Примесная проводимость - проводимость полупроводника, при к-рой осн. вклад в перенос заряда дают электроны (дырки),
термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных
в запрещённой зоне донорных (акцепторных) состояний (проводимость n-типа
и р-типа). П. п. определяется концентрацией донорных
и акцепторных
примесей и положением их уровней в запрещённой зоне. При высоких темп-pax Т, если полупроводник невырожден, концентрация ni носителей
в собственном полупроводнике (см. Собственная проводимость)удовлетворяет
условию
наличие примесей незначительно сказывается на концентрациях электронов n и дырок р:
При этом все примеси ионизованы, а уровень Ферми
близок к
середине запрещённой зоны. При более низких темп-pax, для к-рых
почти все мелкие примеси остаются еще ионизованными
(область истощения). В этом случае
т. е. концентрация осн. носителей не зависит от Т. При дальнейшем понижении
Тприближается
к уровню донорной
примеси, и заселённость донорных уровней будет расти за счёт поступления электронов
из зоны проводимости, а концентрация зонных носителей заряда соответственно
уменьшаться. При ТОК
концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует
прыжковая проводимость.
Литература по примесной проводимости
Ансельм А. И., Введение в теорию полупровод, нпкоа, 2 изд., М., 1978;
Смит Р., Полупроводники, пер, с англ., 2 изд., М., 1982;
Бонч-Бруевич В. Л., Ка-лашников С. Г., Физика полупроводников, М. 1977
Знаете ли Вы, что "тёмная материя" - такая же фикция, как черная кошка в темной комнате. Это не физическая реальность, но фокус, подмена. Реально идет речь о том, что релятивистские формулы не соответствуют астрономическим наблюдениям, давая на порядок и более меньшую массу и меньшую энергию. Отсюда сделан фокуснический вывод, что есть "темная материя" и "темная энергия", но не вывод, что релятивистские формулы не соответствуют реалиям. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
и акцепторных
примесей и положением их уровней в запрещённой зоне. При высоких темп-pax Т, если полупроводник невырожден, концентрация ni носителей
в собственном полупроводнике (см. Собственная проводимость)удовлетворяет
условию 
наличие примесей незначительно сказывается на концентрациях электронов n и дырок р:
близок к
середине запрещённой зоны. При более низких темп-pax, для к-рых 
почти все мелкие примеси остаются еще ионизованными
(область истощения). В этом случае
т. е. концентрация осн. носителей не зависит от Т. При дальнейшем понижении
Т
приближается
к уровню 
донорной
примеси, и заселённость донорных уровней будет расти за счёт поступления электронов
из зоны проводимости, а концентрация зонных носителей заряда соответственно
уменьшаться. При Т
ОК
концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует
прыжковая проводимость.
