к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Рекомбинационные центры

Рекомбинационные центры - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация электронно-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда с зоной проводимости (с)и валентной дырочной зоной (u)посредством процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону с (с вероятностью в единицу времени gЭ)и дырки из пустого Р. ц. в зону u (с вероятностью gД), а также обратных процессов захвата свободного электрона на пустой Р. ц. (вероятность КЭ)и свободной дырки на заполненный Р. ц. (КД). Величины gЭ, gД, КЭ, КД определяются сечениями захвата электрона и дырки4037-2.jpg их тепловыми скоростями4037-3.jpgэнергетич. расположением 4037-4.jpgуровня Р. ц. и краев зон 4037-5.jpg кратностью вырождения уровня Р. ц. g, статистич. факторами с- и u-зон 4037-6.jpg. Они являются функциями температуры Т и концентраций свободных электронов n и дырок p (при отсутствии вырождения):

4037-7.jpg

4037-8.jpg

Для Р. ц. справедливы соотношения

4037-9.jpg

т. е. заполненный электроном Р. ц. со значительно большей вероятностью захватывает дырку, чем испускает электрон в зону с, тогда как пустой - с большей вероятностью захватывает электрон, чем испускает дырку в зону v.

При др. соотношениях между величинами КД, КЭ и gЭ, gД дефекты и примесные атомы будут играть роль центров прилипания (ловушек) электронов 4037-10.jpg центров прилипания дырок 4037-11.jpg или центров генерации носителей (если 4037-12.jpg. Если захват хотя бы одного из носителей заряда центром происходит с излучением фотона, уносящего осн. часть выделяющейся энергии, то он наз. центром излучательной рекомбинации (ЦИР) или центром свечения (люминесценции). Др. часть энергии может выделяться в виде фононов. В разных ЦИР излучат. процесс реализуется разл. путями: а) при захвате свободного носителя из с- или u-зоны непосредственно в осн. состояние центра; соответствующие сечения излучат. захвата лежат обычно в пределах 10-18-10-20 см2; б) при4037-13.jpgпереходе носителя, захваченного на мелкий возбуждённый уровень ЦИР, в осн. состояние; в) при т. н. внутри центровом переходе захваченного носителя между находящимися в запрещённой зоне уровнями внутр. электронной оболочки глубокого Р. ц. (напр., 3d-оболочки атома переходного металла или 4f-оболочки редкоземельного атома); г) при т. н. туннельном межцентровом переходе носителей между уровнями близко расположенных донора и акцептора, составляющих единый Р. ц.

Захват каждого из носителей центром безызлу-чательной рекомбинации (ЦБР) происходит с передачей всей выделившейся энергии решётке либо непосредственно в виде фононов (многофонон-ная безызлучат. рекомбинация), либо сначала другому свободному или связанному носителю, к-рый затем отдаёт эту энергию решётке (оже - рекомбина-ция). Связанный носитель может находиться либо на том же (многозарядном) центре, либо на соседнем. Так, излучат. захват свободного электрона глубоким акцептором А может быть подавлен безызлучат. захватом, если в решётке вблизи А (на расстоянии, достигающем десятков A) находится заполненный (глубокий) донор D. Выделяющаяся энергия уносится электроном донора, эмитируемым в с-зону. Такая донорно-акцептор-ная пара может рассматриваться как оже-центр безызлучат. рекомбинации.

Уровни центров многофононной безызлучат. рекомбинации обычно расположены вблизи середины запрещённой зоны, их положение зависит от зарядового состояния центра, причём электрон-фононное взаимодействие в центре сильное. Такими центрами могут быть как точечные, так и протяжённые дефекты, напр. крупные кластеры, включения др. фазы, дислокации.

При наличии у Р. ц. неск. метастабильных "конфигураций" (ориентации, расстояний между компонентами центра и т. д.), соответствующих разл. минимумам полной энергии, рекомбинация носителей может сопровождаться на Р. ц. его переходом между метаста-бильными состояниями.

Литература по рекомбинационным центрам

  1. Смит Р., Полупроводники, пер. с англ., 2 изд., М., 1982;
  2. Коварский В. А., Кинетика безызлучательных процессов, Киш., 1968;
  3. Landsberg Р. Т., Adam s М. J., Radiative and auger processes in semiconductors, "J. of Luminescence", 1973, v. 7, p. 3;
  4. Бонч-Бруевич В. Л., К а-лашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977;
  5. Милис А., Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, пер. с англ., М., 1977;
  6. Pидли В., Квантовые процессы в полупроводниках, пер. с англ., М., 1986.

М. К. Шейнкман

к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, что релятивистское объяснение феномену CMB (космическому микроволновому излучению) придумал человек выдающейся фантазии Иосиф Шкловский (помните книжку миллионного тиража "Вселенная, жизнь, разум"?). Он выдвинул совершенно абсурдную идею, заключавшуюся в том, что это есть "реликтовое" излучение, оставшееся после "Большого Взрыва", то есть от момента "рождения" Вселенной. Хотя из простой логики следует, что Вселенная есть всё, а значит, у нее нет ни начала, ни конца... Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМАФорум Рыцари теории эфира
Рыцари теории эфира
 25.06.2019 - 09:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Андрея Пешехонова - Карим_Хайдаров.
24.06.2019 - 17:51: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Кирилла Мямлина - Карим_Хайдаров.
24.06.2019 - 08:10: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
24.06.2019 - 08:01: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
24.06.2019 - 07:59: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Проблема народного образования - Карим_Хайдаров.
24.06.2019 - 01:25: ЭКОНОМИКА И ФИНАНСЫ - Economy and Finances -> КОЛЛАПС МИРОВОЙ ФИНАНСОВОЙ СИСТЕМЫ - Карим_Хайдаров.
24.06.2019 - 01:20: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от О.Н. Четвериковой - Карим_Хайдаров.
21.06.2019 - 15:02: СОВЕСТЬ - Conscience -> РУССКИЙ МИР - Карим_Хайдаров.
21.06.2019 - 08:47: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
18.06.2019 - 20:21: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Декларация Академической Свободы - Карим_Хайдаров.
17.06.2019 - 06:22: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вячеслава Осиевского - Карим_Хайдаров.
17.06.2019 - 06:12: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Ю.Ю. Болдырева - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research Institution home page

Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution