Шоттки эффект - рост электронного тока насыщения из твёрдого тела (катода) под действием внешнего ускоряющего электрич.
поля вследствие уменьшения работы выхода электрона из твёрдого тела (рис.).
Распределение потенциала у поверхности металла
при отсутствии (1) и наличии
(2) внешнего ускоряющего электрического
поля; F-полная работа выхода; z - расстояние
от имитирующей поверхности.
При отсутствии электрич. поля распределение потенциала
U у поверхности металла имеет форму гиперболы (кривая 1 на рис.),
что связано с действием сил электрич. притяжения, называемых также силами зеркального
изображения, поскольку, когда электрон покидает эмиттер, он индуцирует в твёрдом
теле заряд, являющийся его зеркальным изображением. При наложении внешнего однородного
электрич. поля напряжённостью E потенц. барьер приобретает вид кривой
2; в результате работа выхода уменьшается на
где е - заряд электрона; последнее выражение
для металлов применимо лишь для E<105 В/см (когда начинается
автоэлектронная эмиссия ).Если источником электронного тока служит накалённый
катод, то за счёт Ш. э. сила тока возрастает от I0 до
, где T-темп-pa катода; в случае фотокатода происходят сдвиг порога фотоэффекта
в сторону больших длин волн и соответствующий рост фотоэлектронного тока при
освещении катода.
При покрытии поверхности металла тонкой адсорбирующей
плёнкой неоднородной структуры в характере Ш. э. возникают аномалии, связанные
со сложным взаимодействием локальных электрич. полей между чистыми и покрытыми
плёнкой участками поверхности. Вследствие этого зависимость (*) теряет силу,
особенно в области полей E104
В/см (аномальный Ш. э.).
При создании электрич. поля у поверхности полупроводникового
источника электронов Ш. э. приобретает значительно более сложный характер, чем
в случае металла. Наряду с понижением внеш. потенц. барьера здесь наблюдается
как частичное проникновение электрич. поля внутрь полупроводника на глубину,
зависящую от концентрации свободных зарядов, так и его частичное экранирование
слоем поверхностных зарядов. В результате электрич. поле, как правило, оказывает
большее влияние на работу выхода электрона, а следовательно, и на силу электронного
тока у полупроводников, чем у металлов.
На основе Ш. э. можно исследовать нек-рые электронные
свойства поверхностей твёрдых тел.
1. Электромагнитная волна (в религиозной терминологии релятивизма - "свет") имеет строго постоянную скорость 300 тыс.км/с, абсурдно не отсчитываемую ни от чего. Реально ЭМ-волны имеют разную скорость в веществе (например, ~200 тыс км/с в стекле и ~3 млн. км/с в поверхностных слоях металлов, разную скорость в эфире (см. статью "Температура эфира и красные смещения"), разную скорость для разных частот (см. статью "О скорости ЭМ-волн")
2. В релятивизме "свет" есть мифическое явление само по себе, а не физическая волна, являющаяся волнением определенной физической среды. Релятивистский "свет" - это волнение ничего в ничем. У него нет среды-носителя колебаний.
3. В релятивизме возможны манипуляции со временем (замедление), поэтому там нарушаются основополагающие для любой науки принцип причинности и принцип строгой логичности. В релятивизме при скорости света время останавливается (поэтому в нем абсурдно говорить о частоте фотона). В релятивизме возможны такие насилия над разумом, как утверждение о взаимном превышении возраста близнецов, движущихся с субсветовой скоростью, и прочие издевательства над логикой, присущие любой религии.
4. В гравитационном релятивизме (ОТО) вопреки наблюдаемым фактам утверждается об угловом отклонении ЭМ-волн в пустом пространстве под действием гравитации. Однако астрономам известно, что свет от затменных двойных звезд не подвержен такому отклонению, а те "подтверждающие теорию Эйнштейна факты", которые якобы наблюдались А. Эддингтоном в 1919 году в отношении Солнца, являются фальсификацией. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.