к библиотеке к оглавлению FAQ по эфирной физике ТОЭЭ ТЭЦ ТПОИ ТИ

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Э Ю Я

Эластосопротивление

Эластосопротивление - изменение уд. электросопротивления на единицу деформации (см. Тензорезистив-ный эффект):

Здесь r-сопротивление в отсутствие деформации,- изменение r при деформации,-безразмерный тензор Э. 4-го ранга,-тензор деформации 2-го ранга. Относит. изменение уд. сопротивления деформированного кристалла в линейном по деформации приближении можно записать в виде где -тензор пьезосопротивления 4-го ранга, Xi - тензор механич. напряжения 2-го ранга, связанный с тензором деформации(через тензор модулей упругости С_ik)соотношением

Компоненты тензора Э.

Так же, как и компоненты П_ik, компонентыобразуют шестимерную матрицу. На основании (3) для кристаллов кубич. симметрии связь между коэф. пьезосопротивления и Э. имеет вид

Соотношения (5) позволяют определить коэф. Э., измеряя коэф. пьезосопротивления. Вместо упругих постоянных можно пользоваться т. н. константами жёсткости (приводимыми обычно в таблицах):

Если осн. минимумы энергии зоны проводимости кристалла (см. Зонная теория)расположены на осях [100] (что имеет место в h-Si), то

Если осн. минимумы находятся на осях [111] (n-Ge), то

Литература по

Herring C., Transport properties of many-valley semiconductor, "Bell System Techn. Journal", 1955, v. 34, p. 237; Вир Г. Л., Пикус Г. E., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, M., 1972; Баранский П. И., Клочков В. П., Поты-кевич И. В., Полупроводниковая электроника, К., 1975.

П. И. Баранский.

к библиотеке к оглавлению FAQ по эфирной физике ТОЭЭ ТЭЦ ТПОИ ТИ

Знаете ли Вы, что низкочастотные электромагнитные волны частотой менее 100 КГц коренным образом отличаются от более высоких частот падением скорости электромагнитных волн пропорционально корню квадратному их частоты от 300 тысяч кмилометров в секунду при 100 кГц до примерно 7 тыс км/с при 50 Гц.

НОВОСТИ ФОРУМА

Рыцари теории эфира