Фоторезистор - полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл--магн.
излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия
основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость ).Основу
Ф. составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или
без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается
к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка
или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно
на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные
т.о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф.
могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые
и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных
схем. Для расширения функцией, возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами,
растрами (оптич. модуляторами), предварит. усилителями (в микроминиатюрном исполнении),
термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. (рис. 1).
Рис. 1. Охлаждаемый
фоторезистор: 1 - входное окно; 2
- фоточувствительный элемент; 3 - контактная колодка; 4 - предусилитель;
5 - теплоотвод: 6 - электрические выводы;
7-основание; 8-терморезистор; 9 - термоэлектрический
охладитель.
Основные параметры фоторезистора: темновое сопротивление (101-1014 Ом); спектральный
диапазон чувствительности (0,5-120 мкм); постоянная времени (10-2-
10-9 с); вольтовая чувствительность (103-106
В/Вт); обнаружительная способность (108 -1016 см•Гц1/2•Вт-1);
температурный коэф. чувствительности (0,1-5%/К); рабочее напряжение (0,1 -100
В).
Рис. 2. Кривые
спектральной чувствительности фоторезисторов на основе CdS (кривая I),
CdSe (2), PbS (3), твёрдого раствора PbS-PbSe (4,5), PbSe
(6), PbSn(Te) (7).
Ф. обладают избирательностью к внеш. излучению: так, Ф. на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому, УФ-, рентг. и g-излучениям, а также к ближнему ИК-излучению; Ф. на основе PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe -к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм (рис. 2), а на основе легированных Si и Ge - до 40 мкм. Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая разнообразное конструктивно-технол. исполнение, способность работать в широком диапазоне механич. и климатич. воздействий обусловили широкое использование Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники .(См. также Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые приборы.)
А. О. Олеск.
Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.
Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.
Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.
Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.