Баллистические фононы - неравновесные акустич. фононы ,распространяющиеся в кристалле без рассеяния. Баллистич.
распространение нарушается рассеянием на статич. дефектах кристаллич.
решётки и свободных носителях заряда, а также фонон-фононным рассеянием. Сечения
этих процессов растут с ростом частоты w
фонона, поэтому баллистич. распространение имеет место только для фононов достаточно
низких частот в совершенных кристаллах диэлектриков и полупроводников при достаточно низкой температуре T образца. При типичных расстояниях
между излучателем и приёмником R=0,1-1 см Б.ф. с
Гц можно наблюдать при К.
Обычный источник баллистических фононов - металлич. плёнка
(толщиной и площадью
0,1 мм2),
напыленная на одну из граней образца и нагреваемая до температуры
импульсом тока или лазерного излучения
(длительностью 0,1
мкс). Плёнка инжектирует в кристалл фононы с широким спектром частот, соответствующим
Планка закону излучения с температурой ;
угловое распределение инжектир. фононов близко к изотропному. Простейшим детектором
фононов служит болометр - плёнка примерно таких же размеров, как излучатель,
напыленная на др. грань образца; отклик болометра обусловлен изменением его
сопротивления при нагреве за счёт поглощения фононов.
Измеряя времена прихода, можно получить
информацию о законе дисперсии
фононов в диапазоне 1011- 1012 Гц, к-рый недоступен для
УЗ-методов (ограниченных частотами [10
ГГц) и в к-ром нейтронные измерения (см. Неупругое рассеяние нейтронов)имеют
малую точность из-за малой передачи импульса при рассеянии. Высота баллистич.
пика пропорц. ,
где l - длина свободного пробега фонона. По высоте пика можно судить
об интенсивности рассеяния фононов каждой поляризации при фиксированном направлении
q (т. к. l усреднена только по ).
С помощью сверхпроводящего детектора, регистрирующего только фононы, поглощение
к-рых. приводит к разрыву куперовских пар (т. е. с ),
где - энергетич.
щель сверхпроводника), можно измерить
только при , т.
е. разделить фононы по частоте.
Анизотропия существенно усложняет картину
баллистич. распространения. Из рис. видно, что даже в наиб. симметрич. направлении
[001] распространяются не только
фононы с
[001], но и медленные ST фононы [от англ. slow, для к-рых q лежит в плоскости (011)]. Такие же ST фононы есть в плоскости (001)
Сечение многолистной
поверхности плоскостью
(011) в кубическом кристалле. Видна изолированная поверхность, соответствующая
L фононам, и 2 взаимно пересекающиеся поверхности, отвечающие T фононам.
На них раздельно помечены листы, соответствующие фононам малой (ST) и большой
(FT)фазовым скоростям
. С учётом симметрии, т. о., оказывается,
что [001] в 10
точках q: в 1 точке на листе L, в 1 точке касания листов FT (от англ. Fast - быстрый) и ST и в 8 точках на листе ST. Среди
этих групповых скоростей 4 разные, так что если
[001], то детектор должен зафиксировать 4 импульса - 1 продольный и 3 близких
по времени прихода поперечных. Если быстрые FT фононы, инжектированные
точечным излучателем, распределены по направлениям q изотропно, то их
скорости группируются
около направлений [001] и [011], а около направлений [111] есть области телесных
углов, внутрь к-рых групповые скорости вообще не попадают. Это значит, что поток
энергии FT фононов будет концентрирован вдоль [001] и [011] (фононная
фокусировка) и будет равен О в конусах с осями [111]
(внутр. коническая рефракция).
И. Б. Левинсон