Слабая сверхпроводимость - совокупность явлений, происходящих
в слабосвязанных сверхпроводящих системах (неоднородных сверхпроводящих
структурах), содержащих узкие (в направлении протекания тока) области либо
области, у к-рых сверхпроводимость отсутствует или сильно подавлена. Термин
«С. с.» введён Ф. Андерсоном (Ph. Anderson, 1964), т. к. критический
ток и критическое магнитное поле в слабосвязанных сверхпроводниках
значительно меньше, чем в обычных. С. с. наблюдается в туннельных контактах
[два сверхпроводника разделены тонкой
диэлектрич. прослойкой], контактах с прослойкой из нормального (несверхпроводящего)
металла и полупроводника, сверхпроводящих мостиках с сужением, точечных
контактах, гранулиров. сверхпроводниках, состоящих из большого числа джозефсоновских
контактов (рис. 1).
Рис. 1. Слабосвязанные сверхпроводники различных типов: а - туннельный джозефсоновский контакт; б - точечный контакт; в - тонкоплёночный мостик; г - мостик переменной толщины; д - плёнка из сверхпроводника с узкой полоской нормального металла; е - две близко расположенные плёнки, нанесённые на плёнку из нормального металла или из сильнолегарованного полупроводника.
Впервые С. с. наблюдали в туннельных контактах. В таких структурах электроны
могут проходить через диэлектрич. барьер (см. Туннельный эффект ),что
приводит к возникновению одночастичного туннельного тока (одночастичное
туннелирование). Резкие изменения одночастичного тока, связанные с особенностями
в плотности состояний сверхпроводников, проявляются на вольт-амперной характеристике
(ВАХ) при напряжениях на контакте
и
где
-
значения сверхпроводящих щелей двух разл. сверхпроводников, образующих
контакт (рис. 2).
Рис. 2. Вольт-амперная характеристика туннельного контакта в случае одночастичного тока.
Наиб. интерес в С. с. представляет открытое Б. Джозефсоном (В. Josephson)
в 1962 протекание слабого тока без падения напряжения в туннельных контактах
(сверхпроводящий ток куперовских пар, стационарный Джозефсона эффект ).Макс. ток, к-рый может проходить через туннельный контакт, когда напряжение
на нём V = 0, наз. критич. током контакта IС. Полный
ток через контакт
, где
-
джозефсоновская фаза. Если к контакту прикладывается напряжение
то ток куперовских пар становится переменным и осциллирует с частотой w,
связанной с напряжением V соотношением Джозефсона
(нестационарный эффект Джозефсона). Такой перем. ток приводит либо к генерации
излучения из контакта, либо к появлению ступенек на ВАХ при облучении джозефсоновского
контакта СВЧ-излучением.
Необычно происходит изменение критич. тока туннельного контакта IC
при приложении магн. поля Н. Если ширина контакта L мала
по сравнению с джозефсоновской глубиной проникновения
,
где jC - плотность критич. тока; d - толщина области,
в к-рую проникает магн. поле; Ф0 - квант магнитного
потока], то поле Н проникает в область контакта однородно, а
зависимость критич. тока от приложенного магн. поля описывается функцией,
характерной для фраунгоферовой дифракц. картины:
где
Если напряжение отлично от нуля, то в присутствии магн. поля в контакте
могут распространяться волны плотности тока, скорость к-рых v=cV/Hd. Эти волны наблюдаются по ступеням на ВАХ [ступени Фиске (М. Fiske,
1964)] (рис. 3). Если ширина контакта
, то магн. поле проникает в туннельный контакт неоднородно в виде джозефсоновских
вихрей (нитей магн. потока, магн. поле в к-рых экспоненциально спадает
на длине
).
Джозефсоновские вихри могут перемещаться вдоль контакта под действием тока.
На С. с. (из-за малости критич. параметров) сильно влияют флуктуации,
к-рые приводят к двум эффектам. Случайные изменения вдоль плоскости контакта
джозефсоновской фазы или плотности критич. тока, связанные с локальными
неоднородностями туннельного контакта (структурные флуктуации), приводят
к искажению фраунгоферовой зависимости критич. тока от магн. поля. С др.
стороны, на контакте может возникнуть разность потенциалов при токе, меньшем
критического, связанная со случайным изменением джозефсоновской фазы во
времени. Вероятность таких скачков фазы возрастает с увеличением температуры,
но при низких темп-pax возможно макроскопич. квантовое туннелирование (существует
ненулевая вероятность изменения джозефсоновской фазы со временем при
).
Рассмотренные эффекты могут проявляться во всех слабосвязанных системах.
Кроме того, в нек-рых структурах возникают и др. явления. Так, для контактов
с прослойкой из нормального металла возможна несинусоидальная зависимость
джозефсоновского тока I от.
В структурах с непосредств. сверхпроводимостью (рис. 1,б - г), в отличие
от обычного туннельного контакта, малость джозефсоновского тока определяется
не слабой проницаемостью диэлектрич. барьера (для куперовских пар), а возрастанием
плотности тока в области слабой связи (рис. 1,б - г)либо нарушением
корреляции электронов в нормальном металле (рис. 1, д, е). В таких
структурах наблюдается неравновесная С. с., обусловленная изменением функции
распределения электронов по энергиям. Это приводит к возрастанию критич.
тока слабосвязанных систем в СВЧ-поле и к избыточному току при больших
напряжениях (ВАХ системы отличается от закона Ома,
, где Iех - избыточный ток, R - сопротивление
контакта в нормальном состоянии). В контактах с полупроводниковой прослойкой
возможно изменение критич. параметров, связанных с изменением туннельной
прозрачности барьера. На прозрачность барьера сильно влияет концентрация
свободных носителей заряда в полупроводнике, к-рую можно изменять как введением
примесей, так и с помощью освещения образца. Кроме того, критич. ток IC
может возрастать из-за прохождения куперовских пар по «флуктуац. каналам»
- областям с локально пониженным потенц. барьером, а также из-за резонансного
туннелирования (резкое возрастание прозрачности барьера при прохождении
куперовских пар по цепочкам периодически расположенных локализов. центров).
Рис. 3. Типичная картина ступеней Фиске контакта Sn - SnOx - Sn при наличии магнитного поля.
Разнообразие эффектов позволяет использовать С. с. как для физ. исследований (определение сверхпроводящей щели по ВАХ одночастичного тока, исследование неоднородностей и т.д.), так и для практич. применений (сверхпроводящие приёмники излучения, сквиды и т. д.).
М. В. Фистуль
|
![]() |