Блоха стенка (блоховская стенка, блоховская доменная граница) - в широком смысле - область (слой) внутри
магнитоупорядоченного вещества (ферромагнетика, ферримагнетика или слабого ферромагнетика),
разделяющая смежные домены .Внутри этой области происходит поворот вектора
намагниченности M от его направления в одном домене к направлению
в соседнем домене (см. Магнитная доменная структура).
Поворот осуществляется
при продвижении вдоль нормали к поверхности разделяющего слоя таким образом,
что нормальная составляющая M остаётся непрерывной, т. е.
на поверхности Блоха стенки не возникают магни-тостатич. полюсы. Этим Блоха стенки
существенно отличается от др. доменных стенок, напр. неелевских (см. Доменная стенка ).Впервые
понятие о доменной стенке (в более узком смысле) ввёл Ф. Блох (F. Bloch, 1932),
он рассмотрел слой ферромагнетика между соседними доменами, в пределах к-рого
вектор M поворачивается на 180°, оставаясь параллельным плоскости
слоя (180-
Схематическое
изображение поворота вектора намагниченности М в 180-градусной
блоховской стенке толщиной
Плоскость стенки перпендикулярна оси x.
градусная Блоха стенка, см. рис.).
Определённые в более широком смысле Блоха стенки могут быть 90-градусными (напр., в
Fe), 71- и 109-градусными (напр., в Ni) и др. Для сохранения непрерывности нормальной
составляющей M при переходе через Блоха стенки в ряде случаев [напр.,
90-градусные Блоха стенки в Fe, параллельные плоскости типа (111)] вектор M описывает
поверхность кругового конуса.
Образование Блоха стенки влечёт
за собой увеличение плотности обменной энергии и энергии анизотропии. Чем уже
переходный слой, тем больше обменная энергия и меньше энергия анизотропии на
его создание. В результате конкуренции обменного взаимодействия и магнитной
анизотропии устанавливается равновесное распределение вектора M
внутри Блоха стенки (микроструктура Блоха стенки).
В магнетиках с одноосной
магн. анизотропией Блоха стенки является 180-градусной и поворот в ней вектора M описывается ф-лой где
- угол между
M и осью лёгкого намагничивания, х - расстояние вдоль нормали
к Блоха стенке, A - параметр обменного взаимодействия, К - константа
анизотронии. Два знака ()
в ф-ле соответствуют двум типам Блоха стенки (Блоха стенки с противоположной полярностью),
отличающимся направлением поворота M по часовой стрелке и против
неё (право- и левовращающие относительно нормали к Блоха стенке).
Расстояние вдоль нормали к Блоха стенке, на к-ром осуществляется поворот вектора M, наз.
толщиной Блоха стенки. Толщину 180-градусной стенки принимают равной
.
Плотность энергии Блоха стенки .
Для Со А = 2,1*10-11 Дж/м, К = 9*105 Дж/м3,
150 и =4*10-3
Дж/м2.
В магнитомногоосном кристалле
на микроструктуру Блоха стенки может влиять магнитоупругое взаимодействие ,а
в тонких плёнках - диполъ-диполъное взаимодействие.
В тонких плёнках магнитных микроструктура
Блоха стенки более сложная, в частности распределение M
может быть асимметричным относительно плоскости, нормальной к поверхности плёнки.
Возможна также стыковка двух Блоха стенок с разной полярностью, что ведёт к образованию
т. н. стенки с переменной полярностью. Переходный слой, образующийся в области
стыковки, наз. блоховской линией (см. Блоха линия).
Блоха стенки обладают инерционными свойствами, им приписывают эффективную массу.
Б. H. Филиппов