Накачка в квантовой электронике. РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Накачка в квантовой электронике - процесс создания неравновесного состояния вещества под воздействием эл--магн. полей, при соударениях с заряженными или нейтральными частицами, при резком охлаждении предварительно нагретых газовых масс и т. п. H. переводит вещество из состояния термоди-намич. равновесия в активное состояние (с инверсией населённостей), в к-ром оно может усиливать и генерировать эл--магн. волны (см. Квантовая электроника, Лазер). Термин "Н." применяется также в радиотехнике и оптике для обозначения процессов воздействия на элементы параметрич. систем. H. наз. и воздействие циркуляры) поляризованным оптич. излучением на систему парамагн. частиц, находящихся в магн. поле, с целью изменения разности населённостей магн. зее-мановских подуровней энергии (см. Зеемана эффект, Квантовые стандарты частоты, Квантовый магнитометр).

В классич. трёхуровневой системе (рис. 1) получения инверсии населённостей квантовых уровней энергии в процессе H. эл--магн. волна насыщает квантовый переход между ннжним (

) и верхним (

) уровнями. Насыщение заключается в выравнивании населённостей этих уровней. В условиях насыщения перехода

населённость уровня

может быть или больше, или меньше населённости уровней

Рис. 1. Накачка трёхуровневой системы: распределение населённостей уровней равновесное (а) и в условиях накачки перехода (б).

В результате возникает инверсия населённостей на одном из переходов

или

. Интенсивность эл--магн. поля H. должна быть такой, чтобы индуциров. квантовые переходы происходили значительно чаще, чем релаксац. переходы с уровня

на уровни

. Трёхуровневая схема накачки применяется в квантовых усилителях радиодиапазона (мазерах) и в оптич. квантовых генераторах (лазерах) на рубине. В последнем случае возможна работа только в импульсном режиме, т. к. для насыщения оптич. квантового перехода в твёрдом теле требуются очень большие плотности энергии H., вызывающие при длит. воздействии сильный разогрев и разрушение рубинового стержня (см. Твердотельный лазер). Возможны более сложные схемы H. квантовых систем, напр. четырёхуровневая схема H. лазера на ионах неодима. Осуществить насыщение квантовых переходов в оптич. диапазоне с помощью нелазерных тепловых источников H. очень трудно. С др. стороны, в условиях теплового равновесия при обычных темп-pax практически все квантовые частицы находятся на самом ниж. уровне. Выбрав вещество с четырьмя уровнями энергии, при благоприятных соотношениях скоростей релаксац. переходов между уровнями можно получить инверсию разности населённостей уровней

(рис. 2) и без насыщения переходов

или

. Накачивая переход

, можно получить инверсию на переходе

, если скорость релаксац. процессов между уровнями

значительно меньше скорости релаксации между уровнями

. Под действием H. частицы переходят с уровня

на уровень

и затем в результате релаксац. процесса попадают на уровень

, где накапливаются. В то же время уровень

остаётся практически пустым, поскольку все частицы, попадающие на него, быстро переходят на уровень

H. газовых лазеров осуществляется постоянным или импульсным током. Энергия H. передаётся свободным электронам, к-рые сталкиваются с атомами или молекулами, ионизируют или возбуждают их. Одноврем. идёт обратный процесс рекомбинации электронов и ионов с образованием возбуждённых частиц. Возбуждённые частицы сталкиваются между собой и с невозбуждёнными частицами, обмениваются энергией возбуждения и переходят на др. уровни энергии. В результате в газоразрядной плазме наблюдается широкий спектр возбуждений и возможны инверсные состояния разл. квантовых переходов в диапазоне волн от долей миллиметра до долей микрометра.

Рис. 2. Накачка четырёхуровневой системы: распределение населённостей уровней равновесное (а) и в условиях накачки перехода (б).

В результате хим. и фотохим. реакций в газах также образуются ионы, атомы или молекулы в возбуждённом состоянии. Последующие хим. превращения и релаксац. процессы часто приводят к инверсии населённостей или непосредств. продуктов реакции, или специально введённых примесей с подходящей структурой энергетич. уровней. Газоразрядные лазеры и хим. лазеры могут иметь очень большой (до 50%) коэф. преобразования мощности H. в мощность лазерного излучения.

H. гетеролазеров осуществляется постоянным (или импульсным) током. Под действием сильного прямого тока через p - n-переход происходит диффузия носителей заряда в зону p - n-перехода и повышается их концентрация до такой степени, что плотность занятых уровней вблизи дна зоны проводимости становится больше плотности занятых уровней вблизи потолка валентной зоны. T. о. создаётся инверсия разности населённостей уровней в узкой зоне вблизи p - n-перехода. Гетеролазеры также отличаются большим кпд (до 50%). Др. высокоэфф. способом H. полупроводникового лазера является облучение кристалла электронным пучком с энергией 10³-10⁸ эВ. Электронный пучок пронизывает значит. толщину кристалла и производит в его объёме ионизацию с образованием электрон-дырочных пар с достаточной для лазерной генерации концентрацией. Кпд лазера с электронно-пучковой H. может достигать 30% при мощности излучения до 1 МВт.

В параметрич. устройствах радиодиапазона H. осуществляет периодич. изменение величины ёмкости или индуктивности колебат. контура или резонатора. Если ёмкость конденсатора уменьшается в те моменты, когда заряд на нём максимален, и вновь увеличивается, когда заряд отсутствует, то энергия, накопленная в контуре, периодически увеличивается за счёт H. В рассмотренном простейшем случае частота воздействия H. вдвое превышает собств. частоту контура, на к-рой происходит усиление или генерация. Этот эффект наз. параметрич. усилением и используется в усилителях и генераторах радиодиапазона (см. Параметрическая генерация и усиление электромагнитных колебаний).

Аналогичные явления можно наблюдать и в оптич. диапазоне при воздействии на нелинейную оптич. среду мощной волны H., возбуждающей бегущую волну изменяющегося показателя преломления. Эта волна при благоприятных условиях порождает вторичную эл--магн. волну на частоте, отличной от частоты H. Условиями возникновения вторичной волны являются превышение плотности энергии волны H. над определённым пороговым значением, фазовый синхронизм вторичной волны и волны изменений показателя преломления. Последнее условие может быть реализовано только в анизотропных средах (кристаллах) или в средах о аномальной дисперсией.

H. наз. также оптич. волну, порождающую нелинейные оптич. эффекты, связанные с изучением вторичных когерентных волн, в т. ч. вынужденное комбинац. рассеяние и вынужденное рассеяние Мандельштама --Бриллюэна.

Литература по накачке в квантовой электронике

Знаете ли Вы, что, когда некоторые исследователи, пытающиеся примирить релятивизм и эфирную физику, говорят, например, о том, что космос состоит на 70% из "физического вакуума", а на 30% - из вещества и поля, то они впадают в фундаментальное логическое противоречие. Это противоречие заключается в следующем.

Вещество и поле не есть что-то отдельное от эфира, также как и человеческое тело не есть что-то отдельное от атомов и молекул его составляющих. Оно и есть эти атомы и молекулы, собранные в определенном порядке. Также и вещество не есть что-то отдельное от элементарных частиц, а оно состоит из них как базовой материи. Также и элементарные частицы состоят из частиц эфира как базовой материи нижнего уровня. Таким образом, всё, что есть во вселенной - это есть эфир. Эфира 100%. Из него состоят элементарные частицы, а из них всё остальное. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.