Фототранзистор - транзистор (обычно биполярный), в к-ром управление коллекторным током
осуществляется на основе внутр. фотоэффекта; служит для преобразования
световых сигналов в электрические с одноврем. усилением последних. Основу Ф.
составляет монокристалл полупроводника со структурой п-р-п- или р
- п-р-типа. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным
окном. Включение Ф. во внеш. электрич. цепь подобно включению биполярного транзистора,
выполненному по схеме с общим эмиттером и оборванным базовым выводом (нулевым
током базы). При попадании излучения на базу (или коллектор) в ней образуются
парные носители зарядов (электроны и дырки), к-рые разделяются электрич. полем
коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются осн. носители
заряда, что приводит к снижению потенц. барьера эмиттерного перехода и увеличению
тока через Ф. по сравнению с током,
обусловленным переносом только тех носителей, к-рые
образовались непосредственно под действием света.
Основные параметры и
характеристики фототранзистора: и
н т е г р а л ь н а я ч у в с т в и т е л ь н о с т ь (отношение фототока к
падающему световому потоку); у Ф., изготовленных по диффузионной планарной технологии,
она достигает 10 А/лм; с п е к т р а л ь н а я х а р а к т е р и с т и к а (зависимость
чувствительности к монохроматич. излучению от длины волны этого излучения),
позволяющая, в частности, установить ДВ-границу применимости Ф.; эта граница
(в случае собств. поглощения зависящая прежде всего от ширины запрещённой зоны
полупроводникового материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, кремниевого-1,1
мкм; п о с т о я н н а я в р е м е н и (характеризующая инерционность Ф.) не
превышает неск. мкс; темновой ток (ток через Ф. при отсутствии излучения) не
превышает десятков нА. Кроме того, Ф. характеризуется к о э ф ф иц и е н т о
м у с и л е н и я п е р в о н а ч а л ь н о г о т о к а, достигающим
102-103.
Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также малые размеры и относит. простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости и элементов гальванич. развязки. (См. также Транзистор биполярный, Полупроводниковые материалы.)
Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.
Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.
Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.
Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.