Оксидные высокотемпературные сверхпроводники - оксидные соединения с высокой
критич. температурой Тс перехода в сверхпроводящее состояние.
Обнаружение сверхпроводимости в этих
соединениях (1986-88) существенно повысило уровень известных значений
Тсот24
К в Nb3Ge до120К
в Т12Ва2Са2Сu3Оx,
что значительно выше температуры кипения жидкого азота (Ткип = 77,3
К) - дешёвого и доступного хладагента.
Исключит. значимость прикладных аспектов
сверхпроводимости и отсутствие принципиальных теоретич. ограничений на
Тс(по
меньшей мере, до Тс порядка 300 К) делают проблему создания
сверхпроводящих материалов с высокой критич. температурой важнейшей задачей
физики сверхпроводимости. После открытия в 1911 сверхпроводимости X. Камерлинг-Оннесом
(Н. Kamerlingh-Onnes) доминировала тенденция к пояску новых сверхпроводников
среди простых металлов (Hg, Pb, Nb), затем среди двойных (Nb3
Sn, Nb3Ga) и тройных [Nb3(Al, Ge)j интерметаллидов
(рис. 1). Поиск сверхпроводников среди оксидных соединений был затруднён
чисто психологически, поскольку большинство таких соединений является диэлектриками.
В 1964 в США было открыто первое оксидное сверхпроводящее соединение со
структурой неровскита - SrTi03 с Тс= 0,3-0,5
К при концентрации электронов 1019 - 1020 см-3.
В 1974-75 обнаружена сверхпроводимость у LiTi204
(Тс= 11
К) и у BaPb1-xBix03, в к-ром критич.
температура менялась с составом и достигала макс. значения
Тс
= 13 К при х = 0,25, а концентрация электронов была достаточно
низкой (ок. 2 х 1021 см-3).
Рис. 1. Рекордные значения Тсметаллических и интерметаллических (пунктир), металлооксидных (сплошная линия) сверхпроводников. Штрих-пунктирные линии соответствуют температурам кипения возможных хладагентов.
В 1986 Й. Г. Беднорц (J. G. Bednorz) и К. А. Мюллер (К. A. Miiller) обнаружили сверхпроводимость с Тс30-34 К в многофазной керамике La - Ва - Сu - О. Оказалось, что за сверхпроводимость в этой системе ответственно соединение La2-xBaхCuО4 с макс. значением Тс при х = 0,15 - 0,20. Возможна замена Ва на Sr. В соединении Lа1,8Sr0,2СиО4Тс = 36 К. В 1987 получена керамика Y - Ва - Сu - О с критич. температурой Тс= 92 К. Сверхпроводимость в этой системе связана с соединением , где - доля вакансий по кислороду. В 1988 синтезированы висмутовые и таллиевые соединения (Tl2Ba2Ca2Cu3Ox, Tc110 - 120 К).
Рис. 2. Кристаллическая структура соединений La2-хSrхCuO4.
О. в. с. являются соединениями с ионно-ковалентной
связью и дефектной по кислороду перовскитоподобной кристаллич. структурой
с упорядоченным расположением кислородных вакансий. Для О. в. с. характерна
сравнительно высокая подвижность кислорода в кристаллич. решётке - при
нагревании резко увеличивается дефектность по кислороду.
Сверхпроводящие свойства О. в. с. существенно зависят от содержания кислорода.
На примере
и можно
утверждать, что существует оптим. концентрация кислорода, при к-рой достигается
макс. критич. температура.
Наиб. хорошо изучены соединения Lа2-хSrхСrO4,
"Исходное" соединение La2CuO4 имеет ромбическую элементарную
ячейку и является антиферромаги. диэлектриком с точкой Нееля ТN240
К, сильно зависящей от концентрации кислорода. Замещение La на Sr (Ва,
Са) приводит к стабилизации тетрагональной фазы (структурный тип K2NiF4,
рис. 2). Одноврем. с этим быстро уменьшается
ТN и начиная
с х = 0,05 антиферромагн. переход полностью подавляется и появляется
сверхпроводимость с макс. значением
Tс40
К при х = 0,15 - 0,20.
Как и La2Cu04, соединение
с пониж. содержанием кислорода (=0,6
- 1,0) представляет собой антиферромагн. диэлектрик. При уменьшении дефектности
по кислороду TN быстро снижается от TN400
К ( = 0,85)
до нуля ( 0,6),
соединения с
< 0,6 становятся сверхпроводниками (Тс92
К при
= 0 - 0,1). Область существования высокотемпературной сверхпроводимости
на фазовых диаграммах в координатах темп-pa - состав непосредственно примыкает
к линии, отвечающей переходу диэлектрик - металл. Вблизи этой же линии
происходят переход антиферромагнетик - немагнитный металл и структурный
переход.
Если для структуры La2-xSrxCuО4
характерно наличие слоев кислородных октаэдров, центрированных катионами
меди и сросшихся друг с другом через общие анионы кислорода (рис. 2), то
в соединении
кислородные октаэдры за счёт создания упорядоченных вакансий кислорода
трансформированы в пирамиды и квадраты (рис. 3). В результате в
существуют медь-кислородные плоскости и цепочки.
