к оглавлению

Основные схемы усилительных приборов

Ранее мы уже рассматривали три основные схемы сключения полупроводниковых триодов: биполярных (npn, pnp) и полевых.
Аналогично ламповым усилительным каскадам собирают и транзисторные усилительные каскады по любой из трех схем включения, показанных на рис. 1:

Рис. 1. Три схемы включения транзисторов в усилительные каскады: а - с ОБ; б - с ОЭ; в - с ОК

 а) с общей, т. е. заземленной базой ОБ (аналогично ламповой схеме с общей сеткой);

б) с общим, т. е. заземленным эмиттером ОЭ (аналогично ламповой схеме с общим катодом);

в) с общим коллектором ОК (аналогично схеме с общим анодом).

Аналогичные схемы включения имеются у полевых транзисторов, что показано на рисунке ниже.

Рис. 2. Схемы включения полевых транзисторов: а) ОИ; б) ОЗ; в) ОС

В этих схемах, собираемых на транзисторах типа р-n-р, обозначены: Еб - источник напряжения смещения (доли вольта), включенный во входную цепь усилительного каскада, предназначенный для выбора необходимого рабочего режима в классе А или AВ, те есть для выбора положения рабочей точки на входной динамической (переходной) характеристике; Ек - источник питания постоянного тока выходной коллекторной цепи (единицы-десятки вольт).

На входе каждой схемы усилительного каскада включен эквивалентный генератор переменного напряжения как источник входного сигнала с ЭДС ег и внутренним сопротивлением Rг. Входное напряжение подается между точками а-б. Непосредственно в выходную цепь каждого усилительного каскада в качестве нагрузки включен резистор Rк = Rн.

Согласно первому закону Киргофа, во всех каскадах ток эмиттера Iэ, равен сумме токов базы Iб и коллектора Iк, то есть Iэ= Iб + Iк.

На всех схемах стрелками показано общепринятое направление токов от плюса к минусу источника питания, противоположное направлению движения электронов. Во всех схемах усилительных каскадов можно определить основные расчетные параметры для низкочастотных с малой амплитудой усилительных сигналов при Rн = Rк << rк, где rк  -  дифференциальное сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода транзистора, имеющего величину около сотен килом и единиц мегом.

При этом, пользуясь h-параметрами, получают расчетные формулы, одинаковые по внешнему виду, по которым рассчитываются разные по величине параметры усилительных каскадов для каждой из вышеуказанных трех схем включения транзисторов. А именно: коэффициент усиления (передачи) по току Кi h21; коэффициент усиления каскада по напряжению

коэффициент усиления по мощности Кр = Кi * Кu =

Входное сопротивление каскада, равное входному сопротивлению транзистора Rвх к-да h11; выходное сопротивление каскада

 

Rвых к-да = rк || Rк Rк, так как rк >> Rк;

или Rвых к-да  || Rк Rк, где

определитель Dh11 = h11* h22 — h21 * h12.

Приведем сводную таблицу двух основных расчетных параметров низкочастотных транзисторных усилительных каскадов с двумя источниками питания Еб и Ек с использованием основных физических параметров транзисторов ( rб, rк, rэ, a , b ) при Rн =   = Rк << rк.

При этом надо иметь в виду, что физические параметры транзисторов по переменному току можно определить по известным h-параметрам, например:

 

                                                                             Таблица 1.

Параметры усилительного каскада

Схема с ОБ

Схема с ОЭ

Схема с ОК

Кi

a 0,9 -0,995

b = 8 - 200

g = 1 + b

Кu

aRк /Rвх к-да          десятки-сотни

bRк/Rвх к-да =          = десятки-тысячи

Uвых/Uвх < 1Кiu Кi

Кp

КiКu Кu

КiКu             (самый большой)

rб+(1+b)* (rэ + Rн)

Rвх к-да

rэ+(1—a)rб

десятки Ом

rб+(1+b)rэ (0.5¸10)кОм

(десятки - сотни) кОм

Rвых к-да

(rк + rб)[1- arб /

/(rб + rк + Rг)] || || Rк Rк или

rк || Rк Rк

rк (1- a)[1 + brэ / /(rб + rк + Rг)] || || Rк Rк или

rd || Rк Rк

 

Rвых к-да Rн

Фаза выходного напряжения

Не меняется

Меняется на 180°

Не меняется

 Примечание. Если в рассмотренных схемах усилительных каскадов применить транзисторы типа n-р-n, то расчетные формулы не изменятся, поменяется только полярность питающих напряжений.

Из этой таблицы видно, что разные схемы транзисторных усилительных каскадов дают возможность получить

 К < 1; K К>> 1; Rвх б < Rвх э < Rвх к;

 К < К >> К < 1; (Rвых б ³ Rвых э ³ Rвых к) Rк.

На практике применяются все три схемы усилительных каскадов на транзисторах, однако наибольшее применение получили усилительные каскады на транзисторах, собранные по схеме с общим эмиттером, так как они, обеспечивая большое усиление сигнала и по напряжению и по току, дают более высокое усиление сигнала по мощности.

к оглавлению


Знаете ли Вы, что электромагнитное и другие поля есть различные типы колебаний, деформаций и вариаций давления в эфире.

Понятие же "физического вакуума" в релятивистской квантовой теории поля подразумевает, что во-первых, он не имеет физической природы, в нем лишь виртуальные частицы у которых нет физической системы отсчета, это "фантомы", во-вторых, "физический вакуум" - это наинизшее состояние поля, "нуль-точка", что противоречит реальным фактам, так как, на самом деле, вся энергия материи содержится в эфире и нет иной энергии и иного носителя полей и вещества кроме самого эфира.

В отличие от лукавого понятия "физический вакуум", как бы совместимого с релятивизмом, понятие "эфир" подразумевает наличие базового уровня всей физической материи, имеющего как собственную систему отсчета (обнаруживаемую экспериментально, например, через фоновое космичекое излучение, - тепловое излучение самого эфира), так и являющимся носителем 100% энергии вселенной, а не "нуль-точкой" или "остаточными", "нулевыми колебаниями пространства". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМА

Форум Рыцари теории эфира


Рыцари теории эфира
 29.11.2020 - 09:10: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Пламена Паскова - Карим_Хайдаров.
29.11.2020 - 09:04: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
29.11.2020 - 09:03: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
29.11.2020 - 09:01: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
29.11.2020 - 09:01: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМЫ МЕДИЦИНЫ - Карим_Хайдаров.
29.11.2020 - 08:58: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ЭКОЛОГИЯ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
28.11.2020 - 15:48: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Юрия Воробьевского - Карим_Хайдаров.
28.11.2020 - 11:37: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ЗА НАМИ БЛЮДЯТ - Карим_Хайдаров.
28.11.2020 - 11:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Аманды Вольмер - Карим_Хайдаров.
28.11.2020 - 09:04: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Александра Флоридского - Карим_Хайдаров.
27.11.2020 - 21:02: СОВЕСТЬ - Conscience -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
27.11.2020 - 20:57: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Амары Ельской - Карим_Хайдаров.

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution