Электрон-ионное взаимодействие - в твёрдых телах (металлах и полупроводниках) взаимодействие
между подвижными внешними (валентными) электронами и ионами (ионными остовами),
расположенными в узлах кристаллической решётки. Осн. вклад в Э--и. в. даёт притягивающий
потенциал кулоновского типа, к-рый в значит. мере компенсируется за счёт отталкивающего
потенциала электронов внутр. оболочек (остовных электронов). Поэтому Э--и. в.
принято описывать с помощью т. н. п с е вд о п о т е н ц и а л о в разл. вида,
существенно более сглаженных и слабых по сравнению с исходным потенциалом Э--и.
в. Параметры псевдопотенциала обычно выбираются с помощью подгоночной процедуры,
опирающейся на экс-перим. данные и учитывающей конкретную структуру твёрдого
тела, в т. ч. положение и тип атома в элементарной ячейке. Построение псевдопотенциала
неоднозначно, т. к. оно обусловлено лишь дополнительным "кинематическим" требованием
ортогонализации волновых функций внеш. и внутр. электронов; это условие фактически
приводит к нек-рому эфф. "динамическому" вкладу в исходный потенциал, существенно
ослабляющему последний.
При решении ур-ния Шрёдингера с использованием псевдопотенциала для расчёта энергий и волновых функций внеш. электронов в одноэлектронном приближении (в рамках приближений слабой или сильной связи, см. Зонная теория)применима возмущений теория; при этом кристаллич. решётка считается неподвижной (т. н. приближение статической решётки). Учёт тепловых колебаний ионов вблизи положений равновесия в узлах кристаллич. решётки благодаря Э--и. в. приводит к электрон-фононному взаимодействию (об Э--и. в. в атомах, молекулах и плазме см. в ст. Атом, Молекула, Плазма, а также Рекомбинация ионов и электронов в плазме и Ридберговские состояния).
|
|
 |
