Бесфононные линии - узкие линии в спектрах поглощения и испускания примесных центров люминесценции (атомов,
ионов или молекул в кристаллич. или неупорядоченных твёрдых матрицах), возникающие
при оптич. излучательных квантовых переходах между уровнями энергии центра и
происходящие без участия фононов матрицы. В общем случае спектральная полоса,
отвечающая электронному (для молекулярных центров - электронно-колебательному)
переходу в примесном центре, состоит из узкого пика и относительно широкого
спектрального распределения - фононного крыла (рис.), обусловленного переходами,
сопровождающимися рождением или уничтожением фононов матрицы. Узкие бесфононные линии в
спектрах примесных центров часто наз. оптич. аналогами резонансных линий в -спектрах,
наблюдаемых при Мёссбауэра эффекте.
Относит. интенсивность бесфононных линий определяется
Дебая- Уоллера фактором a:
где
Iбл и Iфк
- интенсивности бесфононных линий и фононного крыла соответственно, T - абс. темп-pa,
- т. н. взвешенная
плотность фононных состояний частоты ,
представляющая собой произведение плотности фононных состояний на функцию электрон-фононной
связи (квадрат смещения положения равновесия кристаллич. осцилляторов при электронном
переходе в примесном
Схема уровней (вверху)
и общий вид спектральной полосы (внизу) примесного центра (S0 и S1-
основное и возбуждённое электронные состояния);
- колебат. подуровни примесного центра; БФЛ - бесфононная линия, ФК - фононное
крыло. Фононные уровни на рис. не изображены.
центре). Чем прочнее электрон-фононная
связь, тем слабее бесфононных линий. Повышение температуры приводит к ослаблению Б. л. и "перекачке"
энергии в фононное крыло (суммарная интенсивность практически не зависит от
температуры). В области температур, отвечающих условию
( nмакс-
макс. частота фононов, участвующих в электрон-фононном взаимодействии),
интенсивность бесфононных линий с повышением температуры падает экспоненциально. Электрон-фононное взаимодействие
приводит также к температурному уширению и сдвигу Б. л.
При низких темп-pax бесфононные линии наблюдаются
в спектрах кристаллов с ионами редкоземельных и переходных элементов, примесных
щелочно-галоидных кристаллов, нек-рых молекулярных кристаллов с примесными молекулами
и др. Ширина наблюдаемых бесфононных линий даже при гелиевых темп-pax обычно на 3 порядка
превышает радиационную ширину, что в основном обусловлено неоднородностью кристаллич.
матрицы. Методы селективной лазерной спектроскопии позволяют выявлять
узкие бесфононные линии (шириной менее 10-3 см-1) в спектрах сложных
соединений.
P. И. Персонов