Магнитные полупроводники. РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Магнитные полупроводники - вещества, к-рые сочетают в себе полупроводниковый тип электропроводимости с магн. упорядочением. Среди М. п. имеются материалы с разл. типами магн. упорядочения - ферромагнитным, антиферромагнитным, геликоидальным и т. д. (см. Магнитная атомная структура ).К этому классу веществ относятся также нек-рые спиновые стёкла.

Характеристики магнитных полупроводников

Температура магнитных фазных переходов у магнитных полупроводников лежит, как правило, в диапазоне гелиевых (4,2К) и азотных (~77,4 К) температур, хотя известны материалы с точкой Кюри T_с~300 К (напр.,

). Наиб. изученными являются М. п. типа ЕиХ, где'' X - О, S, Se, Те, и соединения со структурой шпинели типа АСr₂Х₄, где А - Сu, Cd, Zn, Hg, Fe, Co; X -S, Se, Те (см. табл.).

Рис. 2. Фазовая диаграмма магнитного

полупроводника

Электронный спектр магнитного полупроводника определяется 2 разнородными подсистемами - подвижными носителями заряда (электронами проводимости и дырками) и более локализованными электронами атомов переходных (или редкоземельных) металлов, содержащих недостроенные d- или f-оболочки. Ввиду этого электронный спектр М. п. не может быть описан (даже в нулевом приближении) простейшей двухзонной моделью (см. Полупроводники)и включает в себя, как правило, третью, т. н. d- или f-зону (рис. 1).

Магнитный полупроводник характеризуется, как правило, наличием т. н. непрямого обменного взаимодействия между d- или f-ионами. В решётке М. п. магн. ионы (для определённости d-ионы) разделены немагнитными и поэтому волновые функции d-электронов не перекрываются. Прямое обменное взаимодействие между ними отсутствует. Однако возникает непрямое взаимодействие, обусловленное тем, что волновые функции магн. ионов перекрываются через волновые функции немагн. ионов. Непрямой обмен приводит к заметному изменению магн. свойств М. п. при легировании. Так, при замещении в ферромагн. М. п.

атомов Cd на атомы Zn вначале происходит уменьшение Т_с, а затем ферромагн. упорядочение меняется на геликоидальное антиферромагнитное, причём этот переход происходит через состояние спинового стекла (рис. 2). Легирование

примесью In (донор) или Ag (акцептор) уменьшает или увеличивает Т_с.

Кроме обменного взаимодействия между парамагнитными ионами через неподвижные немагнитные ионы в М. п. может иметь место обменное взаимодействие через подвижные носители заряда. Взаимодействие между подвижными носителями заряда и малоподвижными d-электронами приводит к зависимости электрич. свойств от магн. состояния М. п. и, наоборот, магн. свойств от концентрации носителей заряда в М. п. Так, в М. п. наблюдаются резкие (на неск. порядков) скачки проводимости при изменении температуры Т, резкое изменение Т_c при изменении концентрации носителей в ходе легирования, резкие скачки магнетосопротивления, аномально большое отрицат. магнетосопротивление вблизи точки Кюри Т_с.

Подвижность носителей в М. п. невелика по сравнению с обычными полупроводниками. Она лимитируется дополнит. механизмом рассеяния на неоднородностях и флуктуациях намагниченности (см. Рассеяние носителей заряда в твердом теле). Определение эффективной массы носителей с помощью эффекта Холла затруднено, т. к. из-за спонтанной намагниченности велик вклад аномальной составляющей (см. Холла эффект, Гальваномагнитные явления). Кроме того, наличие электрон-магнонного взаимодействия в М. п. приводит к изменению величины затухания спиновых волн в М. п. при пропускании тока.

Рис. 3. Температурная зависимость края оптического поглощения в EuS (а) и HgCr₂Se₄ (б);

- ширина запрещённой зоны.

