Захват носителей заряда в полупроводниках - переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника
либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее
рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный уровень;
см. Зонная теория ).Скорость rэ 3. н. з. из зоны проводимости пропорциональна концентрации п носителей в зоне, концентрации Nt примесных уровней и вероятности того, что данный уровень с энергией Et не заполнен:
rэ = aэnNt [1-f(Et)].
Здесь f(Et) - вероятность заполнения данного уровня, aэ - коэф. захвата, связанный с эффективным сечением захвата S соотношением:
aэ = SvT,
где vT - ср. скорость теплового движения носителей заряда.
Наряду с процессом 3. н. з. происходит обратный процесс - их выброс с примесных уровней в зону. Скорость этого процесса равна:
gэ =bэNt f (Et).
Согласно детального равновесия принципу ,в состоянии термодинамич. равновесия gэ=rэ, откуда bэ=aэn1. где n1=(g0/gl)Ncexp(- I/kT), g0, gl - статистич. веса соответственно пустого и заполненного уровней, Nc - эффективная плотность состояний в зоне проводимости, I - энергия ионизации примесного уровня. Суммарная скорость захвата электронов равна:
Rэ = rэ- gэ = aэNt [п (1-f)-n1 f].
Аналогичные ф-лы имеют место для захвата дырок, характеризуемого соответствующими величинами rд, aд, gд, Rд.
Захват носителей заряда в полупроводниках может явиться первым этапом процесса рекомбинации носителей заряда
через примесные центры: захват электрона из зоны проводимости и
последующий захват дырки на тот же уровень (либо наоборот). Если для
данного уровня aэ>>aд, то электрон,
захваченный на этот уровень, прежде чем рекомбинировать с дыркой, может
быть много раз выброшен обратно в зону проводимости и захвачен снова.
Такие примесные уровни наз. уровнями прилипания или ловушками для
электронов; при aд>>aэ имеем уровни прилипания для дырок. Уровни, для к-рых aэ~aд, наз. уровнями рекомбинации. При захвате обоих носителей заряда на уровни прилипания с низким темпом выброса (малые bэ и bд) неравновесное состояние может сохраняться очень долго, особенно при низких температурах.
Э. М. Эпштейн
1. Электромагнитная волна (в религиозной терминологии релятивизма - "свет") имеет строго постоянную скорость 300 тыс.км/с, абсурдно не отсчитываемую ни от чего. Реально ЭМ-волны имеют разную скорость в веществе (например, ~200 тыс км/с в стекле и ~3 млн. км/с в поверхностных слоях металлов, разную скорость в эфире (см. статью "Температура эфира и красные смещения"), разную скорость для разных частот (см. статью "О скорости ЭМ-волн")
2. В релятивизме "свет" есть мифическое явление само по себе, а не физическая волна, являющаяся волнением определенной физической среды. Релятивистский "свет" - это волнение ничего в ничем. У него нет среды-носителя колебаний.
3. В релятивизме возможны манипуляции со временем (замедление), поэтому там нарушаются основополагающие для любой науки принцип причинности и принцип строгой логичности. В релятивизме при скорости света время останавливается (поэтому в нем абсурдно говорить о частоте фотона). В релятивизме возможны такие насилия над разумом, как утверждение о взаимном превышении возраста близнецов, движущихся с субсветовой скоростью, и прочие издевательства над логикой, присущие любой религии.
4. В гравитационном релятивизме (ОТО) вопреки наблюдаемым фактам утверждается об угловом отклонении ЭМ-волн в пустом пространстве под действием гравитации. Однако астрономам известно, что свет от затменных двойных звезд не подвержен такому отклонению, а те "подтверждающие теорию Эйнштейна факты", которые якобы наблюдались А. Эддингтоном в 1919 году в отношении Солнца, являются фальсификацией. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
|
|
 |
