в общем случае отличной от mэ и mд. При п=р (собств. полупроводник) mа=0, при n>>р (полупроводник n-типа) mа=mд, при n>>p (полупроводник р-типа) mа=-mэ, т. е. в примесных полупроводниках ma совпадает с подвижностью неосновных носителей. Скорость движения пакета неравновесных носителей во внеш. электрич. поле E равна maE. Важной характеристикой Д. н. з. является длина дрейфа - ср. расстояние, к-рое успевают пройти носители от места их генерации (см. Генерация носителей заряда в полупроводниках) до места рекомбинации. Длина дрейфа l=mEt, где t - время жизни неравновесных носителей. Измерение длины дрейфа производится тем же методом, что и измерение диффузионной длины. В анизотропных кристаллах направление дрейфа может не совпадать с направлением электрич. поля (подвижности - тензоры). В сильных полях дрейф может быть анизотропным даже в изотропных (кубических) многодолинных полупроводниках (см. Сасаки-Шибуйя эффект). Направление Д. н. з. не совпадает с направлением внеш. электрич. поля в присутствии поперечного магн. поля. В сильном магн. поле Н (удовлетворяющем условию (mH/с>>1), перпендикулярном внеш. электрич. полю E, Д. н. з. происходит в направлении, перпендикулярном Е и Н, со скоростью v=cE/H, не зависящей от подвижности носителей. На этот дрейф накладывается движение носителей по окружности с циклотронной частотой w=еН/тс.
