Диффузионная длина в полупроводнике - расстояние, на к-ром плоский диффузионный поток неравновесных
носителей заряда (в отсутствие электрич. поля) уменьшается в е раз. Д.
д. L имеет смысл ср. расстояния, на к-рое смещаются носители заряда в
полупроводнике вследствие диффузии за время
их жизни: , где
D - коэф. диффузии носителей заряда в полупроводниках.
Метод измерения Д. д. состоит
в генерации неравновесных носителей (обычно светом, путём проектирования ярко
освещённой щели на поверхность образца) и их регистрации на нек-ром расстоянии
r от места генерации. Коллектором неравновесных частиц может служить
электронно-дырочный переход или контакт металл-полупроводник. Изменяя r (расстояние
между световой щелью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно
определить стационарное распределение концентраций неравновесных носителей.
Зная зависимость концентрации от отношения r/L, определяют L.
В нек-рых чистых полупроводниках,
напр. в Ge, Д. д. может достигать неск. мм.
Литература по диффузионной длине в полупроводнике
Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, M., 1977;
3еегер К., Физика полупроводников, пер. с англ., M., 1977.
Знаете ли Вы, что в 1965 году два американца Пензиас (эмигрант из Германии) и Вильсон заявили, что они открыли излучение космоса. Через несколько лет им дали Нобелевскую премию, как-будто никто не знал работ Э. Регенера, измерившего температуру космического пространства с помощью запуска болометра в стратосферу в 1933 г.? Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
их жизни: 
, где
D - коэф. диффузии носителей заряда в полупроводниках.
