Полевые транзисторы, принцип действия, схема включения

Полевой транзистор, FET, Field-Effect-Transistor (транзистор, управляемый электрическим полем) - это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал от вывода "исток" (source) к выводу "сток" (drain), управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между управляющим выводом - затвором (gate) и истоком, и который предназначен для усиления мощности электрического сигнала, подаваемого на управляющий электрод, называемый затвором.

Затвор полевого транзистора является аналогом базы биполярного транзистора, исток - аналогом эмиттера, сток - аналогом коллектора.

К классу полевых относят транзисторы, принцип действия которых основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Вследствие этого транзисторы называют полевыми.

По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р-n- перехода и с изолированным затвором (МДП- или МОП-транзисторы, MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor (металл – окисел – полупроводник): встроенным каналом и индуцированным каналом.

В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: полевые транзисторы с каналом р- типа и n- типа. Канал р- типа обладает дырочной проводимостью, а n- типа - электронной.

Полупроводниковые приборы

Знаете ли Вы, что в 1974 - 1980 годах профессор Стефан Маринов из г. Грац, Австрия, проделал серию экспериментов, в которых показал, что Земля движется по отношению к некоторой космической системе отсчета со скоростью 360±30 км/с, которая явно имеет какой-то абсолютный статус. Естественно, ему не давали нигде выступать и он вынужден был начать выпуск своего научного журнала "Deutsche Physik", где объяснял открытое им явление. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМА

Рыцари теории эфира