Рекомбинационные волны - волны концентрации
носителей заряда в холодной биполярной плазме полупроводников во внеш. электрич.
поле (см. Плазма твёрдых тел). Возникают спонтанно, когда электрич. поле
превосходит нек-рое пороговое значение. Р. в. проявляются как колебания тока
в образце, к к-рому приложено пост. напряжение. Условием существования Р. в.
в полупроводнике является наличие как электронов, так и дырок, концентрации
к-рых не должны сильно отличаться. Др. условие состоит в том, чтобы времена
жизни т носителей были различными. Оба условия выполняются только при наличии
глубоких примесных центров рекомбинации, уровни энергии к-рых располагают
в ср. части запрещённой зоны полупроводника. Эти условия иллюстрируются диаграммой
(рис.).
Области существования реком-бинационных волн
заштрихованы; p, n - равновесные концентрации дырок и электронов;
- их времена
жизни.
Рекомбинационные волны проявляются в потере устойчивости протекания
электрич. тока. Его течение устойчиво лишь в слабых полях. Критич. значение
напряжённости поля определяется условием, чтобы дрейфовая длина неравновесных
носителей заряда превосходила их диффузионную длину. С этим и связан механизм
самовозбуждения Р. в., заключающийся в том, что избыточные неосновные носители,
возникшие благодаря случайной генерации с примесных центров захвата, не рекомбиннруют
там, где они родились, а уносятся полем вместе с частично нейтрализующими их
осн. носителями. Р. в. распространяются в сторону дрейфа более долгоживу-щих
носителей заряда.
Рекомбинационные волны наблюдались в кристаллах Ge n-типа с примесью Мn и Sb и в кристаллах Si n-типа с примесью Zn и P при темп-pax Т ~ 300 К в электрич. поле порядка десятков В/см. Период колебаний тока от долей секунды до неск. мкс. Частота и амплитуда Р. в. чувствительны к изменению внеш. условий (температуры, магн. поля, освещения, к облучению потоком частиц). Это обусловливает возможности практич. использования Р. в. Созданы прецизионные датчики температуры, напряжённости магн. поля, механич. деформаций, мощности эл--магн. и корпускулярного излучений, а также миниатюрные полупроводниковые генераторы и преобразователи.
О. В. Константинов, Г. В. Царенков
Релятивисты и позитивисты утверждают, что "мысленный эксперимент" весьма полезный интрумент для проверки теорий (также возникающих в нашем уме) на непротиворечивость. В этом они обманывают людей, так как любая проверка может осуществляться только независимым от объекта проверки источником. Сам заявитель гипотезы не может быть проверкой своего же заявления, так как причина самого этого заявления есть отсутствие видимых для заявителя противоречий в заявлении.
Это мы видим на примере СТО и ОТО, превратившихся в своеобразный вид религии, управляющей наукой и общественным мнением. Никакое количество фактов, противоречащих им, не может преодолеть формулу Эйнштейна: "Если факт не соответствует теории - измените факт" (В другом варианте " - Факт не соответствует теории? - Тем хуже для факта").
Максимально, на что может претендовать "мысленный эксперимент" - это только на внутреннюю непротиворечивость гипотезы в рамках собственной, часто отнюдь не истинной логики заявителя. Соответсвие практике это не проверяет. Настоящая проверка может состояться только в действительном физическом эксперименте.
Эксперимент на то и эксперимент, что он есть не изощрение мысли, а проверка мысли. Непротиворечивая внутри себя мысль не может сама себя проверить. Это доказано Куртом Гёделем.
Понятие "мысленный эксперимент" придумано специально спекулянтами - релятивистами для шулерской подмены реальной проверки мысли на практике (эксперимента) своим "честным словом". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.
|
![]() |