Фоторезистор. РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Фоторезистор - полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл--магн. излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость ).Основу Ф. составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные т.о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных схем. Для расширения функцией, возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами (оптич. модуляторами), предварит. усилителями (в микроминиатюрном исполнении), термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. (рис. 1).

Рис. 1. Охлаждаемый фоторезистор: 1 - входное окно; 2 - фоточувствительный элемент; 3 - контактная колодка; 4 - предусилитель; 5 - теплоотвод: 6 - электрические выводы; 7-основание; 8-терморезистор; 9 - термоэлектрический охладитель.

Основные параметры фоторезистора: темновое сопротивление (10¹-10¹⁴ Ом); спектральный диапазон чувствительности (0,5-120 мкм); постоянная времени (10^-2- 10^-9 с); вольтовая чувствительность (10³-10⁶ В/Вт); обнаружительная способность (10⁸ -10¹⁶ см•Гц^1/2•Вт^-1); температурный коэф. чувствительности (0,1-5%/К); рабочее напряжение (0,1 -100 В).

Рис. 2. Кривые спектральной чувствительности фоторезисторов на основе CdS (кривая I), CdSe (2), PbS (3), твёрдого раствора PbS-PbSe (4,5), PbSe (6), PbSn(Te) (7).

Ф. обладают избирательностью к внеш. излучению: так, Ф. на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому, УФ-, рентг. и g-излучениям, а также к ближнему ИК-излучению; Ф. на основе PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe -к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм (рис. 2), а на основе легированных Si и Ge - до 40 мкм. Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая разнообразное конструктивно-технол. исполнение, способность работать в широком диапазоне механич. и климатич. воздействий обусловили широкое использование Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники .(См. также Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые приборы.)

Литература по

Знаете ли Вы, что электромагнитное и другие поля есть различные типы колебаний, деформаций и вариаций давления в эфире.

Понятие же "физического вакуума" в релятивистской квантовой теории поля подразумевает, что во-первых, он не имеет физической природы, в нем лишь виртуальные частицы у которых нет физической системы отсчета, это "фантомы", во-вторых, "физический вакуум" - это наинизшее состояние поля, "нуль-точка", что противоречит реальным фактам, так как, на самом деле, вся энергия материи содержится в эфире и нет иной энергии и иного носителя полей и вещества кроме самого эфира.

В отличие от лукавого понятия "физический вакуум", как бы совместимого с релятивизмом, понятие "эфир" подразумевает наличие базового уровня всей физической материи, имеющего как собственную систему отсчета (обнаруживаемую экспериментально, например, через фоновое космичекое излучение, - тепловое излучение самого эфира), так и являющимся носителем 100% энергии вселенной, а не "нуль-точкой" или "остаточными", "нулевыми колебаниями пространства". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.