Эффект Нернста - Эттингсхаузена - появление электрич. поля Eнэ в проводнике, в к-ром есть градиент температуры Т, в направлении, перпендикулярном магн. полю Н. Различают поперечный и продольный эффекты.
Поперечный Эффект Нернста - Эттингсхаузена состоит в появлении электрического
поля Енэ | (разности потенциалов
Vнэ | ) в направлении, перпендикулярном
Н и Т.
В отсутствие магн. поля термоэлектрич. поле компенсирует поток носителей заряда,
создаваемый градиентом температуры, причём компенсация имеет место лишь для полного
тока: электроны с энергией, большей средней (горячие), движутся от горячего
конца образца к холодному, электроны с энергией, меньшей средней (холодные),-
в противоположном направлении. Сила Лоренца, отклоняет эти группы носителей
в направлении, перпендикулярном Т
и магн. полю, в разные стороны; угол отклонения (угол Холла) определяется временем
релаксации т данной группы носителей, т. е. различается для горячих и холодных
носителей, если t
зависит от энергии. При этом токи холодных и горячих носителей в поперечном
направлении ( | Т
и | Н) не могут компенсировать друг друга. Это приводит
к появлению поля Е | нэ, величина
к-рого определяется из условия равенства 0 суммарного тока j = 0.
Величина поля Е | нэ
зависит от Т,
Н и свойств вещества, характеризующихся коэф. Нернста-Эттингсха-узена N
| :
В полупроводниках под действием Т носители заряда разных знаков движутся в одну сторону, а в магн. поле отклоняются
в противоположные стороны. В результате направление поля Нернста - Эттингсхаузена,
создаваемого зарядами разного знака, не зависит от знака носителей. Это существенно
отличает поперечный эффект Нернста - Эттингсхаузена от Холла эффекта ,где направление поля Холла
различно для зарядов разного знака.
Т. к. коэф. N | определяется
зависимостью времени т релаксации носителей от их энергии ,
то эффект Нернста - Эттингсхаузена чувствителен к механизму рассеяния носителей заряда. Рассеяние
носителей заряда уменьшает влияние магн. поля. Если t
~ , то при r > 0 горячие носители рассеиваются реже холодных и направление поля Е
| нэ определяется направлением отклонения в
магн. поле горячих носителей. При r < 0 направление Е |
нэ противоположно и определяется холодными носителями.
В металлах, где ток переносится электронами
с энергией в интервале ~ kT вблизи Ферми поверхности, величина
N | задаётся производной дt/д
на Ферми-поверхности
= const (обычно у металлов N | > 0, но, напр.,
у меди N | < 0).
Измерения эффекта Нернста - Эттингсхаузена в полупроводниках позволяют
определить r, т. е. восстановить функцию t().
Обычно при высоких темп-pax в области собств. проводимости полупроводника N
| < 0 из-за рассеяния носителей на оп-тич. фононах. При понижении
температуры возникает область с N | > 0, соответствующая
примесной проводимости и рассеянием носителей гл. обр. на фононах (r <
< 0). При ещё более низких Т доминирует рассеяние на ионизов. примесях
с N | < 0 (r > 0).
В слабых магн. полях (wсt
<< 1, где wс
- циклотронная частота носителей) N | не зависит
от H. В сильных полях (wct
>> 1) коэф. N | пропорц. 1/H2.
В анизотропных проводниках коэф. N | - тензор. На
величину N | влияют увлечение электронов фотонами (увеличивает
N | ), анизотропия Ферми-поверхности и др.
Продольный эффект Нернста - Эттингсхаузена состоит в возникновении
элект-рич. поля Е||нэ (разности потенциалов
V||нэ) вдоль Т
при наличии H | Т.
Т. к. вдоль Т существует тер-моэлектрич. поле Еa
= aТ, где a - коэф.
термоэлек-трич. поля, то возникновение дополнит. поля вдоль Т
равносильно изменению поля Еa
при наложении магн. поля:
Магн. поле, искривляя траектории электронов (см. выше), уменьшает их длину свободного пробега l в направлении T. Т. к. время свободного пробега (время релаксации t) зависит от энергии электронов , то уменьшение l неодинаково для горячих и холодных носителей: оно меньше для той группы, для к-рой т меньше. Т. о., магн. поле меняет роль быстрых и медленных носителей в переносе энергии, и термоэлектрич. поле, обеспечивающее отсутствие переноса заряда при переносе энергии, должно измениться. При этом коэф. N|| также зависит от механизма рассеяния носителей. Термоэлектрич. ток растёт, если т падает с ростом энергии носителей (при рассеянии носителей на аку-стич. фононах), или уменьшается, если т увеличивается с увеличением (при рассеянии на примесях). Если электроны с разными энергиями имеют одинаковое t, эффект исчезает ( N|| = 0). Поэтому в металлах, где диапазон энергий электронов, участвующих в процессах переноса, мал (~ kT), N|| мало: В полупроводнике с двумя сортами носителей N|| ~ ~ g/kT. При низких темп-pax N|| может также возрастать из-за влияния увлечения электронов фононами. В сильных магн. полях полное термоэлектрич. поле в магн. поле "насыщается" и не зависит от механизма рассеяния носителей. В ферромагн. металлах эффект Нернста - Эттингсхаузена имеет особенности, связанные с наличием спонтанной намагниченности.
М. С. Бреслер