Шоттки эффект - рост электронного тока насыщения из твёрдого тела (катода) под действием внешнего ускоряющего электрич.
поля вследствие уменьшения работы выхода электрона из твёрдого тела (рис.).
Распределение потенциала у поверхности металла
при отсутствии (1) и наличии
(2) внешнего ускоряющего электрического
поля; F-полная работа выхода; z - расстояние
от имитирующей поверхности.
При отсутствии электрич. поля распределение потенциала
U у поверхности металла имеет форму гиперболы (кривая 1 на рис.),
что связано с действием сил электрич. притяжения, называемых также силами зеркального
изображения, поскольку, когда электрон покидает эмиттер, он индуцирует в твёрдом
теле заряд, являющийся его зеркальным изображением. При наложении внешнего однородного
электрич. поля напряжённостью E потенц. барьер приобретает вид кривой
2; в результате работа выхода уменьшается на
где е - заряд электрона; последнее выражение
для металлов применимо лишь для E<105 В/см (когда начинается
автоэлектронная эмиссия ).Если источником электронного тока служит накалённый
катод, то за счёт Ш. э. сила тока возрастает от I0 до
, где T-темп-pa катода; в случае фотокатода происходят сдвиг порога фотоэффекта
в сторону больших длин волн и соответствующий рост фотоэлектронного тока при
освещении катода.
При покрытии поверхности металла тонкой адсорбирующей
плёнкой неоднородной структуры в характере Ш. э. возникают аномалии, связанные
со сложным взаимодействием локальных электрич. полей между чистыми и покрытыми
плёнкой участками поверхности. Вследствие этого зависимость (*) теряет силу,
особенно в области полей E104
В/см (аномальный Ш. э.).
При создании электрич. поля у поверхности полупроводникового
источника электронов Ш. э. приобретает значительно более сложный характер, чем
в случае металла. Наряду с понижением внеш. потенц. барьера здесь наблюдается
как частичное проникновение электрич. поля внутрь полупроводника на глубину,
зависящую от концентрации свободных зарядов, так и его частичное экранирование
слоем поверхностных зарядов. В результате электрич. поле, как правило, оказывает
большее влияние на работу выхода электрона, а следовательно, и на силу электронного
тока у полупроводников, чем у металлов.
На основе Ш. э. можно исследовать нек-рые электронные
свойства поверхностей твёрдых тел.
Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.
Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.
Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.
Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.