На примере сверхпроводящих соединений
в системах Т1 - Ва - Са - Сu - О и Bi - Sr - Са - Сu - О установлена связь
между характером чередования медь-кислородных плоскостей и значением
Тс(рис.
4): "прослаивание" плоскостей Сu - О плоскостями Са увеличивает до определ.
предела значение критич. температуры. Наличие уединённых слоев Сu - О с металлич.
проводимостью является для О. в. с. фактором, способствующим повышению
Тс. В
качестве исключения из этого эмпирич. правила можно назвать соединение
Ва1-хКхВiO3(ТC = 30
К), не содержащее медь и имеющее кубич. решётку типа перовскита.
Рис. 3. Кристаллическая структура соединений YBa2Cu3O7.
Рис. 4. Кристаллическая структура таллиевых
(висмутовых) оксидных сверхпроводников:
слева - Tl2Ba2CuOx
(Bi2Sr2CuOx), в центре - Tl2Ba2CaCu2Ox
(Bi2Sr2CaCu2Ox), справа - Tl2Ba2Ca2Cu3Ox
(Bi2Sr2Ca2Cu3Ox).
Для электрич. свойств О. в. с. в нормальном
состоянии типичен линейный рост сопротивления с изменением температуры. Квазидвумерная
слоистая структура О. в. с. проявляется в сильной анизотропии ферми-поверхности, электрических
и сверхпроводящих свойств. Измерение коэф. Холла и Зеебека указывает, что
носителями заряда в большинстве О. в. с. являются дырки (см. Зеебека
эффект, Холла эффект), хотя имеются соединения и с электронным типом
проводимости (напр., Nd2_хСехСиO4,
Тс
= 24 К). О. в. с. - соединения, производные от родственных им оксидных
систем, таких как La2CuO4 и YBa2Cu3O6.
Это антиферромагн. диэлектрики типа Мотта -Хаббарда (см. Моттовские
диэлектрики), в к-рых одноцентровые кулоновские электрон-электронные
корреляции приводят к расщеплению на верхнюю и нижнюю хаббардовские зоны
меди (см. Хаббарда модель ).Кислородная зона находится в энергетич.
зазоре между ними. Возможно и перекрытие кислородной зоны с нижней хаббардовской
зоной меди. Уровень Ферми располагается вблизи потолка кислородной зоны,
при этом реализуется ситуация типа "дырки - на кислороде, локальные магн.
моменты -на меди". Замещение La на Sr или варьирование концентрации кислорода
приводит к созданию дырок в кислородной зоне.
О. в. с. - сверхпроводники второго
рода с сильной анизотропией 1-го л 2-го критич. полей, глубины проникновения магн.
полякритического
тока Iс, длины когерентности
(табл.).
Характеристики некоторых оксидных высокотемпературных
сверхпроводников
Поле параллельно
слоям Сu - О
|
Поле перпендикулярно
слоям Сu - О
|
Тс
|
||||
Т л |
(0),
|
(0), Тл
|
||||
(La1-x
Srx)2
CuO . .
|
83
|
74
|
6
|
5
|
36
|
|
YBa2Cu3O7
......
|
140
|
35
|
28
|
7
|
92
|
|
Bi2Sr2СаСu2Оx
....
|
270 - 400
|
34-40
|
21 - 29
|
2-3
|
85
|
Сама сверхпроводимость связана с проводящими
слоями Сu - О, а роль остальных элементов сводится фактически к удержанию
нужной кристаллич. структуры. В частности, в YBa2Cu3O7
замена Y на любой трёхвалентный редкоземельный элемент, в т. ч. и магнитный,
практически не сказывается на значении Тс. В результате
соединения RBa2Cu3O7 с R - Nd, Sm, Gd, Dy, Er переходят
в антиферромагн. состояние соответственно при Т = 0,52; 0,61; 2,25;
0,90; 0,60 К без разрушения самого сверхпроводящего состояния, т. е. указанные
О. в. с. относятся к классу антиферромагн. сверхпроводников (см. Магнитные
сверхпроводники). В YBa2Cu3О7 длина
когерентности поперёк слоев Сu - О ()
несколько меньше расстояния между слоями, однако сверхпроводимость является
трёхмерной. В Bi2Sr2CaCu2O8
уже значительно меньше расстояния между слоями Сu - О, и сверхпроводимость,
по-видимому, является квазидвумерной. Параметр 2/kTc
= 4-10 (
- энергетическая щель, измеренная в экспериментах по одночастичному тунне-лированию),
что выше, чем величина 3,5, предсказываемая теорией Бардина - Купера -
Шриффера (БКШ) (см. Бардина - Купера - Шриффера модель). При Т
= Тс наблюдается скачок теплоёмкости, либо соответствующий
в теории БКЩ образованию куперов-ских пар, либо (аналогично переходу жидкого
4Не
в сверхтекучее состояние) отвечающий бозе-конденсации пар, уже существующих
выше Тс.
Существует большое число теоретич. моделей,
в к-рых делаются попытки объяснить природу высокотемпературной сверхпроводимости
в О. в. с. В моделях с фононным механизмом образования электронных пар
высокая критич. темп-pa связывается либо с резким усилением электрон-фононного
взаимодействия, либо с наличием особенностей в плотности электронных состояний.
Во мн. моделях используется модифицированный экситонный и обменный механизм
сверхпроводимости.
В. В. Мощалков