Бурштейна - Мосса эффект. РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Бурштейна - Мосса эффект

Бурштейна - Мосса эффект - сдвиг края области собств. поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение). Так, в кристалле InSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при T= 300 К) длине волны

= 7,2 мкм; после легирования образца донорами до концентрации 5*10¹⁸ см^-3

= 3,2 мкм. Бурштейна - Мосса эффект - следствие Паули принципа: квантовые переходы возможны лишь при условии, что состояние, в к-рое переходит электрон, не занято др. электроном. Установлен независимо Э. Бурштейном (E. Burstein) и T. С. Моссом (T. S. Moss) в 1954.

Литература по Бурштейна - Мосса эффекту

Мосс Т., Оптические свойства полупроводников, пер. с англ., M., 1961;

Панков Ж., Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ., M., 1973;

Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, 1975.

Э. M. Эпштейн

Знаете ли Вы, что релятивистское объяснение феномену CMB (космическому микроволновому излучению) придумал человек выдающейся фантазии Иосиф Шкловский (помните книжку миллионного тиража "Вселенная, жизнь, разум"?). Он выдвинул совершенно абсурдную идею, заключавшуюся в том, что это есть "реликтовое" излучение, оставшееся после "Большого Взрыва", то есть от момента "рождения" Вселенной. Хотя из простой логики следует, что Вселенная есть всё, а значит, у нее нет ни начала, ни конца... Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.