Осцилляции Зондгаймера - периодич. зависимость кинетич. характеристик (коэф. электропроводности теплопроводности термоэлектрич. коэф.) в тонких слоях проводника от магн. поля Н. Предсказаны в 1950 Э. Зондгаймером. О. 3. связаны с фокусирующей ролью магн. поля. Пучок электронов с одинаковыми энергией и проекцией импульса р на направление Н (рН), "стартовав" из одной точки поверхности в глубь образца и двигаясь по спиральной траектории, собирается в точке на противоположной поверхности, если электроны пройдут толщину образца (d)за целое число (N)периодов обращения в магн. поле ( - циклотронная частота), т. е. имеет место соотношение
Здесь - угол, образуемый вектором Н и нормалью п к поверхности пластины (рис. 1), е - элементарный заряд, S - площадь сечения ферми-поверхности (ФП) плоскостью рН=const. В изотропных металлах это условие обеспечивает максимальные и Условно (*) будет вновь выполнено, если поле Н изменится на величину
к-рая является периодом осцилляции.
Рис. 1. Траектории электронов, сфокусированных магнитным полем.
Амплитуда осцилляции, напр. в сильном поле (радиус кривизны электронных орбит rd)убывает с увеличением поля H. Вклад в электронов из окрестности т. н. опорных точек ФП и электронов с экстремальным значением дS/дрн(д2S/дрн = 0) пропорционален Н-4 и Н -5/2. Если грани пластины совпадают с плоскостью симметрии кристалла, то амплитуда O. З. тем больше, чем выше степень диффузности отражения электронов, т. е. степень несовершенства поверхности проводника. При чисто зеркальном отражении импульсы электронов - падающего (р)и отражённого (р') границей образца - скореллированы и удовлетворяют условию
[пр] = [nр'].
В этом случае О.З. возможны лишь при многоканальном
отражении, когда есть неск. неэквивалентных состояний для отражённого электрона.
О. 3. при этом формируют также электроны с рн, при к-рых
изменяется число каналов зеркального отражения.
Для электронов на открытых сечениях ФП
следует учитывать дрейф электронов в плоскости, перпендикулярной
Н, к-рый
не зависит от рН. При
только электроны с открытыми траекториями формируют О.З. Их смещение в
глубь образца за период одинаково во всём слое открытых сечений ФП, и все
они участвуют в формировании О. 3. Амплитуда О. 3. не зависит от Н
и тем больше, чем выше степень зеркальности отражения электронов (при зеркальном
отражении амплитуда в l/d раз больше, чем при диффузном, где l - длина свободного пробега электронов).
По периоду осцилляцииН можно
определить величину dS/dpH для электронов, формирующих
О. 3., а по величине амплитуды - вероятность зеркального отражения их при
разл. углах падения на поверхность проводника.
В проволоках и поликристаллич. образцах
амплитуда О. 3. значительно меньше, чем в монокристаллич. пластинах. В
проволоках с овальным поперечным сечением (рис. 2,а) О. 3. формируют
электроны, дрейфующие вдоль хорды экстремального поперечного сечения ФП,
и амплитуда О.З. в (d/r)1/2 раз меньше, чем
в пластинах. В огранённых проволоках за О. 3. ответственны лишь электроны,
дрейфующие вдоль хорд излома поперечного сечения образца (рис. 2,б).
Это позволяет изучить рассеивающие свойства локальных участков поверхности
проводника. В поликристаллах амплитуда О. З. уменьшается за счёт усреднения
по различным кристаллографич. ориентациям кристаллитов, а период О. З.
определяется абс. экстремумом дS/дрн при всевозможных
ориентациях
Н. Исключением являются лишь щелочные металлы,
ФП к-рых близка к сфере. В этом случае амплитуды О. З. в моно-и поликристаллах
практически не различимы.
Рис. 2. Поперечные сечения овальной (a) и огранённой (б) проволок; осцилляции Зондгаймера формируют электроны, дрейфующие вдоль экстремальной хорды d и вдоль хорд излома d1, d2, d3, параллельных H.
О. 3. впервые наблюдались в тонких (dl)проволоках
Bi. Они используются для уточнения энергетич. спектра электронов проводимости.
Возможность разделить вклады в О. 3. электронов с близкими характеристиками
при rd позволяет
изучать локальные изменения геометрии ФП, вызванные, напр., давлением.
При распространении звуковых или эл--магн.
волн сквозь тонкий проводник О. З. наблюдаются даже в тех случаях, когда
размерный эффект в статич. электропроводности отсутствует. В условиях аномального
скин-эффекта О.
З. могут быть усилены за счёт возникновения слабозатухающих волн.
В. Г. Песчанский.