к библиотеке  к оглавлению  FAQ по эфирной физике  ТОЭЭ  ТЭЦ  ТПОИ  ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике
А  Б  В  Г  Д  Е  Ж  З  И  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Э  Ю  Я  

Бурштейна - Мосса эффект
Бурштейна - Мосса эффект - сдвиг края области собств. поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение). Так, в кристалле InSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при T= 300 К) длине волны = 7,2 мкм; после легирования образца донорами до концентрации 5*1018 см-3 = 3,2 мкм. Б.-M. э.- следствие Паули принципа: квантовые переходы возможны лишь при условии, что состояние, в к-рое переходит электрон, не занято др. электроном. Установлен независимо Э. Бурштейном (E. Burstein) и T. С. Моссом (T. S. Moss) в 1954.

Литература по 

1. Мосс Т., Оптические свойства полупроводников, пер. с англ., M., 1961; Панков Ж., Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ., M., 1973; Грибковский В. П., Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, 1975. Э. M. Эпштейн.

к библиотеке  к оглавлению  FAQ по эфирной физике  ТОЭЭ  ТЭЦ  ТПОИ  ТИ