Контактная разность потенциалов - разность потенциалов, возникающая между находящимися в электрич. контакте
проводниками в условиях тер-модинамич. равновесия. Между двумя проводниками,
приведёнными в соприкосновение, происходит обмен электронами, в результате чего
они заряжаются (проводник с меньшей работой выхода положительно, а с большей
- отрицательно) до тех пор, пока потоки электронов в обоих направлениях не уравновесятся
и во всей системе уровень эл--хим. потенциала (ферми-уровенъ)станет
одинаковым. Установившаяся К. р. п. равна разности работ выхода проводников,
отнесённой к заряду электрона.
Если составить электрич.
цепь из неск. разл. проводников, то К. р. п. между крайними проводниками определяется
только их работами выхода и не зависит от промежуточных членов цепи (правило
Вольта) К. р. п. может достигать неск. В. Она зависит от строения проводника
(его объёмных электронных свойств) и от состояния его поверхности. Поэтому К.
р. п можно изменять обработкой поверхностей (покрытия ми, адсорбцией и т. п.),
введением примесей (для полупроводников) и сплавлением с др. веществами (в случае
металлов).
Электрич. поле К. р. п.,
создаваемое приконтактным объёмным зарядом, сосредоточено вблизи границы раздела
и в зазоре между проводниками. Протяжённость приконтактной области тем меньше,
чем больше концентрации электронов проводимости в проводниках: в металлах
см, в полупроводниках до
см. При контакте полупроводника с металлом практически вся область приконтактного
поля локализована в полупроводнике.
Электрич. поле К. р. п.
изменяет концентрации свободных носителей заряда (электронов, дырок) в при-контактном
слое. Когда концентрация осн. носителей заряда в полупроводниках понижается,
приконтактный слой представляет собой область повыш. сопротивления (запирающий
слой). Т. к. концентрация носителей и, следовательно, сопротивление контакта
изменяются несимметрично в зависимости от знака приложенного напряжения, то
контакт двух полупроводников обладает вентильным (выпрямляющим) свойством. С
К. р. п. связаны также вентильная фотоэдс, термоэлектричество и ряд др. электронных
явлений. На существовании
К. р. п. основана работа важнейших элементов полупроводниковой электроники: р - n-переходов и контактов металл-полупроводник. Учёт К. р. п. важен при конструировании электровакуумных приборов. В электронных лампах К. р. п. влияет на вид вольт-амперных характеристик. При прямом преобразовании тепловой энергии в электрическую в термоэмиссионном преобразователе создаётся напряжение как раз порядка К. р. п. (см. также Полупроводники).
В. Б. Сандомирский
Понятие же "физического вакуума" в релятивистской квантовой теории поля подразумевает, что во-первых, он не имеет физической природы, в нем лишь виртуальные частицы у которых нет физической системы отсчета, это "фантомы", во-вторых, "физический вакуум" - это наинизшее состояние поля, "нуль-точка", что противоречит реальным фактам, так как, на самом деле, вся энергия материи содержится в эфире и нет иной энергии и иного носителя полей и вещества кроме самого эфира.
В отличие от лукавого понятия "физический вакуум", как бы совместимого с релятивизмом, понятие "эфир" подразумевает наличие базового уровня всей физической материи, имеющего как собственную систему отсчета (обнаруживаемую экспериментально, например, через фоновое космичекое излучение, - тепловое излучение самого эфира), так и являющимся носителем 100% энергии вселенной, а не "нуль-точкой" или "остаточными", "нулевыми колебаниями пространства". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.