.
Фазовый переход из одного состояния в другое сопровождается
скачкообразным разупорядочением одной из подрешёток. Др. подрешётка
(матрица) может претерпевать при этом структурные изменения, сохраняя,
однако, жёсткость. У нек-рых И. с. не найдена диэлектрич. фаза
(теоретически допустимо существование И. с., у к-рых одна из подрешёток
разупорядочена вплоть до Т=0К). Одновременно с переходом в
суперионное состояние наблюдаются аномалии в температурных зависимостях
термодинамич. и кинетич. характеристик.
Механизмы переноса заряда И. с. многообразны. Проводимость может быть собственной
или примесной, чисто ионной, вакансионной или смешанной. Чаще всего она
осуществляется ионами малого радиуса элементов первой группы периодич.
системы (Н + , Li + , Na+, Ag+ и др.), а также катионами с большим зарядом (Са2+, Nd2+), анионами (Fe2-, O2-), кластерными ионами (NH+4, ОН-). Катионные проводники более распространены и важны ввиду больших значений о при темп-pax T~300 К.
Ионная проводимость И. с. может обладать анизотропией. Для нек-рых И. с. показатель анизотропии достигает 103-104. Электронная проводимость у них обычно гораздо меньше ионной, хотя у нек-рых И. с. (напр., Ag2S) она имеет сопоставимое значение.
Рис. 3. Зависимость ионной проводимости s ионных суперпроводников и обычных ионных кристаллов (диэлектриков) от температуры Т.
С высокой ионной проводимостью И. с. связаны большие значения коэф. диффузии D подвижных ионов (D~10-5 см2/с) в сравнении с D~10-8см2/с для обычных твёрдых тел вблизи температуры плавления. Проводимость и диффузия И. с. имеют термоактивационный характер: Здесь Es~ ED~0,1 эВ - энергия активации, на порядок величины меньшая энергии образования дефектов в обычных ионных кристаллах. На рис. 3 приведены зависимости s(T) для И. с. в сравнении s(Т) диэлектриков; видно резкое различие в величинах s и Es (наклон кривых). Ионная проводимость определяет электрич. свойства И. с. до частот порядка 1012 Гц. В области оптич. частот И. с. ведут себя как полупроводники или диэлектрики. И. с. используются при создании источников тока (батарей, аккумуляторов, топливных элементов), конденсаторов (ионистеров) с большой уд. ёмкостью, в выпрямляющих устройствах, реле времени, при конструировании разнообразных датчиков и т. д.
А. А. Волков, Ю. Я. Гуревич
Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.
Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.
Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.
Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.