и абс. температуру Т:
Собственная проводимость - проводимость полупроводника, обусловленная
электронами, возбуждёнными из валентной зоны в зону проводимости и дырками,
образовавшимися в валентной зоне. Концентрации ni таких
(зонных) электронов н дырок равны, и их можно выразить через эфф. плотности
состояний в зоне проводимости (Nc)и в валентной зоне
(Nv), ширину запрещённой зоны
и абс. температуру Т:
Т. к. проводимость
полупроводника пропорциональна концентрации свободных носителей заряда
и их подвижности
,
то в пренебрежении слабыми степенными зависимостями Nc, Nvи
от температуры для собств. полупроводников можно получить соотношение:
При наличии примесей, обусловливающих примесную проводимость полупроводника,
С. п. можно наблюдать в диапазоне изменения температуры полупроводника,
в к-ром зависимость
линейна.
|
|
 |
