Фогта эффект - один из эффектов магнитооптики, заключающийся в возникновении двойного лучепреломления эл--магн. волны
(обычно света) при её распространении в Твёрдых телах (напр.,
кристаллах) в направлении, перпендикулярном внеш. магн. полю, в к-ром
находится тело. Этот эффект наз. также Коттона - Мутона эффектом
,если свет распространяется в газе или жидкости, т. е. в средах со
свободными молекулами, имеющими спонтанный или индуцированный магн.
момент. Назван по имени В. Фогта (V. Voigt).
Ф. э. проявляется в том, что линейно поляризованное эл--магн. излучение
после прохождения слоя изотропного твёрдого вещества, помещённого в
магн. поле, в направлении, перпендикулярном магн. полю, становится
эллиптически поляризованным. Это обусловлено возникающей в магн. поле оптической анизотропией
вещества с выделенным направлением вдоль магн. поля. Составляющие
эл--магн. волны, линейно поляризованные вдоль и поперёк магн. поля,
имеют разную скорость распространения, поэтому при прохождении слоя
вещества они приобретают разность фаз и выходящее из слоя излучение
оказывается эллиптически поляризованным (обычно выбирают свет, линейно
поляризованный под углом, близким к 45° относительно магн. поля).
Фазовый сдвиг, определяющий параметры эллипса поляризации, пропорционален толщине слоя / и разности показателей преломления для волн, поляризованных соответственно вдоль и поперёк магн. поля:
где с-скорость света, -частота эл--магн. поля.
В общем случае оптически анизотропной среды величина выражается через компоненты тензора диэлектрич. проницаемости. Для слабопоглощающей среды
где ось z направлена вдоль магн. поля, а ось х перпендикулярна направлениям магн. поля и распространения эл--магн. волны. Поскольку, в силу Онсагера теоремы, диагональные компоненты тензора являются чётными функциями напряжённости магн. поля, тем же свойством обладает и фазовый сдвиг , так что Ф. э., в отличие от линейного Фарадея эффекта ,является квадратичным по магн. полю. В не очень сильных магн. полях величина , где коэф. V
зависит от частоты эл--магн. поля и определяется механизмом
взаимодействия излучения с твёрдым телом. Так, в ИК-области, где оптич.
свойства кристалла определяются свободными носителями заряда,
где е, N и т - заряд, концентрация и эфф. масса носителей заряда.
Поскольку величина компонентызависит
от направления магн. поля относительно кристаллографич. осей кристалла,
Ф. э. может быть анизотропным даже в оптически изотропных кристаллах.
Напр., в кубич. полупроводниках с анизотропными изоэнергетич.
поверхностями (n-Ge, n-Si)
является анизотропной величиной, зависящей от ориентации магн. поля в
кристалле. В то же время в кубич. полупроводниках со сферич.
изоэнергетич. поверхностями
Ф. э. изотропен. T. о., исследование Ф. э. даёт информацию о форме
изоэнергетич. поверхностей в кубич. полупроводниках. Ф. э. используется
также для определения эфф. массы носителей заряда.
В полупроводниках обычно при Э. Наиб, величиныФ.
э. достигает в магнитоупорядоченных кристаллах (напр.,
ферромагнетиках), где он обусловлен не внеш. магн. полем, а спонтанной намагниченностью.
Литература по
Смоленский Г. А., Писарев P. В., Синий И.Г.Двойное лучепреломление света в магнитоупорядоченных кристал лах, «УФН», 1975, т. 116, с. 231; Сизов Ф. Ф., Уханов Ю. И, Магнитооптические эффекты Фарадея и Фогта в применении к по лупроводникам, К., 1979. Э. M. Эпштейн
Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет) При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 1011 раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов. Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
, определяющий параметры эллипса поляризации, пропорционален толщине слоя / и разности показателей преломления 
для волн, поляризованных соответственно вдоль и поперёк магн. поля:
-частота эл--магн. поля.
выражается через компоненты тензора диэлектрич. проницаемости
. Для слабопоглощающей среды
ось z направлена вдоль магн. поля, а ось х перпендикулярна направлениям магн. поля и распространения эл--магн. волны. Поскольку, в силу Онсагера теоремы, диагональные компоненты тензора 
являются чётными функциями напряжённости магн. поля, тем же свойством обладает и фазовый сдвиг 
, так что Ф. э., в отличие от линейного Фарадея эффекта ,является квадратичным по магн. полю. В не очень сильных магн. полях величина 
, где коэф. V
зависит от частоты эл--магн. поля и определяется механизмом
взаимодействия излучения с твёрдым телом. Так, в ИК-области, где оптич.
свойства кристалла определяются свободными носителями заряда,
зависит
от направления магн. поля относительно кристаллографич. осей кристалла,
Ф. э. может быть анизотропным даже в оптически изотропных кристаллах.
Напр., в кубич. полупроводниках с анизотропными изоэнергетич.
поверхностями (n-Ge, n-Si) 
является анизотропной величиной, зависящей от ориентации магн. поля в
кристалле. В то же время в кубич. полупроводниках со сферич.
изоэнергетич. поверхностями 
Ф. э. изотропен. T. о., исследование Ф. э. даёт информацию о форме
изоэнергетич. поверхностей в кубич. полупроводниках. Ф. э. используется
также для определения эфф. массы носителей заряда.
при 
Э. Наиб, величины
Ф.
э. достигает в магнитоупорядоченных кристаллах (напр.,
ферромагнетиках), где он обусловлен не внеш. магн. полем, а спонтанной намагниченностью.
