Рекомбинационные волны - волны концентрации
носителей заряда в холодной биполярной плазме полупроводников во внеш. электрич.
поле (см. Плазма твёрдых тел). Возникают спонтанно, когда электрич. поле
превосходит нек-рое пороговое значение. Р. в. проявляются как колебания тока
в образце, к к-рому приложено пост. напряжение. Условием существования Р. в.
в полупроводнике является наличие как электронов, так и дырок, концентрации
к-рых не должны сильно отличаться. Др. условие состоит в том, чтобы времена
жизни т носителей были различными. Оба условия выполняются только при наличии
глубоких примесных центров рекомбинации, уровни энергии к-рых располагают
в ср. части запрещённой зоны полупроводника. Эти условия иллюстрируются диаграммой
(рис.).
Области существования реком-бинационных волн
заштрихованы; p, n - равновесные концентрации дырок и электронов;
- их времена
жизни.
Рекомбинационные волны проявляются в потере устойчивости протекания
электрич. тока. Его течение устойчиво лишь в слабых полях. Критич. значение
напряжённости поля определяется условием, чтобы дрейфовая длина неравновесных
носителей заряда превосходила их диффузионную длину. С этим и связан механизм
самовозбуждения Р. в., заключающийся в том, что избыточные неосновные носители,
возникшие благодаря случайной генерации с примесных центров захвата, не рекомбиннруют
там, где они родились, а уносятся полем вместе с частично нейтрализующими их
осн. носителями. Р. в. распространяются в сторону дрейфа более долгоживу-щих
носителей заряда.
Рекомбинационные волны наблюдались в кристаллах Ge n-типа с примесью Мn и Sb и в кристаллах Si n-типа с примесью Zn и P при темп-pax Т ~ 300 К в электрич. поле порядка десятков В/см. Период колебаний тока от долей секунды до неск. мкс. Частота и амплитуда Р. в. чувствительны к изменению внеш. условий (температуры, магн. поля, освещения, к облучению потоком частиц). Это обусловливает возможности практич. использования Р. в. Созданы прецизионные датчики температуры, напряжённости магн. поля, механич. деформаций, мощности эл--магн. и корпускулярного излучений, а также миниатюрные полупроводниковые генераторы и преобразователи.
О. В. Константинов, Г. В. Царенков
Понятие же "физического вакуума" в релятивистской квантовой теории поля подразумевает, что во-первых, он не имеет физической природы, в нем лишь виртуальные частицы у которых нет физической системы отсчета, это "фантомы", во-вторых, "физический вакуум" - это наинизшее состояние поля, "нуль-точка", что противоречит реальным фактам, так как, на самом деле, вся энергия материи содержится в эфире и нет иной энергии и иного носителя полей и вещества кроме самого эфира.
В отличие от лукавого понятия "физический вакуум", как бы совместимого с релятивизмом, понятие "эфир" подразумевает наличие базового уровня всей физической материи, имеющего как собственную систему отсчета (обнаруживаемую экспериментально, например, через фоновое космичекое излучение, - тепловое излучение самого эфира), так и являющимся носителем 100% энергии вселенной, а не "нуль-точкой" или "остаточными", "нулевыми колебаниями пространства". Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.