Ионное травление - удаление вещества с поверхности твёрдого тела под действием ионной бомбардировки.
Процесс И. т. зависит от интенсивности пучка, вида, энергии н угла
падения ионов, а также от материала и состояния мишени. В процессе И. т.
вследствие распыления, дефектообразования, имплантации ионов
и атомов отдачи меняются элементный состав и структура поверхности:
происходит обогащение поверхности определ. элементом, кристаллизация или
аморфизация поверхностного слоя. Изменение поверхностного рельефа при И. т. включает неск. стадий: 1) возникновение дефектов (вакансий, межузельных атомов, дислокаций);
2) появление микроскопич. неоднородностей размерами 10-100 нм [ямки
травления, конич. или пирамидальные выступы (рис. 1,2) границы зёрен];
3) образование неоднородностей макроскопич. размеров порядка долей мкм.
Скорость И. т. в единицах массы вещества, уносимого с единичной
площадки, определяется соотношением:
v=[MK/NZe]j,
где М - ат. масса вещества мишени, К - коэф. распыления, N - число Авогадро, Ze - заряд иона, j-
плотность ионного тока. Толщина слоя, распылённого за 1 с, равна v/r,
где r - плотность мишени.
И. т. используется для выявления структуры поверхности, дефектов,
деформированных участков. И. т. применяется также для создания
многоострийной поверхности (см. Автоэлектронная эмиссия, Ионный проектор), для профилирования при послойном анализе состава разл. слоев методами оже-спектроскопии ,для избирательного удаления вещества через маски при создании элементов микроэлектроники (см. Микролитография).
Литература по ионному травлению
Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, в. 2, пер. с англ., под ред. Р. Бериша, М., 1986.
Знаете ли Вы, что, как и всякая идолопоклонническая религия, релятивизм представляет собой инструмент идеологического подчинения одних людей другим с помощью абсолютно бессовестной манипуляции их психикой для достижения интересов определенных групп людей, стоящих у руля этой воровской машины? Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
