Джозефсона эффект - протекание сверхпроводящего тока через тонкую изолирующую или несверхпроводящую
прослойку между двумя сверхпроводниками (т. н. джозефсоновский контакт). Эффект
был теоретически предсказан Б. Джозефсоном (В. Josephson, 1962) [1]. Д. э. обнаруживается при изучении вольт-амперной характеристики (BAX) джозефсоновских
контактов (ДК). При пропускании через ДК достаточно слабого тока напряжение
на контакте отсутствует, т. е. ток является чисто сверхпроводящим (джозефсоновский
ток). Его существование связано с неполным разрушением куперовских пар электронов
(см. Купера эффект) при их прохождении через очень тонкую несверхпроводящую
прослойку. Такой режим называется стационарным Д. э. (экспериментально обнаружен
в 1963 [2]). При увеличении тока через контакт и достижении им нек-рой величины
IC на контакте возникает напряжение. Значение критич. джозеф-соновского
тока IС зависит от свойств контакта, температуры и магн. поля.
Ток IС складывается из тока сверхпроводящих (спаренных) электронов,
к-рый теперь становится переменным (его частота зависит от напряжения на контакте),
и тока, обусловленного прохождением через прослойку нормальных (несверхпроводящих)
электронов. Режим при токе IС наз. нестационарным Д. э.
Согласно теории сверхпроводимости, сверхпроводящие (спаренные) электроны характеризуются единой волновой
функцией, фаза к-рой плавно меняется вдоль сверхпроводника при протекании
по нему тока (фазовая когерентность сверхпроводящих электронов). При
прохождении сверхпроводящих электронов через несверхпроводящую прослойку фазовая
когерентность частично (в меру отношения толщины прослойки к т. н. длине когерентности)
разрушается и протекание джозефсоновского тока через прослойку сопровождается
скачком фазы волновой функции сверхпроводящих электронов на этой прослойке
- фазы волновой функции в сверхпроводниках по обe стороны от прослойки. При этом
ток через контакт равен
Из ф-лы (1) видно,что джозефсоновский
ток не может превышать IС.
Величина IС и механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящий из двух одинаковых или разл. сверхпроводников (обычно в виде тонких плёнок), разделённых очень тонким слоем диэлектрика, напр. слоем окисла материала одного из сверхпроводящих электродов. Протекание тока через прослойку в этом случае обусловлено квантовым туннелированием электронов (см. Туннельный эффект) через непроводящий барьер. Для получения измеримого джозефсоновского тока толщина изолирующей прослойки должна быть ок. 10-20 А. На рис. для примера изображена типичная BAX для туннельного контакта из одинаковых сверхпроводников. Стрелками показано направление изменения тока. Если увеличивать ток, то происходит описанный выше переход из стационарного в нестационарный режим Д. э. При уменьшении тока нестационарный Д. э. может сохраниться до значений тока, меньших критического (т. е. туннельный контакт проявляет гистерезис).
Вольт-амперная характеристика
(BAX) туннельного контакта Sn- Sn при температуре 1,4 К (прослойка - плёнка
оксида олова).
При нестационарном Д. э.
разность фаз на контакте зависит от времени:
где V - напряжение
на контакте, е - заряд электрона. Ур-ние (2) является следствием Шрёдингера
уравнения для волновой функции пары сверхпроводящих электронов при наличии
постоянной потенц. энергии 2eV и не связано с наличием прослойки, а имеет
общий характер. Частота w сверхпроводящего тока через контакт определяется соотношением:
Соотношения (2) и (3) называются
соотношениями Джозефсона.
Нестационарный Д. э можно
рассматривать также как прохождение сверхпроводящих электронов через прослойку,
сопровождающееся изменением их энергии на величину 2eV в расчёте на каждую
куперовскую пару. При этом процессе испускаются кванты эл.- магн. излучения
с частотой , связанной
с изменением энергии соотношением (3). T. о., при нестационарном Д. э. контакт,
находящийся при пост. напряжении, генерирует перем. сверхпроводящий ток. Имеет
место и обратный процесс: при облучении джозефсоновского контакта СВЧ-излучением
с частотой , удовлетворяющей
условию
(п - целое число),
прохождение сверхпроводящих электронов через контакт происходит с поглощением
п фотонов внеш. поля, что приводит к появлению дополнит. тока через контакт,
т. е. к возникновению на BAX участков с нулевым дифференциальным сопротивлением.
Наблюдение таких участков и явилось первым косвенным обнаружением нестационарного
Д. э. в 1963 [3]. Прямое наблюдение генерации СВЧ-излучения джозефсоновским
контактом, находящимся под пост. напряжением, было осуществлено в 1965 [4].
Кроме туннельных структур
джозефсоновские контакты могут представлять собой т. н. слабосвязанные сверхпроводники,
т. е. два сверхпроводника, соединённых узким и коротким сверхпроводящим или
нормальным "мостиком", тонкой прослойкой нормального металла либо
с помощью точечного контакта. Аналог нестационарного Д. э. наблюдается также
в очень узких однородных сверхпроводящих проволочках, где джозефсоновская генерация
возникает при пропускании достаточно большого тока. Совокупность явлений, связанных
с Д. э. в разл. системах, носит назв. слабой сверхпроводимости [5,6,7].
Д. э. подтверждает осн.
концепцию совр. теории сверхпроводимости - наличие единой волновой функции и фазовой
когерентности спаренных электронов в сверхпроводящем состоянии. По своей доступности
эксперим. исследованию Д. э. представляет собой одну из уникальных возможностей
изучать проявления квантовых свойств микромира в макроскопич. масштабе.
Д. э. используют в целом
ряде криогенных приборов. Соотношение (1) является основой практич. использования
стационарного Д. э. в т. н. сверхпроводящих квантовых интерферометрах (сквидах). ДК могут применяться в качестве генераторов и -детекторов СВЧ-диапазона.
Свойство ДК переключаться с нулевого на конечное напряжение при превышении током
критич. значения в совокупности с малой ёмкостью позволяет использовать их в
качестве быстродействующих логич. элементов ЭВМ [7, 8]. Соотношение (4) может
использоваться для уточнения фундаментальных физических констант и создания
стандартов напряжения. На основе Д. э. совр. методами измерено отношение
=4,83594000*1014 Гц/В с погрешностью 2*10-8, что позволяет
создать стандарт вольта с погрешностью ~10-9.
H. Б. Копнин