Электролюминесценция - люминесценция ,возбуждаемая электрич. полем. Наблюдается в газах
и твёрдых телах. При Э. атомы (молекулы) вещества переходят в возбуждённое состояние
в результате возникновения в нём к--л. формы электрич. разряда. Из разл. типов
Э. тв. тел наиб. важны и н ж е к ц и о н н а я и п р е д п р о б о й н а я.
Инжекционная Э. характерна для р - n-перехода в нек-рых полупроводниках,
напр. в SiC или GaP, в пост. электрич. поле, включённом в пропускном направлении.
В n-область инжектируются избыточные дырки, а в p-область - электроны
(или те и другие в тонкий слой между р- и n-областями). Свечение
возникает при рекомбинации электронов и дырок в р - n-слое.
Предпробойная Э. наблюдается,
напр., в порошкообразном ZnS, активированном Сu, Аl, и др. веществах, помещённых
в диэлектрик между обкладками конденсатора, на к-рый подаётся перем. напряжение
звуковой частоты. При макс. напряжении на обкладках конденсатора на краях частичек
люминофора концентрируется сильное электрич. поле, к-рое ускоряет свободные
электроны, и происходят процессы, близкие к электрич. пробою. Электроны ионизуют
атомы; образовавшиеся дырки захватываются центрами свечения, на к-рых
рекомбинируют электроны при изменении направления поля.
Подобный механизм реализуется
и в многослойных тонкоплёночных системах, где светящаяся плёнка толщиной ок.
1 мкм изолирована от обкладок конденсатора ещё более тонкими слоями диэлектрика.
Особенностью таких систем является возможность создания в слое люминофора очень
высокой напряжённости электрич. поля (~ 108 В/м), благодаря чему
удаётся получить по неск. квантов света от каждого прошедшего сквозь слой электрона.
Др. особенность- возможность получения бистабильного режима, в к-ром стационарная
яркость свечения зависит от того, достигнута ли данная амплитуда напряжения
путём его повышения или понижения.
Возможны и др. механизмы
предпробойной Э.- прямое возбуждение центров свечения электронным ударом, а
также внутризонная Э., наблюдаемая в р - n-переходах, включённых в запорном
направлении. При внутризонной Э. свободные электроны (или дырки) испускают свет
при переходах в пределах зоны проводимости (валентной зоны), без участия центров
свечения. Такая Э. отличается крайне широким спектром, охватывающим всю область
прозрачности полупроводника и даже заходящим в область собств. поглощения.
Э. газов (свечение газового
разряда) используется в газоразрядных трубках. Э. тв. тел применяется для индикаторных
устройств (электролюминесцентные, знаковые индикаторы, мнемосхемы, преобразователи
изображений и т.д.).
Применяемые в настоящее
время системы с предпробойной Э. изготовляются гл. обр. на основе ZnS. Они подвержены
деградации (постепенному снижению яркости во время работы) вследствие ионных
процессов под действием сильного электрич. поля. Значительно более стойки системы
на основе GaN, но технология их изготовления ещё недостаточно разработана. Разрабатываются
также системы на основе органич. соединений с двойными связями.
Литература по
Прикладная электролюминесценция, М., 1974; Верещагин И. К., Электролюминесценция кристаллов,
М., 1974; Верев-кин Ю. Н., Деградационные процессы в электролюминесценции твердых
тел, Л., 1983. М. В. Фок.
Знаете ли Вы, что cогласно релятивистской мифологии "гравитационное линзирование - это физическое явление, связанное с отклонением лучей света в поле тяжести. Гравитационные линзы обясняют образование кратных изображений одного и того же астрономического объекта (квазаров, галактик), когда на луч зрения от источника к наблюдателю попадает другая галактика или скопление галактик (собственно линза). В некоторых изображениях происходит усиление яркости оригинального источника." (Релятивисты приводят примеры искажения изображений галактик в качестве подтверждения ОТО - воздействия гравитации на свет) При этом они забывают, что поле действия эффекта ОТО - это малые углы вблизи поверхности звезд, где на самом деле этот эффект не наблюдается (затменные двойные). Разница в шкалах явлений реального искажения изображений галактик и мифического отклонения вблизи звезд - 1011 раз. Приведу аналогию. Можно говорить о воздействии поверхностного натяжения на форму капель, но нельзя серьезно говорить о силе поверхностного натяжения, как о причине океанских приливов. Эфирная физика находит ответ на наблюдаемое явление искажения изображений галактик. Это результат нагрева эфира вблизи галактик, изменения его плотности и, следовательно, изменения скорости света на галактических расстояниях вследствие преломления света в эфире различной плотности. Подтверждением термической природы искажения изображений галактик является прямая связь этого искажения с радиоизлучением пространства, то есть эфира в этом месте, смещение спектра CMB (космическое микроволновое излучение) в данном направлении в высокочастотную область. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
