Урбаха правило - экспоненциальная частотная зависимость коэф. поглощения света в
нек-рых твёрдых телах вблизи края оптич. поглощения, т. е. в области частот
где-частота
света, -ширина
запрещённой зоны. У. п. имеет вид
Здесь Т-абс. темп-pa
выше нек-рого критич. значения Т0;-постоянная,-медленно
меняющаяся функция частоты.
В большинстве кристаллов вблизи края оптич. поглощения имеет место степенная зависимость коэф. поглощения света от частоты (см. Спектры кристаллов ).Экспоненц. зависимость была найдена эмпирически при исследовании поглощения света в ионных кристаллах. У. п. обусловлено взаимодействием электронов с фононами .Чтобы совершить межзонный переход, электрон должен получить энергию её часть, равную электрон получает непосредственно от фотона, а дефицит - hw покрывается фононами. При этом правая часть соотношения (*) приближённо воспроизводит вероятность многофононного перехода. Соотношение (*) выполняется и в сильнолегированных полупроводниках, но лишь при достаточно высокой температуре (в GaAs при Т>= 100 К). При низких температурах перестаёт зависеть от Т. Вместо этого она становится зависящей от концентрации примесей, возрастая вместе с ней. В этом случае имеет место аналог Келдыша - Франца эффекта, при к-ром сдвиг края поглощения происходит под действием не внеш. электрич. поля, а пространственно неоднородного случайного поля примесей. Последнее приводит к появлению экспоненц. "хвостов" плотности состояний в запрещённой зоне. У. п. описывает также поглощение света в аморфных полупроводниках.
М. Эпштейн