Характерной особенностью М.н. является т. н. гигантское красное смещение края оптич. поглощения при изменении температуры. Так, у

край поглощения сдвигается от 0,8 до 0,3 эВ при понижении Т от 300 до 4 К (рис. 3). Нек-рым М. п. свойственны явления фотомагнетизма (изменение магн. свойств при освещении). Так, в

при освещении изменяются магн. проницаемость, коэрцитивная сила, вид скачков Баркгаузена.

Многие особенности магнитных полупроводников, в частности аномалии кинетич. характеристик, иногда объясняют исходя из теоретич. предсказания существования в М. п. феронов - областей, в к-рых концентрация электронов проводимости и магн. момент отличаются от средних по кристаллу. Такие области могут быть, в частности, локализованы на примесях, вакансиях и др. дефектах. Наличие дефектов существенно влияет также на магнитокристаллич. анизотропию М. п. Так, чистый М. п.

практически изотропен, но при легировании и отжиге, к-рые меняют число примесей и вакансий, становится анизотропным, причём направление осей анизотропии и её степень можно изменять, меняя кол-во и тип примесей и вакансий.

Необычные свойства магнитных полупроводников делают их перспективными для создания ячеек памяти, для термомагн. и фото-магн. записи, для вращения плоскости поляризации эл--магн. излучения, в частности в диапазоне СВЧ. На магнитных полупроводниках реализованы р - п-переходы, Шоттки барьеры и др. структуры.

Литература по магнитным полупроводникам

Знаете ли Вы, в чем ложность понятия "физический вакуум"?

Физический вакуум - понятие релятивистской квантовой физики, под ним там понимают низшее (основное) энергетическое состояние квантованного поля, обладающее нулевыми импульсом, моментом импульса и другими квантовыми числами. Физическим вакуумом релятивистские теоретики называют полностью лишённое вещества пространство, заполненное неизмеряемым, а значит, лишь воображаемым полем. Такое состояние по мнению релятивистов не является абсолютной пустотой, но пространством, заполненным некими фантомными (виртуальными) частицами. Релятивистская квантовая теория поля утверждает, что, в согласии с принципом неопределённости Гейзенберга, в физическом вакууме постоянно рождаются и исчезают виртуальные, то есть кажущиеся (кому кажущиеся?), частицы: происходят так называемые нулевые колебания полей. Виртуальные частицы физического вакуума, а следовательно, он сам, по определению не имеют системы отсчета, так как в противном случае нарушался бы принцип относительности Эйнштейна, на котором основывается теория относительности (то есть стала бы возможной абсолютная система измерения с отсчетом от частиц физического вакуума, что в свою очередь однозначно опровергло бы принцип относительности, на котором постороена СТО). Таким образом, физический вакуум и его частицы не есть элементы физического мира, но лишь элементы теории относительности, которые существуют не в реальном мире, но лишь в релятивистских формулах, нарушая при этом принцип причинности (возникают и исчезают беспричинно), принцип объективности (виртуальные частицы можно считать в зависимсоти от желания теоретика либо существующими, либо не существующими), принцип фактической измеримости (не наблюдаемы, не имеют своей ИСО).

Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.

Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.

Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.

Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.


Соединение	Тип магн. упорядочения	Кристаллич. структура	Постоянная ре-щётки, А	T_C, к
CdCr₂S₄	ФМ	шпинель	10,24	84,5
CdCrSe₄	ФМ	"	10,75	130
HgCr₂Se₄	ФМ	"	10, 75	106
СuСr₂Sе₃Вr₂	ФМ	"	10.4	274
ZnCr₂Se₄	ГАФ	"		20
HgCr₂S₄	ГАФ	"		60
ZnCr₂S₄	СФ	"		18
EuO	ФМ	NaCl	5, 141	67
EuS	ФМ	"	5,468	16
KuSe	АФМ	"	6, 135	4,6
EuTe	АФМ	"	6,598	9,6
Примечание. ФМ - ферромагнетик; АФМ- антиферромагнетик; Г АФ - геликоидальный антиферромагнетик; СФ - слабый ферромагнетик.