Акцепторная примесь (от лат. acceptor
- принимающий) - примесь в полупроводнике, ионизация к-рой сопровождается
захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный
пример А. п.- атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках
IV группы - Ge и Si. В сложных полупроводниках А. п. могут быть атомы электроотрицат.
элементов (О, S, Se, Те, С1 и др.), избыточные по отношению к составу, отвечающему
стехиометрич. ф-ле. Введение А. п. сообщает данному полупроводнику дырочную
проводимость, т. е. ионизация А. п. приводит к появлению дырок в валентной зоне,
что описывается как переход электрона из валентной зоны на уровень А. п., расположенный
в запрещённой зоне.
Акцепторная примесь характеризуется энергией, необходимой для такого перехода (энергией ионизации А. п. ). А. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие А. п.) описываются водородоподобной моделью. Энергия ионизации такой А. п. в раз меньше энергии ионизации атома водорода ~10 эВ ( - диэлектрическая проницаемостьполупроводника, - масса свободного электрона, - эффективная масса дырок) порядка 10-100 мэВ.
Литература по акцепторным примесям
Бонч-БруевичВ. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977.
Знаете ли Вы, что, как и всякая идолопоклонническая религия, релятивизм представляет собой инструмент идеологического подчинения одних людей другим с помощью абсолютно бессовестной манипуляции их психикой для достижения интересов определенных групп людей, стоящих у руля этой воровской машины? Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
). А. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие А. п.) описываются водородоподобной моделью. Энергия ионизации такой А. п. в 
раз меньше энергии ионизации атома водорода ~10 эВ (
- диэлектрическая проницаемость полупроводника, 
- масса свободного электрона, 
- эффективная масса дырок) порядка 10-100 мэВ.
