в
нек-рых твёрдых телах вблизи края оптич. поглощения, т. е. в области частот
где
-частота
света, 
-ширина
запрещённой зоны. У. п. имеет вид Урбаха правило - экспоненциальная частотная зависимость коэф. поглощения света в
нек-рых твёрдых телах вблизи края оптич. поглощения, т. е. в области частот
где-частота
света, -ширина
запрещённой зоны. У. п. имеет вид
Здесь Т-абс. темп-pa
выше нек-рого критич. значения Т0;
-постоянная,
-медленно
меняющаяся функция частоты.
В большинстве кристаллов
вблизи края оптич. поглощения имеет место степенная зависимость коэф. поглощения
света от частоты (см. Спектры кристаллов ).Экспоненц. зависимость 
была найдена эмпирически при исследовании поглощения света в ионных кристаллах. У. п. обусловлено взаимодействием электронов с фононами .Чтобы совершить
межзонный переход, электрон должен получить энергию 
её часть, равную 
электрон получает непосредственно от фотона, а дефицит 
-
hw покрывается фононами. При этом правая часть соотношения (*) приближённо
воспроизводит вероятность многофононного перехода. Соотношение (*) выполняется
и в сильнолегированных полупроводниках, но лишь при достаточно высокой
температуре (в GaAs при Т>= 100 К). При низких температурах 
перестаёт зависеть от Т. Вместо этого она становится зависящей от концентрации
примесей, возрастая вместе с ней. В этом случае имеет место аналог Келдыша
- Франца эффекта, при к-ром сдвиг края поглощения происходит под действием
не внеш. электрич. поля, а пространственно неоднородного случайного поля примесей.
Последнее приводит к появлению экспоненц. "хвостов" плотности состояний
в запрещённой зоне. У. п. описывает также поглощение света в аморфных полупроводниках.
М. Эпштейн
|
|
 |
