к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Френкеля пара (Френкеля дефект)

Френкеля пара (Френкеля дефект) - дефект кристал-лич. структуры, состоящий из собственно межузелъного атома и вакансии. Ф. п. возникают в кристалле при нагреве или облучении потоком ядерных частиц (см. Радиационные дефекты ).При нагреве концентрация Ф. п. определяется температурой Т:

5076-18.jpg

где N, N' -концентрации узлов и межузельных положений, v, v'- характерные частоты колебаний атомов решётки при наличии Ф. п. и их отсутствии, Z-координационное число ,DE - энергия, необходимая для смещения атома в междоузлие. Для полупроводников 5076-19.jpg если смещение происходит адиабатически (время смещения tсм>>v-1). При этом релаксация атомов, окружающих Ф. п., успевает произойти за tсм. Если образование пары происходит неадиабатически (tсм<<v-1), напр. при воздействии на кристалл быстрых ядерных частиц, то релаксация не успевает произойти за время tсм и энергия 5076-20.jpg значительно больше (для бинарных полупроводников 5076-21.jpg , а для атомарных-десятки эВ).

После образования Ф. п. между её компонентами существуют упругое взаимодействие, обусловленное деформацией решётки, и кулоновское взаимодействие заряж. вакансий и межузельного атома или иона. Знак и величина взаимодействий определяются расстоянием d между компонентами Ф. п. и их зарядовыми состояниями. Если силы упругости вызывают притяжение компонент, то в объёме кристалла появляется область (зона) неустойчивости, в пределах к-рой Ф. п. спонтанно аннигилирует. Если меж-узельный атом оказывается за пределами зоны неустойчивости и не способен мигрировать, то образуется мета-стабильная Ф. п. Если межузельный атом может мигрировать, то пара либо аннигилирует, либо разделится на свободные вакансию и межузельный атом. При облучении кристаллов потоком ядерных частиц эффективность миграции и, следовательно, устойчивость Ф. п. определяются не только температурой, но и уровнем возбуждения электронной системы кристалла (интенсивностью облучения).

Если межузельный атом подвижен, соотношение вероятностей аннигиляции и разделения компонентов пары определяется расстоянием d между ними. Существуют зависящие от температуры упругий и кулоновский радиусы rупр и rкул, определяемые равенством кинетич. энергии межузельного атома и энергии упругого и кулоновского взаимодействий. При d>rупр и d>rкул пара разделяется, при обратном соотношении - аннигилирует.

После разделения компоненты пары могут участвовать в квазихим. реакциях с примесными атомами и дефектами др. типов, создавая стабильные комплексы (при этом примесные атомы могут терять электрич. активность либо, напротив, входить в состав электрически активных комплексов).

Экспериментально Ф. п. наблюдались с помощью элек-тронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в кристалле ZnSe, облучённом быстрыми электронами (1,5 МэВ) при 20,4 К. Были обнаружены Ф. п. с разл. d (0,5-0,9 нм) и соответственно с разными температурами отжига (100 К - 190 К). Зарядовые состояния компонентов пары: вакансия V-Zn, межузельный атом Zn+. Для атомарных кристаллов Ф. п. обнаруживаются только в n-Ge при облучении электронами или g-квантами с энергией ~ 1 МэВ и достаточно низкой температуре (напр., T=4,2 К). Пары стабильны до T=65 К после облучения электронами с энергией 1 МэВ и до T=55 К после облучения g-квантами 5076-22.jpg Различие в ср. расстоянии между компонентами обусловлено разницей в энергии облучения. Энергетич. состояния в запрещённой зоне, наблюдающиеся в результате облучения, принадлежат вакансиям. В кремнии метастабильные Ф. п. обнаружить не удалось.

Литература по

  1. Болтакс Б. И., Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках, Л., 1972; Винецкий В. Л., Холодарь Г. А., Радиационная физика полупроводников, К., 1979; Точечные дефекты в твердых телах. Сб. ст., пер. с англ., М., 1979; Емцев В. В., Машовец Т. В., Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, М., 1981; Емцев В. В., Машовец Т. В., Михнович В. В., Пары Френкеля в германии и кремнии, "ФТП", 1992, т. 26, в. 1, с. 22. Т. В. Машовец.

    к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

    Знаете ли Вы, что низкочастотные электромагнитные волны частотой менее 100 КГц коренным образом отличаются от более высоких частот падением скорости электромагнитных волн пропорционально корню квадратному их частоты от 300 тысяч кмилометров в секунду при 100 кГц до примерно 7 тыс км/с при 50 Гц.

    НОВОСТИ ФОРУМА

    Форум Рыцари теории эфира


    Рыцари теории эфира
     10.11.2021 - 12:37: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 12:36: СОВЕСТЬ - Conscience -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 12:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от д.м.н. Александра Алексеевича Редько - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 12:35: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 12:34: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вадима Глогера, США - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 09:18: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> Волновая генетика Петра Гаряева, 5G-контроль и управление - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 09:18: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ЭКОЛОГИЯ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 09:16: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМЫ МЕДИЦИНЫ - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 09:15: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Екатерины Коваленко - Карим_Хайдаров.
    10.11.2021 - 09:13: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вильгельма Варкентина - Карим_Хайдаров.
    Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution