Рекомбинационные центры - дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к-рых происходит рекомбинация
электронно-дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс
осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич.
уровни Р. ц. лежат в запрещённой зоне, и центр обменивается носителями заряда
с зоной проводимости (с)и валентной дырочной зоной (u)посредством
процессов термич. испускания электронов из заполненного Р. ц. в зону с (с вероятностью
в единицу времени gЭ)и дырки из пустого Р. ц. в зону
u (с вероятностью gД), а также обратных процессов
захвата свободного электрона на пустой Р. ц. (вероятность КЭ)и свободной дырки на заполненный Р. ц. (КД). Величины
gЭ, gД, КЭ, КД
определяются сечениями захвата электрона и дырки
их тепловыми скоростямиэнергетич.
расположением уровня
Р. ц. и краев зон
кратностью вырождения уровня Р. ц. g,
статистич. факторами с- и u-зон .
Они являются функциями температуры Т и
концентраций свободных электронов n и дырок p (при отсутствии
вырождения):
Для Р. ц. справедливы соотношения
т. е. заполненный электроном Р. ц. со значительно
большей вероятностью захватывает дырку, чем испускает электрон в зону с, тогда как пустой - с большей вероятностью захватывает электрон, чем испускает
дырку в зону v.
При др. соотношениях между величинами КД,
КЭ и gЭ, gД дефекты и примесные
атомы будут играть роль центров прилипания (ловушек) электронов
центров прилипания дырок
или центров генерации носителей (если .
Если захват хотя бы одного из носителей заряда центром происходит с излучением
фотона, уносящего осн. часть выделяющейся энергии, то он наз. центром излучательной
рекомбинации (ЦИР) или центром свечения (люминесценции). Др. часть энергии может
выделяться в виде фононов. В разных ЦИР излучат. процесс реализуется разл. путями:
а) при захвате свободного носителя из с- или u-зоны непосредственно
в осн. состояние центра; соответствующие сечения излучат. захвата лежат обычно
в пределах 10-18-10-20
см2; б) припереходе
носителя, захваченного на мелкий возбуждённый уровень ЦИР, в осн. состояние;
в) при т. н. внутри центровом переходе захваченного носителя между находящимися
в запрещённой зоне уровнями внутр. электронной оболочки глубокого Р. ц. (напр.,
3d-оболочки атома переходного металла или 4f-оболочки редкоземельного
атома); г) при т. н. туннельном межцентровом переходе носителей между уровнями
близко расположенных донора и акцептора, составляющих единый Р. ц.
Захват каждого из носителей центром безызлу-чательной
рекомбинации (ЦБР) происходит с передачей всей выделившейся энергии решётке
либо непосредственно в виде фононов (многофонон-ная безызлучат. рекомбинация),
либо сначала другому свободному или связанному носителю, к-рый затем отдаёт
эту энергию решётке (оже - рекомбина-ция). Связанный носитель может находиться
либо на том же (многозарядном) центре, либо на соседнем. Так, излучат. захват
свободного электрона глубоким акцептором А может быть подавлен безызлучат.
захватом, если в решётке вблизи А (на расстоянии, достигающем десятков
A) находится заполненный (глубокий) донор D. Выделяющаяся энергия
уносится электроном донора, эмитируемым в с-зону. Такая донорно-акцептор-ная
пара может рассматриваться как оже-центр безызлучат. рекомбинации.
Уровни центров многофононной безызлучат. рекомбинации
обычно расположены вблизи середины запрещённой зоны, их положение зависит от
зарядового состояния центра, причём электрон-фононное взаимодействие в центре
сильное. Такими центрами могут быть как точечные, так и протяжённые дефекты, напр. крупные кластеры, включения др. фазы, дислокации.
При наличии у Р. ц. неск. метастабильных "конфигураций" (ориентации, расстояний между компонентами центра и т. д.), соответствующих разл. минимумам полной энергии, рекомбинация носителей может сопровождаться на Р. ц. его переходом между метаста-бильными состояниями.
М. К. Шейнкман
Релятивисты и позитивисты утверждают, что "мысленный эксперимент" весьма полезный интрумент для проверки теорий (также возникающих в нашем уме) на непротиворечивость. В этом они обманывают людей, так как любая проверка может осуществляться только независимым от объекта проверки источником. Сам заявитель гипотезы не может быть проверкой своего же заявления, так как причина самого этого заявления есть отсутствие видимых для заявителя противоречий в заявлении.
Это мы видим на примере СТО и ОТО, превратившихся в своеобразный вид религии, управляющей наукой и общественным мнением. Никакое количество фактов, противоречащих им, не может преодолеть формулу Эйнштейна: "Если факт не соответствует теории - измените факт" (В другом варианте " - Факт не соответствует теории? - Тем хуже для факта").
Максимально, на что может претендовать "мысленный эксперимент" - это только на внутреннюю непротиворечивость гипотезы в рамках собственной, часто отнюдь не истинной логики заявителя. Соответсвие практике это не проверяет. Настоящая проверка может состояться только в действительном физическом эксперименте.
Эксперимент на то и эксперимент, что он есть не изощрение мысли, а проверка мысли. Непротиворечивая внутри себя мысль не может сама себя проверить. Это доказано Куртом Гёделем.
Понятие "мысленный эксперимент" придумано специально спекулянтами - релятивистами для шулерской подмены реальной проверки мысли на практике (эксперимента) своим "честным словом". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.