Бурштейна - Мосса эффект. РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА. Глоссарий по физике

Бурштейна - Мосса эффект

Бурштейна - Мосса эффект - сдвиг края области собств. поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение). Так, в кристалле InSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при T= 300 К) длине волны

= 7,2 мкм; после легирования образца донорами до концентрации 5*10¹⁸ см^-3

= 3,2 мкм. Бурштейна - Мосса эффект - следствие Паули принципа: квантовые переходы возможны лишь при условии, что состояние, в к-рое переходит электрон, не занято др. электроном. Установлен независимо Э. Бурштейном (E. Burstein) и T. С. Моссом (T. S. Moss) в 1954.

Литература по Бурштейна - Мосса эффекту

Мосс Т., Оптические свойства полупроводников, пер. с англ., M., 1961;

Панков Ж., Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ., M., 1973;

Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, 1975.

Э. M. Эпштейн

Знаете ли Вы, что "тёмная материя" - такая же фикция, как черная кошка в темной комнате. Это не физическая реальность, но фокус, подмена.
Реально идет речь о том, что релятивистские формулы не соответствуют астрономическим наблюдениям, давая на порядок и более меньшую массу и меньшую энергию. Отсюда сделан фокуснический вывод, что есть "темная материя" и "темная энергия", но не вывод, что релятивистские формулы не соответствуют реалиям. Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.