Рекомбинационные центры - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация
электронно-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс
осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич.
уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда
с зоной проводимости (с)и валентной дырочной зоной (u)посредством
процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону с (с вероятностью
в единицу времени gЭ)и дырки из пустого Р. ц. в зону
u (с вероятностью gД), а также обратных процессов
захвата свободного электрона на пустой Р. ц. (вероятность КЭ)и свободной дырки на заполненный Р. ц. (КД). Величины
gЭ, gД, КЭ, КД
определяются сечениями захвата электрона и дырки
их тепловыми скоростямиэнергетич.
расположением уровня
Р. ц. и краев зон
кратностью вырождения уровня Р. ц. g,
статистич. факторами с- и u-зон .
Они являются функциями температуры Т и
концентраций свободных электронов n и дырок p (при отсутствии
вырождения):
Для Р. ц. справедливы соотношения
т. е. заполненный электроном Р. ц. со значительно
большей вероятностью захватывает дырку, чем испускает электрон в зону с, тогда как пустой - с большей вероятностью захватывает электрон, чем испускает
дырку в зону v.
При др. соотношениях между величинами КД,
КЭ и gЭ, gД дефекты и примесные
атомы будут играть роль центров прилипания (ловушек) электронов
центров прилипания дырок
или центров генерации носителей (если .
Если захват хотя бы одного из носителей заряда центром происходит с излучением
фотона, уносящего осн. часть выделяющейся энергии, то он наз. центром излучательной
рекомбинации (ЦИР) или центром свечения (люминесценции). Др. часть энергии может
выделяться в виде фононов. В разных ЦИР излучат. процесс реализуется разл. путями:
а) при захвате свободного носителя из с- или u-зоны непосредственно
в осн. состояние центра; соответствующие сечения излучат. захвата лежат обычно
в пределах 10-18-10-20
см2; б) припереходе
носителя, захваченного на мелкий возбуждённый уровень ЦИР, в осн. состояние;
в) при т. н. внутри центровом переходе захваченного носителя между находящимися
в запрещённой зоне уровнями внутр. электронной оболочки глубокого Р. ц. (напр.,
3d-оболочки атома переходного металла или 4f-оболочки редкоземельного
атома); г) при т. н. туннельном межцентровом переходе носителей между уровнями
близко расположенных донора и акцептора, составляющих единый Р. ц.
Захват каждого из носителей центром безызлу-чательной
рекомбинации (ЦБР) происходит с передачей всей выделившейся энергии решётке
либо непосредственно в виде фононов (многофонон-ная безызлучат. рекомбинация),
либо сначала другому свободному или связанному носителю, к-рый затем отдаёт
эту энергию решётке (оже - рекомбина-ция). Связанный носитель может находиться
либо на том же (многозарядном) центре, либо на соседнем. Так, излучат. захват
свободного электрона глубоким акцептором А может быть подавлен безызлучат.
захватом, если в решётке вблизи А (на расстоянии, достигающем десятков
A) находится заполненный (глубокий) донор D. Выделяющаяся энергия
уносится электроном донора, эмитируемым в с-зону. Такая донорно-акцептор-ная
пара может рассматриваться как оже-центр безызлучат. рекомбинации.
Уровни центров многофононной безызлучат. рекомбинации
обычно расположены вблизи середины запрещённой зоны, их положение зависит от
зарядового состояния центра, причём электрон-фононное взаимодействие в центре
сильное. Такими центрами могут быть как точечные, так и протяжённые дефекты, напр. крупные кластеры, включения др. фазы, дислокации.
При наличии у Р. ц. неск. метастабильных "конфигураций" (ориентации, расстояний между компонентами центра и т. д.), соответствующих разл. минимумам полной энергии, рекомбинация носителей может сопровождаться на Р. ц. его переходом между метаста-бильными состояниями.
М. К. Шейнкман
1. Электромагнитная волна (в религиозной терминологии релятивизма - "свет") имеет строго постоянную скорость 300 тыс.км/с, абсурдно не отсчитываемую ни от чего. Реально ЭМ-волны имеют разную скорость в веществе (например, ~200 тыс км/с в стекле и ~3 млн. км/с в поверхностных слоях металлов, разную скорость в эфире (см. статью "Температура эфира и красные смещения"), разную скорость для разных частот (см. статью "О скорости ЭМ-волн")
2. В релятивизме "свет" есть мифическое явление само по себе, а не физическая волна, являющаяся волнением определенной физической среды. Релятивистский "свет" - это волнение ничего в ничем. У него нет среды-носителя колебаний.
3. В релятивизме возможны манипуляции со временем (замедление), поэтому там нарушаются основополагающие для любой науки принцип причинности и принцип строгой логичности. В релятивизме при скорости света время останавливается (поэтому в нем абсурдно говорить о частоте фотона). В релятивизме возможны такие насилия над разумом, как утверждение о взаимном превышении возраста близнецов, движущихся с субсветовой скоростью, и прочие издевательства над логикой, присущие любой религии.
4. В гравитационном релятивизме (ОТО) вопреки наблюдаемым фактам утверждается об угловом отклонении ЭМ-волн в пустом пространстве под действием гравитации. Однако астрономам известно, что свет от затменных двойных звезд не подвержен такому отклонению, а те "подтверждающие теорию Эйнштейна факты", которые якобы наблюдались А. Эддингтоном в 1919 году в отношении Солнца, являются фальсификацией. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.