Шоттки эффект - рост электронного тока насыщения из твёрдого тела (катода) под действием внешнего ускоряющего электрич.
поля вследствие уменьшения работы выхода электрона из твёрдого тела (рис.).
Распределение потенциала у поверхности металла
при отсутствии (1) и наличии
(2) внешнего ускоряющего электрического
поля; F-полная работа выхода; z - расстояние
от имитирующей поверхности.
При отсутствии электрич. поля распределение потенциала
U у поверхности металла имеет форму гиперболы (кривая 1 на рис.),
что связано с действием сил электрич. притяжения, называемых также силами зеркального
изображения, поскольку, когда электрон покидает эмиттер, он индуцирует в твёрдом
теле заряд, являющийся его зеркальным изображением. При наложении внешнего однородного
электрич. поля напряжённостью E потенц. барьер приобретает вид кривой
2; в результате работа выхода уменьшается на
где е - заряд электрона; последнее выражение
для металлов применимо лишь для E<105 В/см (когда начинается
автоэлектронная эмиссия ).Если источником электронного тока служит накалённый
катод, то за счёт Ш. э. сила тока возрастает от I0 до
, где T-темп-pa катода; в случае фотокатода происходят сдвиг порога фотоэффекта
в сторону больших длин волн и соответствующий рост фотоэлектронного тока при
освещении катода.
При покрытии поверхности металла тонкой адсорбирующей
плёнкой неоднородной структуры в характере Ш. э. возникают аномалии, связанные
со сложным взаимодействием локальных электрич. полей между чистыми и покрытыми
плёнкой участками поверхности. Вследствие этого зависимость (*) теряет силу,
особенно в области полей E104
В/см (аномальный Ш. э.).
При создании электрич. поля у поверхности полупроводникового
источника электронов Ш. э. приобретает значительно более сложный характер, чем
в случае металла. Наряду с понижением внеш. потенц. барьера здесь наблюдается
как частичное проникновение электрич. поля внутрь полупроводника на глубину,
зависящую от концентрации свободных зарядов, так и его частичное экранирование
слоем поверхностных зарядов. В результате электрич. поле, как правило, оказывает
большее влияние на работу выхода электрона, а следовательно, и на силу электронного
тока у полупроводников, чем у металлов.
На основе Ш. э. можно исследовать нек-рые электронные
свойства поверхностей твёрдых тел.
Релятивисты и позитивисты утверждают, что "мысленный эксперимент" весьма полезный интрумент для проверки теорий (также возникающих в нашем уме) на непротиворечивость. В этом они обманывают людей, так как любая проверка может осуществляться только независимым от объекта проверки источником. Сам заявитель гипотезы не может быть проверкой своего же заявления, так как причина самого этого заявления есть отсутствие видимых для заявителя противоречий в заявлении.
Это мы видим на примере СТО и ОТО, превратившихся в своеобразный вид религии, управляющей наукой и общественным мнением. Никакое количество фактов, противоречащих им, не может преодолеть формулу Эйнштейна: "Если факт не соответствует теории - измените факт" (В другом варианте " - Факт не соответствует теории? - Тем хуже для факта").
Максимально, на что может претендовать "мысленный эксперимент" - это только на внутреннюю непротиворечивость гипотезы в рамках собственной, часто отнюдь не истинной логики заявителя. Соответсвие практике это не проверяет. Настоящая проверка может состояться только в действительном физическом эксперименте.
Эксперимент на то и эксперимент, что он есть не изощрение мысли, а проверка мысли. Непротиворечивая внутри себя мысль не может сама себя проверить. Это доказано Куртом Гёделем.
Понятие "мысленный эксперимент" придумано специально спекулянтами - релятивистами для шулерской подмены реальной проверки мысли на практике (эксперимента) своим "честным словом". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.